混合合金焊点工艺

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安森美推出业界领先的模拟和混合信号平台

新闻概要 Treo 平台基于 65 纳米节点的 BCD 工艺技术，支持同行业领先的 1- 90V 宽电压范围和高达 175°C 的工作温度 Treo 平台将

安森美 2024-11-12
Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务

2024年11月5日，法国格勒诺布尔——专注于欧洲成长性深度科技的Jolt Capital今日宣布，已通过新成立的

Jolt Capital 2024-11-06

采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH401F

工采网代理的霍尔芯片 - AH401F是一款采用高压bipolar工艺制程的国产双极霍尔开关芯片；性能卓越具备耐高压、抗噪能力强等特点；能够承受高电压冲击，适用于各种恶劣环境。同时，极强的抗干扰能力，能够有效地抵御外部干扰，确保信号的准确性和可靠性

霍尔芯片霍尔开关芯片霍尔开关 2024-10-29

具有精度高、测温快、功耗低等优点的数字模拟混合信号温度传感芯片-M117B

数字温度传感芯片 - M117B是工采网代理的国产品牌MYSENTECH推出的数字模拟混合信号温度传感芯片，高测温精度为0°C 到+50°C 范围±0.5℃，用户无需进行校准

数字温度传感芯片温度传感芯片温度传感器 2024-10-24

在特种合金材料领域，河北杀出一个隐形冠军

前言：航空航天领域作为上大股份高温合金及超高强合金的主要应用领域，具有极高的技术门槛和市场价值。其中，变形高温合金作为高温合金中应用最为广泛的一类，其占比高达70%，凸显了公司在该领域的深厚技术积累和市场优势

电子工程上大股份高端制造业 2024-10-16

苹果用2代芯片证明，3nm噱头居多，芯片工艺达极限了

苹果的iPhone16发布了，这次苹果带来了两颗3nm的芯片，分别是A18、A18 Pro，这是全球首颗第二代3nm工艺的芯片。而去年苹果发布的A17 Pro，则是全球首颗第一代3nm的芯片，后来联发科、高通都没有使用3nm工艺，可以说目前全球所有的3nm手机芯片，全部是苹果的

苹果 3nm 台积电芯片 2024-09-12

硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%

中国上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美（纳斯达克股票代号：ON ）推出采用 F5BP 封装的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模块 (PIM)，非常适合用于提高大型太阳能组串式逆变器或储能系统 (ESS)的功率

安森美 2024-08-30

台积电海外工厂，除了美国是2nm，其它均是16nm或更落后工艺

台积电是全球第一大晶圆代工厂，数据显示，目前台积电一家包揽了全球60%以上的代工份额，当之无愧的第一名，且还是遥遥领先的那种。而为了确保自己的地位领先，以及为了确保台湾省的利益，台积电之前一直有一个明确的说法，那就是先进工艺，只放在台湾省，只有成熟工艺放到台湾之外的地方

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-08-25

摘要：使用SEMulator3D?可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升

泛林集团 2024-08-15

测温精度±0.5℃的数字模拟混合信号温度传感芯片-M117

工采电子代理的国产数字高精度温度传感芯片 - M117，测温精度达医疗级±0.1℃@-20℃ ~+30℃，可广泛适用于冷链物流、仓储等对低温监控要求严格的应用场景。 M117较高测温精度±0.1℃，用户无需进行校准

温度传感器温度传感芯片温度芯片 2024-08-15

测温精度为0℃到+50℃范围±0.5℃的高精度数字模拟混合信号温度传感芯片-MTS01B

数字温度传感芯片 - MTS01B是工采网代理的国产品牌MYSENTECH推出的高精度数字模拟混合信号温度传感芯片，高测温精度为0℃到+50℃范围±0.5℃，用户无需进行校准

温度传感器温度传感芯片温度芯片 2024-08-01

用混合信号示波器识别建立和保持时间违规

信号之间的时间关系对数字设计的可靠运行至关重要。对于同步设计，时钟信号相对于数据信号的时间尤为重要。使用混合信号示波器，可以轻松确定多个逻辑输入和时钟信号之间的时间关系。建立和保持时间触发器自动确定时钟与数据时间关系

