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2019 IEDM：IBM和Leti
2020-08-24 10:53
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Leti
在我的Leti访谈中，我们讨论了他们与IBM的合作论文，“ Imaging， Modeling and Engineering of Strainin Gate－All－Around Nanosheet Transistors ”。在这项工作中，他们再次专注于纳米片／纳米线，他们使用透射电子显微镜（TEM）成像来成像晶格常数并测量应变。这种技术可以使应变在原子尺度上可视化。
图3展示了他们对结构所做的初始建模，模型预测的结构会承受轻微的拉伸应力。
图3．纳米片应变建模，图像由Leti提供。
他们在对沟道成像时发现的是，层间介电层（ILD）对沟道施加了压缩应力，这与建模时所期望的拉应力相反。您可以调节来自栅极堆叠和接触的应力，Leti在管理应力方面拥有很多专业知识，并且可以使用此技术校准模型。图4说明了结果。
图4．沟道应变的TEM图像，图像由Leti提供。
此处使用的应力测量技术是由Leti开发的，并使用了一系列专业技术使其更加精确和敏感。他们还发现，当您沉积非晶伪栅极后将其重结晶为多晶硅时，体积减小会产生凹穴和拉伸应变。
总结
IBM和Leti在IEDM上发表的关于Nanosheet的工作进展：改进蚀刻工艺，基于偶极子的Vt控制，在叠层下引入介电层降低寄生电容以及对纳米片叠层中应力的理解，以使Nanosheet架构朝着量产迈进。应力会影响载流子迁移率，进而影响器件性能，因此也是未来工艺优化的关键。
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