干掉台积电，三星迎来了第二次机会
在芯片代工领域，三星想要干掉台积电的目标，已经提出很久了，最早可以追溯到2009年，当时三星就有一个秘密计划，称之为Kill Taiwan（干掉台湾），其实就是干掉台积电。
而在2015年的时候，其实三星找到了一次机会，那一年三星在梁孟松的主导下，从28nm跳过20nm，率先量产了14nm FinFET芯片，依靠了台积电至少半年。
鉴于三星在技术上确实是越越了台积电，于是苹果也将自己的A9芯片，分出一半交给三星代工，采用三星14nm工艺，另外一半则是台积电16nm，这搞得台积电压力山大。
不过后来，随着A9芯片发布，大家发现虽然三星14nm看起来更领先，但实际使用的效能与良率输给台积电。
所以到A10时，苹果还是将订单给了台积电，放弃了三星。
事实上，如果三星在10nm时，还能够领先台积电，并保持好的功耗等，还是有机会超过台积电的，毕竟14nm时已经领先了啊。
而在10nm上时，三星也是领先台积电，率先推出了10nm。但是，可能由于技术问题，10nm芯片变成了火龙，高通835就是最好的例子。
于是三星超过台积电的第一次机会，就这样失去了，最后到7nm、5nm，三星都在技术上，不如台积电。
不过，今年三星又迎来了第二次干掉台积电的机会。
在3nm工艺上，三星领先台积电，再次率先实现量产了，就如当初的14nm FinFE工艺一样。并且三星率先实现了GAAFET晶体管技术的量产。
按照三星的说法，3nm芯片相比于自己的5nm芯片，性能提升了23％，功耗降低了45％，芯片面积缩小了16％。
而第二代3nm工艺，功耗降低达 50％，性能提高 30％，面积减少 35％，比第一代又提升很多。
很明显，三星只要保证良率，在能耗上表现出色，同时产能跟上来，那么这一次是非常有可能干掉台积电的。
当然，3nm还只是开端，更关键的是2nm，毕竟工艺的竞争，一代还不够，两代保持住领先，基本上有戏了。
所以为了干掉台积电，三星还为自己找了一个最强大的盟友，那就是美国，日本将与美国合作，最早于2025年在本土量产2纳米芯片。
接下来就看三星能不能好好利用住自己在3nm上领先的优势，再在2nm时把优势扩大了，如果能，那么非常有可能真的要把台积电干掉了。
原文标题 : 干掉台积电，三星迎来了第二次机会
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