泰克 2024-07-16

谷歌自研手机芯片成了，多亏了台积电3nm工艺？

该来的总算要来了。早在几年前制定的自研手机芯片路线图中，谷歌就计划了「两步走」的策略：先依托三星 Exynos 平台和三星芯片制造工艺打造 Tensor 手机芯片，用于 Pixel 手

谷歌手机 SoC 芯片台积电3nm 2024-06-25

光刻工艺之涂胶问题

“ 光刻作为半导体中的关键工艺，其中包括3大步骤的工艺：涂胶、曝光、显影。三个步骤有一个异常，整个光刻工艺都需要返工处理，因此现场异常的处理显得尤为关键”

光刻工艺晶圆 2024-06-19

可量产0.2nm工艺！ASML公布超级EUV光刻机：但死胡同也不远了

ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。 ASML

ASML EUV光刻机 2024-06-17

国产低功耗高精度-数字模拟混合信号温度传感芯片MTS01

由工采网代理的敏源MTS01是一款高精度数字模拟混合信号温度传感芯片。MTS01 为体温芯片，较高测温精度为+28°C 到+43°C 范围±0.1℃；MTS01Z 较高测

温度传感芯片温度传感器数字温度传感芯片 2024-05-23

可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺，符合MIL-STD-981 S级标准

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2024年5月13日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology

Vishay 2024-05-13

形势很严峻：先进芯片占比达到57%，成熟工艺很危险了

我们知道，在芯片领域，28nm工艺是成熟芯片和先进芯片的分界线。28nm及28nm以上的工芯片，称之为成熟工艺。而28nm以下，不包括28nm工艺称之为先进工艺，比如14nm、10nm……一直以来，大家都认为成熟工艺占大头，占比甚至高达70%，而先进芯片只用于CPU、GPU、Soc这些，只占30%

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-05-09

Molex莫仕推出MX-DaSH数据-信号混合连接器，整合高速数据、信号和电源连接

伊利诺伊州莱尔 – 2024年5月8日 – 全球电子行业领导者和创新连接器制造

Molex 2024-05-08

芯片代工市场大洗牌：先进工艺占57%，对我们很不利了

近日，知名机构Counterpoint发布了2023年Q4全球晶圆代工市场数据分析报告。数据显示，四季度，台积电依然一家独大，拿下了全球61%的份额，遥遥领先，之后再是三星（14%）、联电（6%）、格芯（6%）、中芯国际（5%）

芯片华为台积电中芯国际光刻机 2024-05-07

龙芯下一代CPU曝光：7nm工艺，3.5GHz，追上intel、AMD

估计非专业人士可能不太了解，但事实上目前国内已经有很多的国产CPU，比如龙芯、兆芯、申威、海光、飞腾、鲲鹏等等。这些国产CPU虽然在个人消费市场不多见，但在行业领域，却应用的非常多，毕竟国内重要敏感单位的数字化、信息化，肯定不能交给国外的CPU来实现，只能信任国产CPU

龙芯 CPU intel ARM 芯片 2024-04-30

通过工艺建模进行后段制程金属方案分析

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门半导体工艺与整合部高级经理 Daebin Yim 由于阻挡层相对尺寸及电阻率增加问题，半导体行业正在寻找替代铜的金属线材料

泛林集团 2024-04-08

台积电不断升级芯片工艺，从28nm到3nm，是惊天大骗局？

目前全球最顶尖的芯片工艺，是台积电和三星的3nm，不过，英特尔表示，今年就要实现intel20A、intel18A，也就是2nm，超过台积电。事实上，在28nm之前，intel是领军者，台积电、三星等在英特尔背后追

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-03-25

三星又使出绝技了，要将3nm工艺改成2nm，忽悠消费者？

大家都清楚，芯片工艺，也就是XX纳米，其实指的是晶体管的栅极线宽，本应该是一一对应的。但自从芯片工艺进入28nm之后，芯片工艺和晶体管的栅极线宽，就没有什么一一对应关系了，因为栅极线宽无法无限的缩小，但工艺又要不断的缩小

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-03-11

谷歌Tensor G4采用三星FOWLP封装，与三星 Exynos 2400相同工艺

（本篇文篇章共825字，阅读时间约1分钟）谷歌即将推出的 Tensor G4 芯片备受关注，最新消息显示，该芯片将采用三星的 FOWLP 封装工艺，与三星 Exynos 2400 具有相同的技术特点

