EUV光刻机

三星Galaxy S25 ultra最新曝光真是绝了：安卓机皇不容置疑！

文｜明美无限近期，多方消息源透露，三星将于2025年1月22日举办 Galaxy Unpacked 活动，带来Galaxy S25系列新机和One UI 7.0系统更新。距离新机发布时间越来越近，更多外观和配置信息也陆续出现了

三星GalaxyS25ultra 2024-12-24

镓、锗、光刻胶、超纯石英等，那些影响全球半导体的关键材料

去年以来，中国对镓、锗、锑、超硬材料、石墨等两用物项实行了出口管制措施。 12月3日，商务部发布“关于加强相关两用物项对美国出口管制的公告”：禁止两用物项对美国军事用户或

半导体镓锗光刻胶 2024-12-23

小米15 Ultra超强性能全曝光：影像安卓手机天花板！

文｜明美无限前两个月小米发布了全新小米15和小米15 Pro，按照产品更新节奏来看，2025年第一季度预计将带来小米15 Ultra，最近关于15 Ultra的爆料多了起来，今天又有新消息。这不近日，有媒体发现，小米15 Ultra系列已于2024年12月4日获3C认证

小米15Ultra 2024-12-16

传光刻机巨头ASML芯片机密再被“偷盗”！

据荷兰媒体《NOS》报道，一名43岁的前ASML员工因涉嫌窃取ASML和芯片技术公司Mapper Lithography的微芯片手册等文件被指控，目前荷兰庇护和移民部已对其实施了为期20年的入境禁令。

光刻机 ASML 芯片 2024-12-09

国产EUV光刻机，万众瞩目，成美国芯片禁令的破局点

虽然有什么NIL纳米压印技术、又有什么BLE电子束技术，但是，目前在芯片的大规模制造中，全部是采用光刻技术。而在芯片制造的光刻技术中，最重要的就是光刻机，没有替代品。全球光刻机市场，主要掌握在

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-12-09

美国阻止中国大陆诞生台积电、英伟达，国产EUV光刻机成关键了

如果是关注芯片产业的人，应该都清楚，最近这5年以来，美国对中国半导体的打压是越来越厉害。之前各项禁令的目标，明确是要锁死我们的逻辑芯片在14nm，DRAM在18nm，NAND闪存在128层，然后限制任何能够制造这些先进芯片的设备，出口到中国来

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-12-04

三星大幅削减3D NAND生产中的光刻胶使用量

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合三星降本，供应商发愁。三星电子在其最新的 3D NAND 闪存光刻工艺中减少了厚光刻胶（PR）的使用，让成本大幅节约。然而，这一举措可能会影响其韩国供应商东进世美肯

三星电子光刻胶 2024-12-02

EUV光刻机这么重要，为什么我们不能拆了，1:1山寨出来？

在当前的芯片制造工艺（光刻工艺）下，EUV光刻机是进入7nm芯片工艺以来，必不可少的机器，没有替代品。但EUV光刻机，全球仅有一家企业能够制造，它就是ASML，没有其它的了。所以，制造出EUV

EUV 光刻机 ASML 2024-12-02

EUV光刻机巨头风云争夺战

前言：各大巨头在未来仍将围绕High-NA EUV设备展开激烈竞争，争相导入或宣布市场进展，预示着半导体行业将迎来新一轮技术革新。目前，英特尔、台积电、三星、SK海力士等晶圆制造大厂已纷纷对High-NA EUV光刻机表现出强烈的关注与行动

电子工程 EUV光刻机 ASML 2024-11-28

三星Galaxy S25 Ultra多重曝光：不愧是安卓机皇！

文｜明美无限随着2024年的缓缓落幕，科技界的目光已经聚焦于即将到来的新一代智能手机。其中，三星作为智能手机行业的领头羊，其下一代旗舰手机Galaxy S25 Ultra的传闻更是掀起了广泛讨论。

三星GalaxyS25Ultra 2024-11-27

ASML画饼，将芯片工艺推至0.2nm了，好自己卖光刻机

在目前的芯片产业链里，ASML的光刻机，应该是最强有力的纽带了。因为任何芯片工艺的进步，都离不开光刻机，且全球只有ASML这么一家能够制造EUV光刻机的厂商，所以说ASML就是全球芯片产业的“皇上皇”

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-11-26

部署High-NA EUV光刻机，台积电2nm要来了

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。据悉，台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机

台积电2nm High-NA EUV光刻机 2024-11-25

手机soc厂商都逐渐在探索自研架构

前言：手机公司造芯，有人及时止损，更多人在继续前行。目前手机SoC厂商正逐步从传统的ARM架构转向自研架构的开发。这一趋势不仅体现了行业深层次的技术革新，也反映出全球科技竞争的加剧。作者&

