三星、海力士发力，价格战一触即发

近日，有韩媒指出，今年第一季三星电子和SK海力士（SK Hynix）的半导体库存双双创下新高，满坑满谷的记忆体卖不动，三星或许因此杀红了眼。

今年Q1季末，三星电子的半导体库存达7．4万亿韩元，写下同季历史新高。SK海力士的半导体库存为2．2万亿韩元，更创下该公司史上之最。一般而言，企业都赶在新年之前尽量消化库存，Q4应是出货旺季，但Q4库存增加速度之快，几乎前所未见。

三星半导体库存连年提高，近来更急速成长。今年Q1超越7万亿韩元，和去年同期相比，Q1库存飙升了1．7万亿韩元。主要原因应是记忆体买气骤减，Q1三星记忆体部门营收年减3，700万亿韩元。

与此同时，常理上SK海力士的库存大都在1．5万亿韩元以下，不料去年年底突然暴增至1．9万亿韩元，今年Q1又一举突破2万亿韩元。SK海力士的库存资产占总资产比重一路攀升，库存爆满，其主要问题是记忆体前景欠佳，需求仍淡，业者可能会启动更激烈的杀价战，出清库存。

记忆体业凄惨，又有新技术出来抢市场，前景更为黯淡。日前，有媒体报导，“相变化记忆体”因成本太高，智慧机等行动装置无法采纳，过去15年来一直应用在光碟片等科技产品。然而，IBM现在不但降低了成本，还想出新的方法，可在每个记忆单位中储存3位元资讯、即使周遭温度较高也毫无障碍，未来可能会让记忆体领域出现巨变。

三星趁着对手SK海力士、美光转进20奈米不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝，DRAM恐怕只剩三星一家独活。

韩媒在4月网站两篇报导指出，制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20nm遇到瓶颈，原先预期记忆体产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁着对手碰壁时，夺取市占。DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，还想把DRAM市占从当前的40％、提高至近50％。

国产存储器加紧布局，有望实现“弯道超车”

这是一个得存储器者得天下的时代。存储器被普遍称为“半导体产业的皇冠”。如今正成为手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。同时，涨价侵蚀着原本竞争激烈、利润微薄的智能手机产业，一路打价格战的智能手机企业横迎来史上首次涨价潮。

存储器涨价从2016年下半年开始，到2017年DRAM价格涨幅将达到39％，NAND涨幅也将达到25％。这是由于需求增长和供给收缩。主要由于以三星、海力士为代表的企业正投入一场存储器创新竞赛，将2DNANDFlash转移至三维闪存3DNANDFlash的技术革命，以及国产品牌手机出货量持续增长，新一代iPhone产品推出，存储器产能正被大量消耗导致产能增长放缓。

国内存储器目前主要依靠进口，根据数据，我国每年进口的存储器金额约为600亿美元。为此，国家下定决心发展存储器产业。在这样的格局中，国家已经下定决心发展存储器产业，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头。

国产存储器正在南京、武汉、晋江三地建构着三足鼎立之势，2016年7月，紫光控股、国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团共同出资240亿美元成立了长江存储。长江存储主要从事3DNANDFlash的芯片与制造，旗下拥有全资子公司武汉新芯。武汉新芯成立于2006年，2008年开始量产，拥有12英寸集成电路技术研发与生产制造能力，其闪存与影像传感器制造技术位居世界前列，并且布局了物联网领域，同时从事SOC、三维集成、MCU平台等工艺技术的研发与生产。

在全球存储器产业的关键时刻，不知中国企业能够也能开拓出一片属于自己的市场。中国存储器产业起步较晚，我国作为全球最重要的存储器市场，在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下，通过自主研发关键技术与引入半导体巨头，有望实现存储器产业的“弯道超车”，在全球竞争中占有一席之地。