N沟道

研华全新搭载Intel 12th Atom 系列嵌入式单板隆重上市，支持高达I3-N305性能！

研华隆重推出两款由Intel Atom x7000E系列、N系列和Core i3 N系列处理器驱动的新型单板电脑MIO-5154（3.5英寸规范）和MIO-2364（Pico-ITX规范）

研华 2024-08-30

研华工业主板AIMB-219震撼上市，搭载Intel Atom?系列i3-N305处理器

中国台湾，2024年7月——全球嵌入式物联网计算解决方案供应商研华隆重推出搭载新一代Intel Atom®平台的超薄Mini-ITX工业主板AIMB-219。它支持At

研华 2024-08-19

光耦6N135与6N137有哪些区别，该如何选择？

光耦合器通常称为光隔离器，它们由输入LED（发光二极管）和输出光电晶体管或光电达林顿晶体管组成；通过在输入和输出电路之间提供电气隔离，同时允许信号传输。这种隔离对于安全性、信号完整性和降噪至关重要。

6N135 6N137 高速光耦 2024-01-29

N型电池龙头，打响全球化制造第一枪！

光伏大洗牌愈演愈烈，N型全面淘汰P型不断提速。1月20日的央企招标中，P型组件已经报出0.79元/W的历史最低价。 P型产能在被迅速出清的同时，一体化企业的N型电池短板也正在补齐，2024年国内市场TOPCon电池产能将快速释放

N型电池钧达股份 TOPCon 2024-01-22

风向变了，美国100亿美元建H-N EUV研发中心，再造台积电？

众所周知，目前全球最牛的芯片制造企业，必然是台积电。从技术上来看，台积电是唯二掌握3nm工艺的晶圆厂，另外一家是三星。但三星目前还没有真正推出3nm的芯片，所以台积电才是遥遥领先。从市场来看，台积电一家占了全球55%+的代工份额，7nm以下的芯片，台积电占了90%的份额

台积电芯片光刻机华为中芯国际 2023-12-15

Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的 800V N沟道耗尽型MOSFET

非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用中国北京，2023年10月17日讯 – Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互

Littelfuse 2023-10-17

N-沟道功率MOSFET-MPF12N65

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。工作原理是通过控制栅极

mos管高压mos MPF12N65 2023-08-14

台湾美禄1Mbit/s高速光耦6N135

光电耦合器是一种以光作为传输信号的进行点光电的转化器件，对输入、输出电信号有良好的隔离作用，它的种类繁多，结构独特，优点突出，在各种电路中应用广泛。高速光电耦合器和光电耦合器一样，它将发光二极管和

6N135 高速光耦光电耦合器 2023-07-03

国民技术与IAR展开生态合作，IAR集成开发环境全面支持N32系列MCU

IAR Embedded Workbench for Arm集成开发环境现已全面支持基于国民技术N32 G／L／WB／A等工业与车规MCU的应用开发中国上海——2023年6月13日——嵌入式开发软件和

国民技术 IAR MCU 2023-06-13

专为分布式光伏测试而生－－ITECH艾德克斯IT－N2100系列太阳能阵列模拟器新品上市

5月26日，艾德克斯针对分布式光伏组件的测试，如微逆变器、功率优化器的测试，正式发布了高速太阳能阵列模拟器IT－N2100系列。从此，一台模拟器既可高速高精度模拟百瓦内的光伏电池板IV曲线，又可覆盖目前较大功率、较大电流的组件级光伏微逆变器或优化器的测试，对众多行业新进者无疑是一大利好

艾德克斯太阳能阵列模拟器新品 2023-05-29

阿里“1+6+N”改革，逻辑怎么变？

前言：果然马云是因为大事才回国，这一轮改革彻底打破了阿里的天花板。公司董事会主席兼首席执行官张勇在3月28日发布全员信，宣布启动公司成立以来最重要的组织变革计划，构建[1+6+N]组织架构。

阿里淘宝天猫 2023-04-06

合科泰NMOS管HKTQ50N03与HKTQ80N03应用案例

MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路。作为一家专业的分立器件

HKTQ50N03 HKTQ80N03 合科泰NMOS管 2023-02-15

Arm中国突传裁员，赔偿N+3！

2月11日，据路透社报道，其援引三位熟知内情的消息人士爆料称，日本软银集团旗下的半导体IP技术厂商安谋科技（又称Arm中国）上周裁员了90－95人，以应对今年充满挑战的业务前景与情况。研发工程师居多，

Arm中国 2023-02-13

传微软苏州大裁员补偿 N+12 ？最新回应！

2月2日，网上流传出消息称，“微软苏州大裁员，赔偿N＋12个月工资”！由于裁员福利实在过于丰厚，相关言论一出瞬间激起舆论，更有网友直言“如果是真的，请裁我”，“裁员大礼包，员工年终奖”。截图还提到，裁员后每人赔偿N＋12个月工资，并享受股票解禁和一年社保的福利

