GaN功率器件知识产权动态预示未来市场迎来爆发期
2015-10-23 00:37
来源：
电子工程网
早在2010年富士通和三菱电机就对GaN功率技术表现出浓厚的兴趣，其最近三年的专利活动的增长，预示着未来可观的知识产权组合。
专利技术和知识产权战略
市场调研公司Yole对1960年以后的专利发明已经按照技术领域进行了手动分类。现有的GaN功率知识产权覆盖整个价值链，如外延片、功率半导体器件、离散组件、功率模块、封装、电路和系统等。专利的数据被整合入各种技术挑战，如E体化、共源共栅、E/D体化单片集成、垂直器件、电流崩塌、动态罗恩（Ron）、栅极电荷、击穿电压、杂散电感、散热问题和芯片级封装等。GaN外延基体类型包括SiC、硅、松厚度和蓝宝石等，重点关注功率半导体（晶体管和二极管半导体层面）以及功率组件（离散组件、功率模块和封装）等。
图为GaN功率晶体管龙头企业专利差异
Yole表示GaN功率器件知识产权尚处在公司协商许可和供应协议阶段，如英飞凌与松下，以及Transphorm和古河电工等。到目前为止，还没有GaN功率领域的起诉案件申请，但是预计随着市场的扩张会有所改变。（本文为OFweek原创，编译Silvia）
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