电子工程手机soc 2024-11-25

高通联发科齐发牌，国产旗舰机涨价上桌

前言：在这一行业竞争激烈的背景下，以及AI技术不断升级的推动下，手机制造商与芯片制造商之间自然形成了一种价格上的相互适应。作者 | 方文三图片来源 | &nb

电子工程高通联发科 2024-11-21

手机 soc 厂商自研架构成趋势

最近，因为三年前的一起收购案，业内最重要的芯片设计架构公司Arm与合作多年的大客户高通关系破裂。而双方矛盾的导火索源于高通在2021年收购的一家初创公司Nuvia。Nuvia是由前苹果工程师2019年创办的芯片设计架构公司

半导体 soc厂商诺基亚处理器驱动自研芯片 2024-11-14

北斗短报文SoC芯片，成功推广至国内五大手机品牌

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合北斗芯片累计出货超800万颗。近日，电科芯片在接受机构调研时表示，目前，北斗短报文SoC芯片已成功推广至国内五大主流手机厂商，并被应用于近期发布的多款中高端智能手机及智能手表中，为公司经营效益与盈利结构的优化注入了新动力

SoC芯片北斗短报文 2024-11-12

苹果手机销量下滑，果链上的长盈精密却能净利润增长380倍？

尽管中国许多企业在近年来取得的成绩有目共睹，不少领域都呈现出高歌猛进和势如破竹的爆破式发展，但有些行业，任何人都得承认，必须靠“蹭热度”和供货国际巨头企业，才能有效证明自己的最大价值

苹果果链长盈精密 2024-11-11

美国，重金砸向EUV技术

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合一场价值不菲的科技豪赌。据报道，美国政府投资价值约10 亿美元的研究中心，以开发下一代极紫外光（EUV）制程技术，挑战荷兰产业领导者艾司摩尔（ASML)

EUV 极紫外光刻机 2024-11-05

一个尴尬的事实：国产机涨价，钱却都是高通、台积电赚走了

近日，小米15系列正式发布，告别了3999元，起步就要4499元了，涨了500块。事实上，不只是小米，可以预计到的是，接下来其它手机厂商们的旗舰手机，都会涨价，为什么会涨价，原因就是零部件成本

小米高通芯片台积电 2024-11-04

突然爆雷！“非洲手机之王”，暴跌41%！

“非洲手机之王”突遭滑铁卢。 10月28日，称霸非洲手机市场的传音控股披露了最新业绩，其中显示，营收、净利润双双下滑，净利润同比暴跌超41%。值得注意的是，传音控股的负面危机接踵而至，涉及诉讼、高管层出事

非洲手机传音控股 2024-11-01

华为Mate 70最新配置曝光真是猛：不愧是年度机皇！

文｜明美无限华为今年下半年最受瞩目的新品无疑是Mate 70系列。在9月份推出独领风骚的三折叠屏Mate XT后，华为又在10月份发布了nova13系列。等到下个月，华为还有两大旗舰要和我们见面：Mate70系列和MateX6系列

华为Mate70 配置 2024-11-01

ASML的光刻机，难以成为美国控制全球芯片的工具了

不管大家承认不承认，虽然ASML是荷兰的，但其实它更像是美国的，因为它听美国的话，美国让它不卖给谁，它不敢不听。所以ASML的EUV光刻机，不卖给中国、俄罗斯等国家，后来连浸润式DUV光刻机，也进行了限制，不能随便卖，需要许可证

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-10-30

小米的3nm和燕东微用的光刻机

文：诗与星空 ID：SingingUnderStars 最近一则消息沸沸扬扬，北京电视台在一次例行的新闻播报中，称小米自研了3nm的手机芯片。开香槟的和冷嘲热讽的皆有之，后者居多

小米光刻机燕东微 2024-10-28

有点尴尬，高通不发布芯片，国产机们就无法发布旗舰手机

小米的数字系列旗舰手机小米15系列，正式官宣了，将于10月29日发布。不出意外，正如在高通芯片发布会上说的那样，小米15系列，将首发高通最新的旗舰芯片--骁龙8Elite（骁龙8至尊版）。然后，荣

小米高通芯片 2024-10-27

智能手机SoC大决战！胜负已分！

随着智能手机市场的不断演进，旗舰级SoC（系统级芯片）的性能竞争愈发激烈。今日，高通最新发布其备受瞩目的新品——骁龙8至尊版，而联发科的天玑9400也在本月早些时候荣登舞台。这两款芯片究竟谁更胜一筹？让我们来一探究竟

高通骁龙8至尊版 SoC 联发科天玑9400 芯片 2024-10-25

被华为刷屏的脑机接口芯片，有多前沿

?最近，华为最新公布的脑机接口芯片专利刷屏了朋友圈。据国家知识产权局网站，一份名为“控制刺激器的方法、刺激器、脑机接口系统和芯片”的专利公布在国家知识产权局网站，专利发明人为华为技术有限公司；该专利提供了一种控制刺激器的方法、刺激器、脑机接口系统和芯片

