推动该市场增长的关键驱动因素包括促进创新应用的GaN材料的宽间隙特性、GaN在射频功率电子产品中的成功以及GaN射频半导体器件的日益普及用于国防和航空航天应用等。

氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3．4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。

新思界产业研究中心出具的《2021年全球及中国氮化镓半导体器件产业深度研究报告》显示,全球氮化镓半导体器件产业市场规模将从2021年的201亿美元,增长到2026年的263亿美元,复合年增长率为5．5%。推动该市场增长的关键驱动因素包括促进创新应用的GaN材料的宽间隙特性、GaN在射频功率电子产品中的成功以及GaN射频半导体器件的日益普及用于国防和航空航天应用等。

GaN RF半导体器件将成为全球预测期内复合年增长率第二高的射频半导体器件市场

在预测期内,GaN RF半导体器件市场规模预计将成为全球第二高增长率。GaN最初是为伊拉克的简易爆炸装置(IED)干扰器开发的,现已成为所有新型微波和毫米波电子设备(包括雷达、卫星、通信和电子战)的首选技术。对甚高频(VHF)、超高频(UHF)和微波频段的高功率需求不断增长,导致需要能够在高达10GHz及以上的射频频率下提供数十至数百瓦功率的设备,这种需求将推动GaN未来的市场增长。

预测期内6英寸及以上GaN晶圆细分市场的复合年增长率最高

按晶圆尺寸计算,GaN半导体器件市场的6英寸及以上GaN晶圆部分预计在预测期内将录得更高的复合年增长率。此尺寸范围的晶圆使制造商能够提高生产力并在单个批次中生产大量设备。这反过来又有助于降低制造6英寸晶圆的总成本,使其成为市场上最具成本效益的GaN晶圆之一。这已成为近年来各公司开发基于6英寸及以上GaN晶圆的半导体器件的主要原因之一。

亚太地区预计将在2026年占据GaN半导体器件市场的最大份额

预计到2026年,亚太地区将占据GaN半导体器件市场的最大份额。亚太地区的工业活动在中国等亚洲国家的代工厂、晶圆、制造、组装、测试和封装设施数量方面呈指数级增长。随着这些产品的国内消费量不断增长,该地区的电动汽车制造和进口也在增加。随着电动汽车的普及以及该地区电动汽车充电站的建立,预计未来氮化镓半导体器件市场的机会将加速增长。

Cree,Inc．(美国)、Infineon Technologies(德国)、Qorvo,Inc．(美国)、MACOM Technology Solutions(美国)、NXP Semiconductors(荷兰)、Mitsubishi Electric Corporation(日本)、Efficient Power Conversion(EPC) Corporation(美国)、GaN Systems(加拿大)、Nichia Corporation(日本)和Epistar Corporation(中国台湾)是全球GaN半导体器件市场的主要参与者。