晶体
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村田首款在-40～125°C的宽工作温度范围内 实现±40ppm频率偏差的高精度汽车用晶体谐振器
主要特点 兼具高精度和宽工作温度范围 实现了高可靠性和低故障率 确立了稳定的供应体制 株式会社村田制作所（以下简称“村田”）开发了村田首款&nbs
村田 2024-11-14 -
安芯微ICPL-817_晶体管光耦 80V直流输入型光耦合器
由工采网代理的ICPL-817是一款性能优越的晶体管光耦合器，适用于各种电子设备中的高压电路控制和隔离应用。它具有80V直流输入型设计，提供可靠的隔离和驱动功能，同时具有高速、小尺寸、低功耗和长寿命等优点；可在高压环境下稳定工作，提供可靠的隔离和驱动功能
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【聚焦】双极型晶体管（BJT）应用需求增长 高性能产品市场占比不断提升
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）属于高性能双极型晶体管，其兼具场效应晶体管以及双极型晶体管的优点，在化工、纺织、冶金、汽车制造、电力系统等众多领域应用广泛。 双极型晶体管（BJT）全称为双极性结型晶体管，指由两个PN结构成，可引出三个电极的晶体管
双极型晶体管 2024-05-08 -
台积电：2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
快科技12月28日消息，IEDM 2023国际电子元件会议上，台积电公布了一份野心勃勃的半导体制造工艺、封装技术路线图，已经规划到了2030年。 眼下，台积电正在推进3nm级别的N3系列工艺，下一步
台积电 2023-12-28 -
MPC814 DIP4封装交流输入光电晶体管耦合器
晶体管光电耦合器是一种将光信号转换为电信号的器件，其工作原理是通过光电二极管将光信号转换为电流信号，然后经过晶体管放大，输出相应的电压信号；具有高转换效率较高的灵敏度和快速响应等特点。 由工采网
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Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔
氮化镓功率半导体 2023-10-19 -
AMD发布全新GPU：拥有1530亿晶体管！
美东时间6月13日，AMD举办了新品发布会，ADM最先进GPU Instinct MI300重磅亮相！据AMD CEO苏姿丰介绍，生成式AI和大语言模型（LLM）需要电脑的算力和内存大幅提高。她预计，
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意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 （iso－buck） 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69
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ULQ2003ADR芯片 NPN晶体管驱动器
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管
ULQ2003ADR芯片 2023-04-17 -
突破！北大制造出速度最快、能耗最低，10nm二维晶体管
我们知道，芯片是由晶体管组成的，一个晶体管就是一路电流，代表着一个0与1的开关换算，这样的开关越多，芯片性能就越强，所以对于一颗芯片而言，晶体管越多，性能的性能就越强。 而晶体管里面又含有三个部分，
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902亿晶体管谁敢比！AMD Zen4 IO内核、3D缓存首次揭秘
AMD Zen4架构和CCD计算内核设计已经没什么秘密了，但是做辅助的IOD输入输出内核一直比较神秘。直到最近的IEEE ISSCC国际固态电路大会上，AMD终于揭开了它的神秘面纱。AMD Zen4处理器无论消费级锐龙，还是服务器级霄龙，CCD部分都是台积电5nm工艺，最多8个核心
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MPC816光耦合器 直流输入、光电晶体管输出完美代替CT816
光电耦合器的功能是将输入的交流电信号转化为光信号，以便于传输是一种将电信号转换成光信号的器件；其特征是：用透明介质做成光通道；有可调的折射率使光能顺利通过；在接收端可检测到两个不同光通量、不同波长和频率
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直流输入光晶体管耦合器MPC356引脚图及功能
耦合器以光为媒介传输电信号；它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大；所以，它在各种电路中得到广泛的应用；已成为种类多、用途广的光电器件之一 由工采网
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1460亿个晶体管！AMD带来史上最大芯片：13芯片合一！
