N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例
2018-12-20 09:24
掘芯
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四、P－MOS开关条件
P－MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。
在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在VCC，从而达到控制P－MOS管的开和关的效果，在S极和D极导通后，导通电阻Rds（on）极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。
五、P－MOS的应用
5．1 电源通断控制
P－MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。
Key开关闭合前，P－MOS管输出电压0．0164V，闭合后，P－MOS管输出电压5V。
但在实际电路中，一般都用MCU的GPIO代替Key开关来控制，同时MCU高电平时3．3V，因此GPIO输出控制信号时需要使用三极管，在这里三极管的选择也有区别。
有时候我们想要一个GPIO控制几个信号时，这就考虑到电平匹配的问题。
5．2 高电平控制电源导通，用一个NPN三极管
5．3 低电平控制电源导通，用一组PNP＋NPN三极管
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