获中芯国际和华为哈勃投资！国内这家半导体企业通过科创板IPO注册
12月23日消息，近日，证监会发布公告称，我会按法定程序同意苏州东微半导体股份有限公司科创板首次公开发行股票注册，将与上海证券交易所协商确定发行日程，并陆续刊登招股文件。
东微经营状态良好，净利润增长幅度高达504．34％
据了解，苏州东微半导体最早在2021年11月19日提交了招股说明书（注册稿），注册申请科创板IPO上市。
根据招股说明书内容，东微半导体拥有逾 900 种功率半导体产品型号，特别适用于直流大功率新能源汽车充电桩、新能源汽车车载充电器、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等领域。
并且东微半导体的主要经营销售的产品为 MOSFET 产品，包括高压超级结MOSFET 及中低压屏蔽栅 MOSFET 等。在未来几年里，东微半导体将继续投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技术开发。
截止2021年9月30日，东微半导体资产总额为56364．37万元，同比增长28．79％，其2021年前三季度的总营收为为55919．47万元，同比增长183．11％，增长速度迅猛，净利润为9276．86万元，同比增长504．34％，东微半导体表示，公司的营收和净利润出现大幅度增长，主要受益于于新能源汽车充电桩、通信电源、5G基站电源等终端市场需求快速提升，客户对公司的采购规模得到大幅度增长。
（图源东微招股说明书）
本次上市成功后，东微半导体预计将募集到的资金在金扣除发行费用后，继续加码公司主营产品超级结与屏蔽栅功率器件，并用于科技与发展储备资金项目中，具体情况如下：
（图源东微招股说明书）
MOSFET市场前景良好，东微获华为哈勃、聚源聚芯增资
据Omdia统计数据显示，2020 年度全球高压超级结 MOSFET 产品的市场规模为 9．4 亿美元，并将于 2024 年达到 10 亿美元。采用超级结结构的高压 MOSFET 相对于普通高压MOSFET 具有更高的成长性，预计在高压 MOSFET 市场的占比将持续提升。
目前，东微半导体司在高压超级结技术领域拥有包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
受益于MOSFET产品良好的市场前景以及东微半导体 MOSFET 功率器件的良好表现，中芯国际控股子公司持股的聚源聚芯及华为哈勃纷纷加码东微半导体。
在2017 年 3 月 20 日，聚源聚芯与东微有限签署《苏州东微半导体有限公司投资协议》，约定由聚源聚芯向东微有限投资 2000万元，成为东微半导体第四大股东，占股11．3636％。
2020 年 4 月 29 日，哈勃投资与东微有限股东签署《增资协议》，约定哈勃投资向东微有限投资 7530万元，自此华为哈勃成为东微半导体的第6大股东，占股7％。
在经历了多次增资之后，东微半导体的前10股东与股本结构如下所示：
（图源东微招股说明书）
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