1月8日，CES 2023展会上，AMD披露了面向下一代数据中心的APU加速卡产品Instinct MI300。这颗芯片将CPU、GPU和内存全部封装为一体！大幅缩短了DDR内存行程和CPU－GPU PCIe行程，从而大幅提高了其性能和效率
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复旦大学新技术：芯片工艺不变，但晶体管集成密度翻倍
众所周知，芯片都是由晶体管组成的，晶体管越多，芯片性能越强。而每一代工艺的进步，其实最终都是为了在有限的芯片面积中，塞进更多的晶体管。而所谓的XX纳米工艺，其实最终代表的是也晶体管与晶体管之间的距离远近（实际XX纳米不是指晶体管间的距离）
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芯片晶体管数量提升1亿倍，摩尔定律还会消亡吗？
近期，英特尔（Intel）宣布其研究人员预见到一种通过改进封装和厚度仅为3个原子的材料层使芯片密度提高 10 倍的方法。据悉，在2022年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔发布9篇研究论文，公布多项技术突破，强调公司追求新的2D晶体管材料和3D封装解决方案的计划
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四川美阔推出LSOP4封装直流输入晶体管光耦合器-MPC101X系列
光耦合器是一种半导体光电器件，它将发光器件和光敏器件密封在同一外壳的中间，并转换电信号；可以很好地隔离输入信号和输出信号；以确保它们可以被光电探测器接收到，从而达到预期的目的。发光器件通常是发光二极管，除了光电二极管之外，还有光电晶体管、光敏电阻、光电晶体管等等
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AI芯天下丨热点丨三星率先开启GAA晶体管时代，先进制程之战进入白热化
前言：尽管跌跌撞撞，但三星依旧全力推进，终于抢在台积电之前，成功量产了3nm。然而，虽然在3nm工艺上三星拔得头筹，但这并不代表三星在芯片代工市场上就能够一帆风顺。作者 ｜ 方文图片来源 ｜ &nbs
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800亿晶体管开启新一轮堆料大战
1947年12月23日，世界上第一个晶体管诞生。晶体管的出现就好像宇宙的第一次爆炸。如同大爆炸带来的万千星球，75年间世界上晶体管的数量不断增长。从一个晶体管到在一片芯片上集成800亿个晶体管，当芯片以摩尔预测的那样成倍增长，“堆料”成为各个大厂实现性能差异化的必选之路
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台积电将推出5nm汽车电子平台和2nm新晶体管架构
①台积电将推出5nm汽车电子平台和2nm新晶体管架构在中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD 2021）上，台积电（中国）总经理罗镇球表示，台积电将于明年3月推出
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索尼全球首发双层晶体管堆叠式CIS技术
①索尼全球首发双层晶体管堆叠式CIS技术索尼半导体解决方案宣布其已成功开发出全球首个双层晶体管像素堆叠式CIS技术。新技术让光电二极管分别置于不同的基片层。使独立优化光电二极管和像素晶体管架构成为了可
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多了38亿晶体管，为何苹果A15芯片的性能却没有明显提升？
自从iPhone13发布后,大家就关注到了苹果新的芯片A15。按照苹果的说法,A15的CPU比对手领先50%,然后iPhone13mini/iPhone13上的A15是4核GPU,所以比对手领先30%,而Pro两款上的A15是5核GPU,所以比对手领先50%
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晶体管结构新变革：未来GAA的机遇与挑战并存
来源 | semiengineering文︱BRIAN BAILEY编译︱编辑部随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战
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Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性
MJD系列现已上市，涵盖2 – 8 A和45 – 100 V，且增强了Nexperia的功率产品组合奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率双
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主营电子元器件，惠伦晶体再次大幅涨价
大家好,我是经观君。每天一只股票,每天一篇文章,帮你节省大佬们动辄上百万的调研成本。昨天的大跌,直接原因是政策导致。今天上证指数失守3400,市场开始恐惧了。并非阴谋论,除了恐惧你还能找到其他原因吗?新兴行业的半年报业绩都是大涨,地产、银行已经杀过了,市场的基本面和逻辑面都没问题
