豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

2022-06-28 16:31

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。

WNMD2196A超低Rss（ON），专为手机锂电池保护设计

近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

双N沟道增强型MOSFET，WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻，RSS（ON）低至1m?，专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计，提供卓越的RSS（ON）的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快，阙值电压低，开关速率高。

WNMD2196A兼顾性能与设计灵活性。该产品采用 CSP封装，更紧凑，方便电池应用布板设计。同时，优化的SOA特性，提高承受冲击电流的能力；超低RSS（ON），可实现更高的效率和更低的温升，提升了产品的可靠性。

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

WNMD2196A参数

WNM6008 80V高功率MOSFET 适用太阳能、电池供电应用

WNM6008——80V高功率MOSFET，采用最新一代Shield Gate技术，针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化，具备超低FOM值（开关应用重要优值系数）。WNM6008低开关和导通损耗，可实现更高效率、更优EMI性能。适用于同步整流应用，优化了反向恢复电荷从而实现更低的尖峰电压，提供最高水平的功率密度和能效，继而为电源提供更高的效率和更强的可靠性。

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET