三星电子——全产业链的雄心

2021-12-24 18:14

全球半导体行业的改变以1985年《广场协定》为开端，以韩国得利、日本落败为结果。

1985年的时候，美国半导体产业协会开始向美国商务部投诉日本半导体产业不正当竞争，要求总统根据301贸易条款解决市场准入和不正当竞争的问题。1986年在美国压力下日本开放国内半导体市场并保证美国半导体20％－30％占有率。1987年又爆发“东芝事件”， 1988年 4 月，美日双方达成协议，双方共同开发 FSX 战斗机，美国有权得到所有技术，美国借此打开了获得日本技术的渠道。

1989年再次和日本签订了不平等条约《日美半导体保障协定》，开放日本半导体产业的知识产权、专利。美国还扶植了韩国来对抗日本，当时在半导体行业发展程度还比较低的韩国企业包括三星半导体在内在美国的扶持下迅速发展。美国不仅对韩国授权技术，还指导韩国获得了东芝生产线，并且疯狂挖日本企业的人才。

由此，韩国在闪存半导体领域开始壮大。1990年8月，三星正式成为世界上第三个拥有16M DRAM内存芯片的企业。美国还对韩日发动反倾销，对日本企业征收了100％的反倾销税，而对韩国只征收0．74％，在美国的帮助下，韩国的半导体产业迅速崛起，和美日呈三足鼎立之势。

整个过程对日本半导体企业打击非常严重，美国从日本身上不断获取先进技术和市场并将先进技术和一部分市场分享给韩国，日本半导体企业疲于应对，没能很好得调整策略以应对互联网通信技术市场。

到1996年韩国取代了日本成为了全球半导体产业中心，三星半导体经此过程成为世界半导体领先企业。

此后三星半导体走上了IC产业链开拓之路，与众多科技公司在IC设计开发，还有制造上的格芯、台积电竞争多年：

1993年——开辟200毫米生产线（5号线）

1994年——开发256Mb DRAM

1996年——开发业界先进的 1Gb DRAM

……

2002年——开发业界先进的 90 纳米级 2Gb NAND 闪存

……

2010年——大规模生产业界先进的20纳米级NAND闪存