谷歌三星 2024-03-06

AMD未来APU露真容：3nm工艺与Zen6架构携手打造 Sound Wave

（本篇文篇章共636字，阅读时间约1分钟） AMD在不懈推进新产品的同时，近日首次公布了未来APU的代号——"Sound Wave"（声波）

AMD APU 3nm 2024-03-04

英特尔杀疯了：1.8nm工艺已实现，还要帮“对手”代工芯片

众所周知，以前的芯片产业大多是IDM模式，即一家厂商从设计到最终制造，全部包办了，比如英特尔。但后来，随着分工越来越细，技术越来越复杂，芯片产业其实在慢慢的变成了设计、制造、封测分离的模式。比如英伟达、AMD、苹果，是Fabless厂商，他们只做芯片的IC设计

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-03-01

美国芯片雄起了？反超台积电，今年就要实现2nm工艺

一直以来，台积电都是全球芯片制造的领军企业，从10nm开始，就一直”遥遥领先“全球。从10nm到7nm，再到5nm，3nm这么4代，台积电奠定并巩固了其它芯片制造一哥的地位，将原本的老大英特尔，以及三星甩在了身后

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-02-19

AMD“前女友”六年前放弃7nm工艺：终于自食恶果

2018年，GlobalFoundries因为技术、金钱都不到位，无奈放弃了7nm工艺的研发，曾经一家人的AMD全面转投台积电，自己则靠着成熟工艺享受着大量订单，甚至与美国军方都有合作，日子还算滋润。但是，自己不进步，早晚会被社会抛弃

AMD 7nm 2024-02-18

ASML研究超级NA光刻机！2036年冲击0.2nm工艺

ASML已经向Intel交付第一台高NA EUV极紫外光刻机，将用于2nm工艺以下芯片的制造，台积电、三星未来也会陆续接收，可直达1nm工艺左右。那么之后呢？消息称，ASML正在研究下一代Hyper NA(超级NA)光刻机，继续延续摩尔定律

ASML 超级NA光刻机 2024-02-18

联发科和高通今年都将采用3纳米工艺，苹果或真的不再领先

据悉联发科和高通今年的高端芯片都将采用台积电的3纳米工艺，这意味着手机芯片行业全面进入3纳米时代，对于苹果来说，唯一的独占优势也将失去，如果苹果不加快创新可能最后的优势也失去了。一直以来，苹果的A系处理器都遥遥领先，凭借的就是先进的工艺和自主核心架构研发

高通联发科苹果 2024-01-29

从技术工艺到统一尺寸，光伏产业的护城河生变

前言：随着技术环节的差异逐渐缩小，光伏产业的核心竞争力愈发体现在产能的快速调整和供应链的柔韧性。在技术工艺难以形成明显差距的情况下，在技术路线与尺寸优化创新方面，各大巨头纷纷展开激烈竞争。

电子工程光伏产业隆基 2024-01-19

绕开先进工艺，中科院用22nm，造1600核心的超级芯片

不管大家承认不承认，目前在先进工艺上，中国大陆较国际领先水平还是有一定差距的，比如台积电、三星进入了3nm，而我们呢？明面上只有14nm，暗地里，就不清楚了。同时从产能上，就算我们有7nm工艺，其产能也是非常少的，否则Mate60系列，如今都无法敞开供应，就是因为麒麟9000S产能不够啊

芯片中科院华为光刻机 2024-01-08

台积电第一家日本工厂即将开张：最先进的28nm工艺

快科技1月2日消息，台积电宣布，位于日本的第一家晶圆厂将于2月24日正式开张，下半年正式投产。台积电日本晶圆厂位于熊本县附近，将生产N28 28nm级工艺芯片，这是日本目前最先进的半导体工艺。 22ULP工艺也会在这里生产，但注意它不是22nm，而是28nm的一个变种，专用于超低功耗设备

台积电 2024-01-02

详解高精度数字模拟混合信号温度传感芯片的工作原理及应用

高精度温度传感芯片是利用物质各种物理性质随温度变化的规律把温度转换为电量的传感芯片。这些呈现规律性变化的物理性质主要有体。温度传感芯片是温度测量仪表的核心部分，品种繁多。按测量方式可分为接触式和非接触式两大类，按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类