半导体华为脑机接口芯片控制刺激器神经芯片 2024-10-25

手机行业混战从未停歇，扒一扒那些年转身离开的前高管们

作者：龚进辉 最近，随着联发科、高通最新旗舰芯片的发布，手机市场又变得热闹起来，一大波旗舰机扎堆来袭。不过，我并不想讨论哪款旗舰机的性能、AI特性最顶，而是想盘点一下那些曾经征战手机市场如今却转身离开的前高管们，他们已开启新的人生篇章

罗永浩常程李楠 2024-10-22

130万红外像素6公里探测距离Raythink燧石技术多光谱中型云台摄像机发布

摘要：10月22日，燧石技术在北京安博会展出了旗下Raythink品牌红外热成像新品：PC5系列多光谱中型云台摄像机。 10月22日，燧石技术在2024中国国际社会公共安全产品博览会（“安博会”

Raythink燧石 2024-10-22

手机续航能力不断提升，移动电源主动求变

前言：移动电源，作为一种集供电和充电功能于一体的便携式充电器，已成为智能手机、平板电脑等移动设备不可或缺的伴侣。但随着智能手机续航能力的不断提升，也对移动电源市场产生了不小的冲击。作者&nbs

电子工程移动电源 2024-10-21

天玑9400发布，手机处理器用上PC级CPU架构

前言：在当今AI大模型的推动下，智能手机的高端化进程正以前所未有的速度推进。旗舰机型的竞争已不仅仅局限于单一的性能比拼，而是全面考量其综合素质。特别是在手机芯片这一核心领域，如何在确保高性能的同时，实现低功耗与高能效比的平衡，成为了关键所在

电子工程天玑9400 2024-10-17

业绩暴雷！ASML股价继续大跌：想卖先进光刻机给中国厂商但不被允许

快科技10月17日消息，由于业绩暴雷，这导致光刻机龙头ASML股价暴跌，而两天时间股价已跌超20%。据官方公布的数据看，阿斯麦（ASML）今年第三季度接到的订单大幅减少，总订单金额约为26亿欧元，不到上一季度近56亿欧元的一半

ASML 光刻机 2024-10-17

全球光刻机巨头业绩“爆雷”，阿斯麦单日股价跌幅创26年之最

日前，全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）发布的财报，由于财报数据远低于预期，阿斯麦的股价在短时间内出现了大幅波动，创下了近年来的单日最大跌幅。阿斯麦发布的财报显示，公司在2024年第三季度的订单额仅为26.3亿欧元，环比下降53%，远低于市场预期的53.9亿欧元

光刻机阿斯麦 2024-10-16

马斯克的新愿景对准盲人，Neuralink下一代脑机接口已获批

前言：在人类对于自身认知和与机器交互方式的不断革新的过程中，马斯克正引领着脑机接口技术迈向一个全新的纪元。作者 | 方文三图片来源 | 网络&n

电子工程马斯克 Neuralink 2024-10-08

国产光刻机公开后，ASML慌了，请求美国放开限制，自由贸易

目前几乎所有的芯片制造技术，均是基于光刻工艺来的。而光刻工艺中，最重要的设备，就是光刻机。目前全球仅4家厂商，拥有前道光刻机生产能力，分别是荷兰的ASML、日本的佳能、尼康，中国的上海微电子。

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-10-01

佳能NIL设备出货：不需要EUV，制造5nm芯片，成本低90%

目前制造7nm以下芯片，全部采用光刻技术。而EUV光刻机，则是制造7nm以下芯片，必不可少的设备，全球只有ASML一家能够生产，最便宜的EUV光刻机，都需要1.5亿欧元左右一台。而像三星、台积电、

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-09-27

黎巴嫩对讲机爆炸之前，中国对讲机企业已经被美打压了一年多

作者 | 梦萧了解更多金融信息 | BT财经数据通正文共计3503字，预计阅读时长9分钟 “黎巴嫩对讲机爆炸之前，中国对讲机企业已经被美打压了一年多。”

对讲机海能达 2024-09-25

中国手机决战亚非拉

文 | 小卢鱼编辑 | 杨旭然 9月6日，传音控股CFO肖永辉被丹东市振安区监察委员会采取留置措施及立案调查的消息，引起市场关注与公司股价震荡。9月9日至9月13日，传音控股的股价在五个交易日内累计下跌了5.94%

亚非拉传音智能手机 2024-09-24

美国封锁失败，努力6年后，国产光刻机从90nm，跨进65nm

众所周知，全球前道光刻机（非后道光刻机）的主要玩家就4家，分别是荷兰的ASML，日本的尼康、佳能，中国的上海微电子。但如果从市场份额来看，ASML占了85%以上的份额，然后尼康、佳能又占了15%左右，上海微电子的份额几乎为零

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-09-17

聊聊套刻精度≤8nm的国产光刻机，究竟怎么回事

近日，在工业和信息化部发布的资料中，大家看到两台国产氟化氩光刻机。其中一台写着晶圆直径300mm，波长248nm，分辨率≤110nm，套刻精度是≤25nm。而另一台写着晶圆直径300mm，波长193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm