光刻胶
光刻胶（Photoresist），别称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。它是由感光树脂、增感剂和溶剂组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光查看详情>刻胶，可在表面上得到所需的图像。
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进军光刻市场，中国第一大芯片设备厂商，向ASML起冲锋？
在半导体设备这个领域中，光刻机一直是最大家关注的设备。 原因是中国的光刻机技术，确实落后，按照专业人士的说法，如果与全球最顶尖的水平相比，可能落后在15-20年，这个差距不可谓不大。 同时，ASM
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ASML追随美国，不卖光刻机给中国损失惨重，不再公开数据
全球最大的光刻机企业ASML日前表示不再公开对中国销售光刻机的数据，此举可能是它在反思此前公布数据，导致美国追溯相关的数据，导致企业的商业机密可能因此泄露，这对于它的经营不利。 大约从2019年开始
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EUV光刻，新的对手
最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。 这一进步，可能为新一代&ld
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俄罗斯芯片自研突破，死磕光刻机
前言： 近日媒体报道，俄罗斯自研出EUV光刻机。这一重大突破或将打破ASML在该领域的技术垄断，为全球半导体产业带来新的变革。 作者 | 方文三 图片来源 | &n
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镓、锗、光刻胶、超纯石英等，那些影响全球半导体的关键材料
去年以来，中国对镓、锗、锑、超硬材料、石墨等两用物项实行了出口管制措施。 12月3日，商务部发布“关于加强相关两用物项对美国出口管制的公告”：禁止两用物项对美国军事用户或
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传光刻机巨头ASML芯片机密再被“偷盗”！
据荷兰媒体《NOS》报道，一名43岁的前ASML员工因涉嫌窃取ASML和芯片技术公司Mapper Lithography的微芯片手册等文件被指控，目前荷兰庇护和移民部已对其实施了为期20年的入境禁令。
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三星大幅削减3D NAND生产中的光刻胶使用量
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 三星降本，供应商发愁。 三星电子在其最新的 3D NAND 闪存光刻工艺中减少了厚光刻胶（PR）的使用，让成本大幅节约。然而，这一举措可能会影响其韩国供应商东进世美肯
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EUV光刻机这么重要，为什么我们不能拆了，1:1山寨出来？
在当前的芯片制造工艺（光刻工艺）下，EUV光刻机是进入7nm芯片工艺以来，必不可少的机器，没有替代品。 但EUV光刻机，全球仅有一家企业能够制造，它就是ASML，没有其它的了。 所以，制造出EUV
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EUV光刻机巨头风云争夺战
前言： 各大巨头在未来仍将围绕High-NA EUV设备展开激烈竞争，争相导入或宣布市场进展，预示着半导体行业将迎来新一轮技术革新。 目前，英特尔、台积电、三星、SK海力士等晶圆制造大厂已纷纷对High-NA EUV光刻机表现出强烈的关注与行动
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部署High-NA EUV光刻机，台积电2nm要来了
本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。 据悉，台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机
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小米的3nm和燕东微用的光刻机
文：诗与星空 ID：SingingUnderStars 最近一则消息沸沸扬扬，北京电视台在一次例行的新闻播报中，称小米自研了3nm的手机芯片。 开香槟的和冷嘲热讽的皆有之，后者居多
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业绩暴雷！ASML股价继续大跌：想卖先进光刻机给中国厂商 但不被允许
快科技10月17日消息，由于业绩暴雷，这导致光刻机龙头ASML股价暴跌，而两天时间股价已跌超20%。 据官方公布的数据看，阿斯麦（ASML）今年第三季度接到的订单大幅减少，总订单金额约为26亿欧元，不到上一季度近56亿欧元的一半
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全球光刻机巨头业绩“爆雷”，阿斯麦单日股价跌幅创26年之最
日前，全球光刻机巨头阿斯麦（ASML）发布的财报，由于财报数据远低于预期，阿斯麦的股价在短时间内出现了大幅波动，创下了近年来的单日最大跌幅。 阿斯麦发布的财报显示，公司在2024年第三季度的订单额仅为26.3亿欧元，环比下降53%，远低于市场预期的53.9亿欧元
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被美国要求不能帮中国厂商维修、更不能卖光刻机：ASML称要反击了
快科技9月5日消息，据国内媒体报道称，ASML CEO公开回应了对华出口限制，他们会有更多应对措施（反击措施）。 荷兰计算机芯片设备供应商ASML首席执行官Christophe Fouquet当地时
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可量产0.2nm工艺！ASML公布超级EUV光刻机：但死胡同也不远了
ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。 ASML
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光刻巨人倒下，他如何带领阿斯麦称霸半导体？
图片来源：nrc.nl by Dieuwertje Bravenboer 地时间6月11日晚间，总部位于荷兰的光刻机巨头阿斯麦（ASML）在社交平台上发文，悼念阿斯麦创始人之一维姆?特罗斯特（WimTroost）
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光刻机巨头ASML创始人逝世：享年98岁
快科技6月12日消息，光刻机巨头ASML公司11日发文，悼念ASML创始人之一维姆·特罗斯（Wim Troost）离世。 据报道，维姆·特罗斯于6月8日逝世，享年98岁。 ASML公司表示：“Wim Troost去世了
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美国芯片管控引ASML吐槽：倒逼中国厂商造出更先进光刻机
快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公开表示，美国严厉的芯片管控规定，只会倒逼中国厂商进步更快。 ASML CEO表示，多年来，公司都不用担心设备的去向会受到政治限制，但突然之间，这却变成了全世界最重要的话题之一
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3.8亿美元/台！台积电今年将拿到最新款光刻机：曾表态华为追不上我们
快科技6月6日消息，据外媒报道称，ASML将在今年向台积电交付旗下最先进的光刻机，单台造价达3.8亿美元。 报道中提到，ASML首席财务官Roger Dassen在最近的一次电话会议上告诉分析师，公司两大客户台积电和英特尔将在今年年底前获得所谓的高数值孔径（高NA）极紫外（EUV）光刻系统
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【洞察】离子束光刻胶（IBL光刻胶）主要用于离子束光刻技术中 我国市场空间有望扩展
未来随着离子束光刻技术不断进步，离子束光刻胶行业发展态势将持续向好。 离子束光刻胶又称IBL光刻胶，指专用于离子束光刻工艺的光刻胶。离子束光刻胶具有化学稳定性好、分辨率高、耐辐射、热稳定性好等优势，在纳米压印技术、纳米科学研究、微电子制造以及生物医学领域拥有广阔应用前景
离子束光刻胶 2024-06-06 -
阿斯麦和IMEC联合光刻实验室启用：最早2025年大量生产High NA EUV
快科技6月4日消息，据媒体报道，比利时微电子研究中心（IMEC）与阿斯麦（ASML）宣布在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab）
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光刻胶的主要技术参数
1）分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 2）对比度（Contrast）
光刻胶 2024-06-04 -
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台积电买的ASML EUV光刻机被曝暗藏后门：可以远程自毁！
据外媒报道，台积电从荷兰ASML(阿斯麦)购买的EUV极紫外光刻机，暗藏了一个致命的后门，可以在必要的时候执行远程自毁。 至于这个自毁开关为何存在，意在何时使用，无需赘言。 但目前尚不清楚它到底是否真的存在，以及具体是如何工作的，ASML、台积电也均未公开回应
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三星与蔡司合作，蓄力下一代光刻机
前言： 近年来，三星电子持续加大采购力度，以确保更多EUV光刻设备的供应。 其目标是，在2024年上半年进入3nm世代的第二代工艺，2025年进入2nm工艺，最终于2027年实现1.4nm工艺的突破
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