温度传感芯片高精度温度传感芯片温度传感器 2023-12-14

除了2nm工艺之外，苹果应该给出更多的性能和应用改变

可以说，苹果公司拥有了全世界最优秀的芯片代工支持，但是仅仅有高技术工艺的支持之外，没有性能和应用的特别提升，对于用户来说，根本感受不到性能的提升和应用的新鲜感

苹果 2nm 2023-12-14

iPhone 17 Pro首发！曝台积电向苹果展示2nm工艺

快科技12月13日消息，据媒体报道，台积电向英伟达和苹果等大客户展示了N2（2nm）工艺芯片原型。台积电表示，2nm工艺推进工作进展顺利，预计在2025年实现大规模量产，一旦2nm工艺商用，它将成为业界最先进的半导体技术

台积电苹果 2023-12-13

进入14nm工艺，国产光刻胶大突破，减少对日本的依赖

目前的芯片制造工艺，均是光刻工艺，即通过光学--化学反应原理，将电路图传递到硅晶圆上，形成有效的电路图形。而光刻工艺过程中，除了光刻机这种设备之外，还有一种化学材料必不可少，那就是光刻胶，它是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量

芯片光刻胶光刻机 EUV 2023-12-04

LD芯片的工艺制作流程

脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装

LD芯片 2023-11-14

台积电认清了现实，3纳米失败了，加快改良3纳米工艺

日前台积电董事长刘德音表示将在明年初量产下一代3纳米工艺，此举或许在于第一代3纳米工艺表现太差强人意，试图通过推出改良的3纳米工艺挽回客户的信心。台积电在去年底突然宣布量产3纳米工艺，还非常罕有地为3

台积电芯片 2023-10-29

混合合金焊点工艺

安森美推出业界领先的模拟和混合信号平台

Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务

采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH401F

具有精度高、测温快、功耗低等优点的数字模拟混合信号温度传感芯片-M117B

在特种合金材料领域，河北杀出一个隐形冠军

苹果用2代芯片证明，3nm噱头居多，芯片工艺达极限了

硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%

台积电海外工厂，除了美国是2nm，其它均是16nm或更落后工艺

摘要：使用SEMulator3D?可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低

测温精度±0.5℃的数字模拟混合信号温度传感芯片-M117

测温精度为0℃到+50℃范围±0.5℃的高精度数字模拟混合信号温度传感芯片-MTS01B

用混合信号示波器识别建立和保持时间违规

谷歌自研手机芯片成了，多亏了台积电3nm工艺？

光刻工艺之涂胶问题

可量产0.2nm工艺！ASML公布超级EUV光刻机：但死胡同也不远了

国产低功耗高精度-数字模拟混合信号温度传感芯片MTS01

可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺，符合MIL-STD-981 S级标准

形势很严峻：先进芯片占比达到57%，成熟工艺很危险了

Molex莫仕推出MX-DaSH数据-信号混合连接器，整合高速数据、信号和电源连接

芯片代工市场大洗牌：先进工艺占57%，对我们很不利了

龙芯下一代CPU曝光：7nm工艺，3.5GHz，追上intel、AMD

通过工艺建模进行后段制程金属方案分析

台积电不断升级芯片工艺，从28nm到3nm，是惊天大骗局？

三星又使出绝技了，要将3nm工艺改成2nm，忽悠消费者？

谷歌Tensor G4采用三星FOWLP封装，与三星 Exynos 2400相同工艺

AMD未来APU露真容：3nm工艺与Zen6架构携手打造 Sound Wave

英特尔杀疯了：1.8nm工艺已实现，还要帮“对手”代工芯片

美国芯片雄起了？反超台积电，今年就要实现2nm工艺

AMD“前女友”六年前放弃7nm工艺：终于自食恶果

ASML研究超级NA光刻机！2036年冲击0.2nm工艺

联发科和高通今年都将采用3纳米工艺，苹果或真的不再领先

从技术工艺到统一尺寸，光伏产业的护城河生变

绕开先进工艺，中科院用22nm，造1600核心的超级芯片

台积电第一家日本工厂即将开张：最先进的28nm工艺

详解高精度数字模拟混合信号温度传感芯片的工作原理及应用

除了2nm工艺之外，苹果应该给出更多的性能和应用改变

iPhone 17 Pro首发！曝台积电向苹果展示2nm工艺

进入14nm工艺，国产光刻胶大突破，减少对日本的依赖

LD芯片的工艺制作流程

台积电认清了现实，3纳米失败了，加快改良3纳米工艺