微软裁员 2023-02-03

10Mbit/s高速光耦6N137（参数、功能、原理、应用电路介绍）

　　由ISweek工采网代理的光耦—6N137是一款用直流输入与逻辑门输出10Mbit/s高速光耦合器；采用DIP8封装；具有温度、电流、电压补偿功能，输入输出隔离功能高，LSTTL/TTL兼容，5mA非常小的输入电流

6N137 高速光耦光电耦合器 2022-12-01

65W1C氮化镓PD快充电源650VMTC-MGZ31N65芯片测试报告

现如今支持PD快充协议的移动设备越来越多；而GaN氮化镓技术的出现，则让充电头在保持大功率输出的同时体积也有了显著的改善，无论是出行携带还是日常使用都十分合适。本文内容由工采网代理的GaN／氮化镓－

氮化镓 PD快充 65W 650V 2022-10-26

四川美阔推出650VGaN/氮化镓 FET增强模式- MGZ31N65

　　氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景

650VGaN 美阔 MGZ31N65 2022-10-14

IAR Systems 全面支持Renesas RZ／T2 和 RZ／N2 系列 MPU，助力实时控制和工业网络开发

IAR Embedded Workbench® 的创新工具助力加快下一代工厂自动化应用的开发，满足高性能电机控制所必需的实时性能、工业网络和功能安全等要求。瑞典乌普萨拉－ 2022

MPU 2022-09-14

这就尴尬了，台积电空有技术没客户，苹果不用3nm的N3工艺

三星称自己在6月底量产了3nm工艺，于是万众期待，大家都想看台积电的3nm什么时候量产，与三星相比又怎么样，毕竟当前能够量产3nm，且一路竞争的，只有这两家。原来台积电表示，3nm已试产，2023年上半年会量产，第一代3nm工艺称之为N3，至于客户则是苹果，也有可能会有intel，高通、联发科等

台积电苹果华为 3nm 高通 intel 2022-08-29

经典焕新升级，IT－N6900再起新征程——ITECH“N”系升级款新品IT－N6900大揭秘！

近日，ITECH新品发布会隆重召开，除了一直备受业界关注的IT7900P系列、IT8200系列交流测试解决方案正式发布以外，还有一款“N”系升级款新品揭开了神秘面纱。作为经典直流电源IT6900A系列

ITECH 2022-08-02

豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008

豪威集团 MOSFET IGBT 新能源汽车半导体 2022-06-28

Littelfuse Pxxx0S3N SIDACtors采用紧凑封装,可提供高浪涌电流过压保护

专为工厂自动化、储能系统(ESS)、电动汽车(EV)壁式充电器等工业应用而设计中国北京,2022年4月19日讯 – 致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse

紧凑封装 2022-04-19

【聚焦】半导体工艺制程不断缩小高迁移率沟道材料需求迫切

在科研力度不断加大、国家政策支持下，未来我国高迁移率沟道材料研究成果将不断增多，在半导体技术持续升级下，高迁移率沟道材料行业发展前景广阔。沟道，是场效应晶体管中源区和漏区之间的半导体薄层，是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层

半导体高迁移率沟道材料工艺制程 2022-04-07

东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源

东芝 2022-04-02

佳能珠海员工补偿方案确定：“N+1”补偿金不设上限

近日，佳能珠海公司因停产一事闹得沸沸扬扬。1月17日，员工补偿方案也正式公布出来，其中“‘N＋1’经济补偿金不设上限”的承诺因为远高于劳动法规定的标准，一经公布就立即成为外界关注的焦点。根据佳能珠海工

佳能珠海 2022-01-18

助力中国“芯”发展！国民技术N32G455系列通用MCU产品荣获第十六届中国芯“优秀市场表现产品奖”

2021年12月20日，以“链上中国芯成就中国造”为主题，由中国电子信息产业发展研究院举办的第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会在广东珠海国际会展中心成功举办。国民技术N32G455系列通用MCU产品凭借出色的市场表现，从数百款产品中脱颖而出，荣膺2021中国芯“优秀市场表现产品奖”

国民技术 2021-12-21

OPPO Find N评测：经典N系列回归？

一、前言:经典N系列回归?这款折叠屏注定惊艳全场回想OPPO N系列上一部还是在7年前,OPPO N3那极具特色的电动翻转摄像头让人过目难忘。OPPO N系列一贯爱用大胆的工业设计,去实现超前的功能。如今,N这个字母再度出现,居然和Find走到了一起

OPPO 折叠屏折叠屏手机骁龙888 2021-12-17

性能提升15%，台积电将推出新一代4nm制程技术N4X

12月17日消息，全球芯片代工厂龙头企业台积电宣布，将针对高性能运算产品推出量身定做的N4X制程工艺，台积电称该工艺是5nm家族里拥有最高性能表现及最大频率的一项制程工艺，预计将于2023年上半年进入试产阶段