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紫光16nm路由芯片曝光：256核心、180亿晶体管
近期，关于紫光集团被债权人申请破产的消息引发了全网持续的关注。但其实大家都清楚，作为国内芯片产业链布局最广的紫光集团，旗下有紫光股份、紫光展锐、紫光国微、长江存储等一系列优质企业，本身并没有什么危机。且当前这些企业都处于正常运营之中，比如紫光股份近日就曝光了旗下16nm的路由器芯片
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汇川技术投资同光晶体，布局第三代半导体
“或能为汇川技术在新能源汽车领域的产品带性能提升和成本优化。”作者:Kyle出品:财经涂鸦据清科私募通消息,近日,河北同光晶体有限公司(下称“同光晶体”)完成数亿元Pre-IPO轮融资,本次投资方包括
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国内垂直晶体管技术，芯片已实现0.65nm沟道长度？
芯片是由晶体管组成的，同样的面积之下，晶体管越密集，意味着芯片工艺越先进，所以每一代的芯片工艺提升，都是以缩短晶体管导电沟道的长度为目标的。这个晶体管导电沟道的长度，简称沟道长度，也就是指芯片的工艺，比如沟道长度为5nm，代表着芯片是5nm芯片
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泛林集团计算产品部副总裁David Fried博士：晶体管与IC架构的未来
泛林集团计算产品部副总裁David Fried接受了行业媒体Semiconductor Engineering （SE）的采访，探讨并分享他对于芯片缩放、晶体管、新型架构和封装等话题的看法。以下内容节选自采访原文
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砷化镓衬底研发商通美晶体拟科创板挂牌上市
全球GaAs晶片市场2020年-2026年CAGR约为10%。本文为IPO早知道原创作者|刘小七微信公众号|ipozaozhidao据IPO早知道消息,北京通美晶体技术股份有限公司(下称“通美晶体”)已同海通证券签署上市辅导协议,并于近日在北京证监局备案,拟科创板挂牌上市
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台积电披露2nm关键指标：引入纳米片晶体管
台积电今天线上举办2021年度技术研讨会,公布了未来新工艺进展,6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息传来。2nm目前是各大半导体巨头角逐的制高点,IBM甚至已经在实验室内搞定,率先公布了2nm芯片,而除了台积电、三星两大代工巨头,欧洲、日本也在野心勃勃地规划
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内含2．6万亿个晶体管巨无霸型芯片，性能有多强大？
近日，半导体企业Cerebras Systems发布了WSE－2芯片，这款芯片采用台积电的7nm工艺制程，内置2．6万亿个晶体管，芯片面积巨大。
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Nexperia首次推出用于48V汽车和其他更高电压总线电路的80V RET（配电阻晶体管）系列
2021年1月12日，半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量，可用于48 V汽车板网（
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历史上的今天：1947年，晶体管问世
在73年前的今天，1947年12月23日（农历1947年11月12日），晶体管问世。1947年12月23日，美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士，在导体电路中进行用半导体晶体放大声音信号的实验时，发明．了科技史上具有划时代意义的成果一一晶体管
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全球首个5nm制程5G手机华为Mate40发布：集成150亿+晶体管
Mate40系列手机搭载麒麟9000 5G SoC芯片,领先的5nm制程工艺,集成150亿+晶体管,性能跨越式升级,功耗大幅降低。众所期待的华为Mate 40系列于今日晚8点正式发布,华为消费者业务CEO余承东此前曾表示,“华为领先全球的麒麟系列芯片在9月15日之后无法制造,将成为绝唱
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碳基计算机时代来临，首个完全碳基的晶体管金属线被成功制造
当前智能手机、电脑登电子设备已成为人们生活中不可或缺的一部分,更高的运行速度、更加持久的用电量一直是我们追求的目标,如何实现这些更优的性能,离不开晶体管研究领域的技术突破。为打破传统硅基芯片发展面临的物理制约瓶颈
碳基计算机 2020-09-25
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