无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

2012-12-25 15:54

　　OFweek电子工程网讯：日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开始SiC－MOS模块（额定1200V/180A）的量产。

　　该模块内置的功率半导体元件全部由SiC－MOSFET构成，尚属业界首次。额定电流提高到180A，应用范围更广，非常有助于各种设备的低功耗化、小型化。

　　另外，生产基地在罗姆总部工厂（日本京都），已经开始销售样品，预计12月份开始量产并出货。

　　罗姆于2012年3月世界首家实现内置的功率半导体元件全部由碳化硅构成的"全SiC"功率模块（额定1200V/100A）的量产。该产品在工业设备等中的应用与研究不断取得进展；而另一方面，在保持小型模块尺寸的同时希望支持更大电流的需求高涨，此类产品的开发备受市场期待。

　　通常，为了实现大电流化，一般采用增加MOSFET使用数量等方法来实现，但这需要整流元件即二极管配套使用，因此长期以来很难保持小型尺寸。

　　此次，罗姆采用消除了体二极管通电劣化问题的第2代SiC-MOSFET，成功开发出无需整流元件-二极管的SiC功率模块（SiC-MOS模块），使SiC-MOSFET的搭载面积増加，在保持小型模块尺寸的同时实现了大电流化。

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