台积电半导体制程工艺苹果 2021-12-17

陈明永难得更新微博，这次他为OPPO Find N加油

作者：龚进辉众所周知，OPPO掌门人陈明永非常低调，不仅鲜少出现在媒体面前，在微博等社交平台上也并不活跃。最近，他难得更新微博，仿佛失踪人口回归，为OPPO即将发布的首款折叠屏手机——OPPO Find N打Call

陈明永 OPPO Find N 2021-12-14

为台积电N3HPC流程设计工艺协同优化

来源︱semiwiki作者︱Tom Dillinger台积电最近举办了第10届年度开放创新平台 (Open Innovation Platform :OIP) 生态系统论坛。在会中不但谈及台积电N3流程节点的技术和设计支持更新,还有高性能计算(HPC)平台所推行的举措

工艺 N3HPC 功能性能 2021-11-10

台积电推出N4P制程工艺，或将用于苹果新一代处理器

据悉，在10月26日，全球晶圆代工厂龙头台积电正式宣布推出N4P制程工艺，台积电表示，N4P制程工艺是基于5nm技术平台的增强版。官方称，N4P制程加入了业界最先进、最广泛的前沿技术流程组合，在性能功

N4P 苹果台积电半导体芯片 2021-10-27

是德科技推出新一代多模时钟恢复模块产品N1077B，推动800G技术发展

自二十世纪七十年代光纤诞生以来，光通信技术引领信息技术变革，光通信以光波作为信息传输的载体，以光纤作为信息传输媒介，具有高速率、大容量、长距离等技术优势，在移动通信、光纤宽带、数据中心、消费电子、汽车电子和工业制造等领域广泛应用

是德科技多模时钟恢复模块 2021-09-16

中芯国际5大核心技术人员之一离职！曾主导“n+1”工艺芯片

7月5日消息，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”或“公司”）发布公告表示，核心技术人员吴金刚博士近日因个人原因申请辞去相关职务并办理完成离职手续。离职后，吴金刚博士不再担任公司任何职务

中芯国际吴金刚芯片芯片工艺 2021-07-05

国内垂直晶体管技术，芯片已实现0.65nm沟道长度？

芯片是由晶体管组成的，同样的面积之下，晶体管越密集，意味着芯片工艺越先进，所以每一代的芯片工艺提升，都是以缩短晶体管导电沟道的长度为目标的。这个晶体管导电沟道的长度，简称沟道长度，也就是指芯片的工艺，比如沟道长度为5nm，代表着芯片是5nm芯片

芯片华为台积电光刻机 2021-06-17

大手笔！台积电扩建12座晶圆厂，推出「N5A」制程

6月1－2日，台积电在2021年线上技术论坛上带来了先进逻辑技术、特殊技术、以及3DFabric先进封装与晶片堆叠技术的最新创新成果，同时还针对扩建晶圆厂进展进行了具体介绍。（资料源自台积电公告）扩建

台积电晶圆厂芯片工艺技术 2021-06-03

盘点M1处理器MacBook的N大不足：Intel仍香

11日,苹果发布了自研5nm M1处理器,并随之推出三款Mac产品,终于用行动表明了自己两年内将Mac切换到ARM生态,摒弃Intel x86的决心。不过,新的Mac产品并未像传言那样采用更低的起售价

MacBook 苹果 M1处理器 2020-11-12

苹果A15芯片传来消息或将采用台积电N5P制程

A14才发布没多久，苹果A15芯片的消息就也传来了。据台湾《工商时报》报道，据供应链消息，苹果研发团队正在着手开发新一代苹果A15系列处理器。报道称，应用于iPhone 13系列手机的A15 Bion

苹果A15 A15芯片台积电N5P N5P制程 2020-10-26

中芯国际N+1工艺芯片流片成功！等效7nm

10月12日消息，IP和定制芯片企业芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFET N＋1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次性通过。在半导体领域，芯片流片也就等同于“试生产”，即设计完电路以后先小规模生产几片几十片以供测试用使用，如果测试通过后就能开始大规模量产

中芯国际 N+1工艺芯片流片 2020-10-13

无须光刻机中芯国际N+1代工艺将试产

华为被禁之后,国产替代成了半导体企业关注的重点。作为中国最大,技术最先进的半导体代工厂家,中芯国际被寄予厚望。近日有媒体报道称,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产

euv光刻机中芯国际 2020-09-22

全球首发屏下摄像手机，中兴“1+2+N”战略加速年轻化转型

曾困扰业界多年的全面屏手机研发终于实现了革命性突破。9月1日，中兴手机发布了全球首款屏下摄像手机——中兴天机Axon 20 5G，为消费者带来更极致的全面屏观感体验，屏下摄像手机无疑将成为未来手机发展的新趋势，也为中兴卡位年轻消费市场提供了新的突破口。

摄像手机中兴屏下摄像 2020-09-02