专用MOSFET
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研华AFE机器人专用控制器:集多视觉与强抗干扰的机器人"大脑"
为了应对人工成本上升和人口老龄化的挑战，世界各地的公司都在寻求创新的解决方案来优化资源并保持竞争力，这使得自动化比以往任何时候都更加重要。迎接机器人市场快速发展的趋势，研华推出面向AMR机器人应用AFE-R系列产品：AFE-R360和AFE-R770
研华 2024-07-22 -
IGBT/MOSFET-栅极驱动光电耦合器ICPL-343
现代电力电子系统中，栅极驱动光电耦合器扮演着至关重要的角色；其先进的技术能够有效隔离控制信号和功率信号，提升系统的稳定性和安全性，同时提高系统的效率和性能。其中，由工采网代理的ICPL-343是一款出
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小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1
ROHM 2024-06-12 -
智能门锁专用触摸IC_家居门禁锁按键触摸触控芯片
随着电子技术和智能家居市场的和发展，智能门锁的应用也越来越多，应用多种多样的技术也设计出多种多样的智能门锁，如指纹锁、密码锁、人脸识别锁、IC卡感应锁等等。 触摸IC是一种集成了触摸感应技术的芯片，具有快速响应、高精准度和耐用性强的优点
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东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系
东芝 2024-02-22 -
高分辨率录像时代来临 群联推出录像与监控系统专用SSD
随着录像与监控系统进入高解析画质时代，录像设备以及监控系统整合厂商对于SSD储存装置的稳定效能 (Sustained Performance) 与断电保护 (Power Loss
群联电子 2024-02-01 -
IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列
一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大
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NTP8835(30W+2X10W 2.1音箱专用D类功放IC)
数字音频技术的迅速发展，使功放IC在消费电子行业中极具潜力；数字功放芯片能够将数字信号转换成音频信号，从而使用户能够从各种外部设备和媒体中获得最佳的音质；在许多领域得到广泛应用，包括家庭影院、专业音响、电视机、汽车音响和便携式音频设备等
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舞台灯光专用电机驱动及应用方案
舞台灯光的运用是舞台艺术中不可或缺的重要手段，达到突出重点、塑造人物形象、烘托环境气氛的目的；在舞台灯光的使用过程中，会对灯光的角度有较多的要求而步进电机具有较好的调节性；且控制方式更加灵活多样；能满足舞台灯光控制的高要求
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Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用中国北京，2023年10月17日讯 – Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互
Littelfuse 2023-10-17 -
智能密码锁专用触摸芯片GTX314L
由工采网代理的韩国greenchip（绿芯）GTX314L是一款专用于智能密码锁上的14通道电容式触摸芯片，芯片拥有超强抗干扰能力、低功耗、高灵敏度支持多点触控等特点。 该芯片工作电压范围：1.8V～5.5V
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N-沟道功率MOSFET-MPF12N65
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。 工作原理是通过控制栅极
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采用TO263－7封装的新一代1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263－7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化
英飞凌 2023-08-01 -
ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件体积减少99％
近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名
ROHM 2023-07-26 -
安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构
作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量
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Nexperia扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装奈梅亨，2023年6月21日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80／100 V MOSFET产品组合的封装系列
Nexperia 2023-06-21 -
如何在不构建专用硬件的情况下制作充电宝原型
作者： Diarmuid Carey，核心应用部应用工程师问题：能否在不构建专用硬件的情况下制作充电宝应用原型？答案：对于这个问题，简短回答是肯定的，而且由于多年来许多客户问过这个问题，所以本文旨在更详细地探讨此话题
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Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
无需人工计算，参数可随用户输入动态响应奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准
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用于IGBT和MOSFET栅极驱动光耦合器MPH343
由工采网代理的MPH343是一款输出电流为4.0A的智能栅极驱动光耦；非常适合驱动功率IGBT和MOSFET用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器；内置过流保护和软关断功能，适用于工业逆变器和光伏功率调节系统
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩小60％
RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用
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英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET
【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推
英飞凌 2023-02-01 -
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中国北京讯 － 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC
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光伏逆变器专用IGBT元器件—助力提频增效
随着微电子技术和电力电子技术的发展进步，促进了新型大功率半导体器件和驱动控制电路的出现，现在逆变器多采用绝缘栅极晶体管（IGBT）、功率场效应管、MOS控制器晶闸管以及智能型功率模块等各种先进和易与控制的大功率器件
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Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件
Nexperia 2022-11-18 -
管式多节点可级联土壤含水率-倾角计 ——安全监测专用传感器，高精度低功耗、探测范围广、安装简便
敏源一体化多节点土壤含水率－倾角计CISS（Cascaded Integrated Soil Sensor）是管式安全监测专用传感设备，可级联多个节点深埋于土壤中探测不同层土壤水分含量、倾角、温度的变
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应用在电源MOSFET驱动器中的光耦
MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC／DC 转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置
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UVC紫外线杀菌技术-消毒杀菌专用灯珠
随着人们健康思维观念的转换，UVC灯珠紫外杀菌走进千家万户，成为人们日常消毒杀菌不可或缺的一部分。 UVC是波长为200-280nm的光线，它能够穿透生物中的细胞膜和细胞核，破坏微生物机体细胞中的DNA或RNA的分子结构，造成生长性细胞死亡或再生性细胞死亡，从而达到杀菌消毒的作用
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0.1℃精度、16bitADC、I2C接口、冷链物流专用数字温度芯片M117P
随着工业化技术的不断发展，疫苗、生物制剂、药品以及新鲜生蔬等对温度敏感的商品在加工、储存、运输、销售等过程中，需要对各个过程中的温度参数进行记录跟踪，以保证产品质量，减少物流损耗，这对冷链物流、仓储的温控系统提出了新要求
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Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理奈梅亨，2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和P
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Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603
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栅极驱动器以及SiC MOSFET栅极驱动
碳化硅（SiC）MOSFET的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET和IGBT更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。
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重磅！阿里发布云数据中心专用处理器CIPU
6月13日,在2022阿里云峰会上,阿里云宣布推出为新型云数据中心设计的专用处理器——云基础设施处理器CIPU(CloudInfrastructureProcessingUnit),可对计算资源进行云化加速,并可部署飞天操作系统对云资源进行管控
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Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
在LFPAK封装中采用新型SOA(安全工作区)Trench技术,可提供出色的瞬态线性模式性能,为设计人员带来体积更小、更可靠的选择。奈梅亨,2022年5月12日:基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%,增强性能并减少损耗2022年5月11日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 2022-05-11 -
低功耗触摸芯片GTX314L，十四通道门锁专用芯片
近年来，随着芯片的高速发展与应用，智能家居的普及各种各样形式的触摸按键已经出现在我们日常家用电器中，如智能门锁、电磁炉、油烟机按键的出现更加丰富了触摸芯片的应用。目前运用的触摸芯片主要有两种，一种是电阻式，另一种是电容式
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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源
东芝 2022-04-02 -
爱芯元智影像专用芯片AX170A成功进入消费领域,全面提升手机拍摄体验
近日,爱芯元智Pre ISP芯片AX170A成功通过手机客户验收,并正式进入商用阶段。这标志着继智慧城市、智能交通等领域之后,爱芯元智系列产品在消费领域也成功落地,且表现卓越。AX170A是一款影像专用的AI处理芯片
影像专用芯片 2022-03-24
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