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AI芯天下丨热点丨三星率先开启GAA晶体管时代,先进制程之战进入白热化
前言:尽管跌跌撞撞,但三星依旧全力推进,终于抢在台积电之前,成功量产了3nm。然而,虽然在3nm工艺上三星拔得头筹,但这并不代表三星在芯片代工市场上就能够一帆风顺。作者 | 方文图片来源 | &nbs
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三星2023年造3nm,2025年量产GAA的2nm芯片
据韩媒报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司台积电。
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3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电
虽然在2021年时,大家就都知道2022年会是3nm芯片的量产之时,因三星、台积电都有过表示,但具体是什么时候,大家都没有细说。而近日,终于传出了确切消息,那就是三星代工市场战略团队负责人Moonso
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三星宣布:3nm芯片明年量产,GAA技术
众所周知,目前全球最强的两家芯片制造企业就是台积电、三星了,去年就进入了5nm。而其它芯片制造企业,包括intel,都没有进入10nm以下。而按照台积电、三星的计划,2022年会进入3nm,至于具体到什么时候,则没有太确切的说法,当然两家厂商,都想先对方一步
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晶体管结构新变革:未来GAA的机遇与挑战并存
来源 | semiengineering文︱BRIAN BAILEY编译︱编辑部随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管),芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革,这给设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战
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台积电2nm进展超预期 将采用GAA技术
根据产业链消息人士透露,台积电目前2nm工艺进展非常快速,超过了预期。据悉,台积电2nm工艺将不再继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),会转而采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。此前的一个活动上,台积电高级副总裁Kevin Zhang表示,台积电将投入8000名工程师,攻坚2nm工艺
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FinFET寿终正寝!台积电2nm GAA工艺结束路径探索阶段
当前,最先进的芯片已经采用了5nm工艺(苹果A14),这在另一方面也意味着,晶圆代工厂商们需要更加马不停蹄地推进制程技术的迭代。来自Digitimes的最新报道称,台积电2nm GAA工艺研发进度提前,目前已经结束了路径探索阶段
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为了5nm工艺地位,英特尔发力GAA
不可否认,5nm制程的演进是各项技术和产业逐步成熟、变革的必经之路,亦是根基。5nm是核心工艺的重要节点5nm先进制程已不仅仅是代工厂商之间的战争,它亦是核心工艺和半导体材料走到极限的重要转折节点。当
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2018年GaA射频器件收入将飙升至80亿美元
GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入记录后,有望在今年突破70亿美元大关,预计到2019年总收入将飙升至峰值80亿美元。
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