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英特尔推出10nm制程工艺 “剑指”三星和台积电

导读: 在“Intel精尖制造大会”上,英特尔公司执行副总裁,运营与销售集团总裁Stacy J·Smith展示了10nm制程工艺的硅晶圆并表示,英特尔10nm晶体管密度是其竞争对手10nm的两倍。

OFweek电子工程网讯 2017年9月19日,英特尔正式推出10nm制程工艺,并计划在今年下半年开始投入生产。在“Intel精尖制造大会”上,英特尔公司执行副总裁,运营与销售集团总裁Stacy J·Smith展示了10nm制程工艺的硅晶圆并表示,英特尔10nm晶体管密度是其竞争对手10nm的两倍。

Intel精尖制造大会

作为英特尔的老对手,台积电与三星在硅晶圆制程工艺技术的研发步伐也不逞多让。目前已然稳定10nm制程工艺,开始布局7nm工艺。

三星布局7nm工艺 台积电不甘落后

由于处理器与存储器芯片的需求不断增长,三星也开始布局规划,并将公司负责SOC业务的团队单独整合起来。同时,三星还增加了不少合作伙伴,拓展了市场领域,如物联网、可穿戴设备以及智能汽车等技术,都将是未来其发展方向。

三星电子表示,“10nm FinFET技术已经非常稳定,未来将发力7nm技术的研发。”但业内也传出其10nm工艺生产过程中遭遇到良率问题,并高通多款芯片不得不返回14nm。鉴于10nm工艺的前车之鉴,未来7nm的产品良率,也不免让人捏了一把汗啊!

而与三星在高通10nm订单争夺中,台积电虽然不幸败北,但在芯片制程上从而停下脚步。预计到2018年,台积电7nm芯片将会正式上市,2020年量产5nm。

摩尔定律依旧存在

英特尔一直奉行“摩尔定律”,自去年以来市场开始怀疑摩尔定律名存实亡,而在此次Intel精尖制造大会上,英特尔10nm工艺的推出,再次向全世界宣布,摩尔定律一直存在着。

英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监 Mark Bohr表示,“目前7nm工艺与5nm工艺都在研发中,未来摩尔定律将会继续推进整个行业以及英特尔的发展,这并不仅仅是技术的革新,我们的生产以及制程工艺也会不断进步与发展。”

在此次大会上,英特尔也列出10nm制程工艺具体数据,虽然英特尔10nm技术推出较晚,但是在鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度以及逻辑晶体管密度等方面完全秒杀三星与台积电的10nm工艺。

10nm具体工艺数据对比如下

10纳米数据对比情况表(来源于互联网)

看完这个数据,台积电与三星也是压力倍增,毕竟英特尔的10nm工艺的数据摆在这里,不想承认都没办法。如果明年年末7nm工艺都未能推出的话,那么英特尔有望再次夺回头把交椅。目前,7nm对于三星和台积电至关重要。

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