光刻工艺
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半导体工艺进步如何从量变到质变?
芝能智芯出品 2024 年的国际电子设备会议(IEDM)再次展示了半导体行业的技术进步,尤其是 2nm CMOS 工艺、3D 堆叠技术及其在 AI 和高性能计算中的应用,预示着未来几年的重要趋势。 这些技术突破不仅推动了摩尔定律的延续,也促使封装、互连、晶体管和功率传输等领域发生了深刻的变革
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传光刻机巨头ASML芯片机密再被“偷盗”!
据荷兰媒体《NOS》报道,一名43岁的前ASML员工因涉嫌窃取ASML和芯片技术公司Mapper Lithography的微芯片手册等文件被指控,目前荷兰庇护和移民部已对其实施了为期20年的入境禁令。
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三星大幅削减3D NAND生产中的光刻胶使用量
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 三星降本,供应商发愁。 三星电子在其最新的 3D NAND 闪存光刻工艺中减少了厚光刻胶(PR)的使用,让成本大幅节约。然而,这一举措可能会影响其韩国供应商东进世美肯
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EUV光刻机这么重要,为什么我们不能拆了,1:1山寨出来?
在当前的芯片制造工艺(光刻工艺)下,EUV光刻机是进入7nm芯片工艺以来,必不可少的机器,没有替代品。 但EUV光刻机,全球仅有一家企业能够制造,它就是ASML,没有其它的了。 所以,制造出EUV
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EUV光刻机巨头风云争夺战
前言: 各大巨头在未来仍将围绕High-NA EUV设备展开激烈竞争,争相导入或宣布市场进展,预示着半导体行业将迎来新一轮技术革新。 目前,英特尔、台积电、三星、SK海力士等晶圆制造大厂已纷纷对High-NA EUV光刻机表现出强烈的关注与行动
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台积电A16工艺将于2026年量产
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 台积电表示,先进工艺的开发正按路线图推进,未来几年基本保持不变。 近日,台积电在其欧洲开放创新平台论坛上宣布,计划在2025年末开始大规模量产N2工艺,A16(1.6nm级)工艺则预计在2026年末投产
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部署High-NA EUV光刻机,台积电2nm要来了
本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合 采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。 据悉,台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外(High NA EUV)光刻机
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采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH401F
工采网代理的霍尔芯片 - AH401F是一款采用高压bipolar工艺制程的国产双极霍尔开关芯片;性能卓越具备耐高压、抗噪能力强等特点;能够承受高电压冲击,适用于各种恶劣环境。同时,极强的抗干扰能力,能够有效地抵御外部干扰,确保信号的准确性和可靠性
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小米的3nm和燕东微用的光刻机
文:诗与星空 ID:SingingUnderStars 最近一则消息沸沸扬扬,北京电视台在一次例行的新闻播报中,称小米自研了3nm的手机芯片。 开香槟的和冷嘲热讽的皆有之,后者居多
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业绩暴雷!ASML股价继续大跌:想卖先进光刻机给中国厂商 但不被允许
快科技10月17日消息,由于业绩暴雷,这导致光刻机龙头ASML股价暴跌,而两天时间股价已跌超20%。 据官方公布的数据看,阿斯麦(ASML)今年第三季度接到的订单大幅减少,总订单金额约为26亿欧元,不到上一季度近56亿欧元的一半
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全球光刻机巨头业绩“爆雷”,阿斯麦单日股价跌幅创26年之最
日前,全球光刻机巨头阿斯麦(ASML)发布的财报,由于财报数据远低于预期,阿斯麦的股价在短时间内出现了大幅波动,创下了近年来的单日最大跌幅。 阿斯麦发布的财报显示,公司在2024年第三季度的订单额仅为26.3亿欧元,环比下降53%,远低于市场预期的53.9亿欧元
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苹果用2代芯片证明,3nm噱头居多,芯片工艺达极限了
苹果的iPhone16发布了,这次苹果带来了两颗3nm的芯片,分别是A18、A18 Pro,这是全球首颗 第二代3nm工艺的芯片。 而去年苹果发布的A17 Pro,则是全球首颗第一代3nm的芯片,后来联发科、高通都没有使用3nm工艺,可以说目前全球所有的3nm手机芯片,全部是苹果的
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被美国要求不能帮中国厂商维修、更不能卖光刻机:ASML称要反击了
快科技9月5日消息,据国内媒体报道称,ASML CEO公开回应了对华出口限制,他们会有更多应对措施(反击措施)。 荷兰计算机芯片设备供应商ASML首席执行官Christophe Fouquet当地时
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摘要:使用SEMulator3D?可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺,实现电阻的大幅降低
作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定,并随尺寸缩小而显著提升
泛林集团 2024-08-15 -
可量产0.2nm工艺!ASML公布超级EUV光刻机:但死胡同也不远了
ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。 ASML
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光刻巨人倒下,他如何带领阿斯麦称霸半导体?
图片来源:nrc.nl by Dieuwertje Bravenboer 地时间6月11日晚间,总部位于荷兰的光刻机巨头阿斯麦(ASML)在社交平台上发文,悼念阿斯麦创始人之一维姆?特罗斯特(WimTroost)
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光刻机巨头ASML创始人逝世:享年98岁
快科技6月12日消息,光刻机巨头ASML公司11日发文,悼念ASML创始人之一维姆·特罗斯(Wim Troost)离世。 据报道,维姆·特罗斯于6月8日逝世,享年98岁。 ASML公司表示:“Wim Troost去世了
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美国芯片管控引ASML吐槽:倒逼中国厂商造出更先进光刻机
快科技6月7日消息,近日,ASML公司CEO公开表示,美国严厉的芯片管控规定,只会倒逼中国厂商进步更快。 ASML CEO表示,多年来,公司都不用担心设备的去向会受到政治限制,但突然之间,这却变成了全世界最重要的话题之一
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3.8亿美元/台!台积电今年将拿到最新款光刻机:曾表态华为追不上我们
快科技6月6日消息,据外媒报道称,ASML将在今年向台积电交付旗下最先进的光刻机,单台造价达3.8亿美元。 报道中提到,ASML首席财务官Roger Dassen在最近的一次电话会议上告诉分析师,公司两大客户台积电和英特尔将在今年年底前获得所谓的高数值孔径(高NA)极紫外(EUV)光刻系统
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【洞察】离子束光刻胶(IBL光刻胶)主要用于离子束光刻技术中 我国市场空间有望扩展
未来随着离子束光刻技术不断进步,离子束光刻胶行业发展态势将持续向好。 离子束光刻胶又称IBL光刻胶,指专用于离子束光刻工艺的光刻胶。离子束光刻胶具有化学稳定性好、分辨率高、耐辐射、热稳定性好等优势,在纳米压印技术、纳米科学研究、微电子制造以及生物医学领域拥有广阔应用前景
离子束光刻胶 2024-06-06 -
阿斯麦和IMEC联合光刻实验室启用:最早2025年大量生产High NA EUV
快科技6月4日消息,据媒体报道,比利时微电子研究中心(IMEC)与阿斯麦(ASML)宣布在荷兰费尔德霍芬(Veldhoven)开设联合High-NA EUV光刻实验室(High NA EUV Lithography Lab)
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光刻胶的主要技术参数
1)分辨率(resolution)。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 2)对比度(Contrast)
光刻胶 2024-06-04 -
台积电买的ASML EUV光刻机被曝暗藏后门:可以远程自毁!
据外媒报道,台积电从荷兰ASML(阿斯麦)购买的EUV极紫外光刻机,暗藏了一个致命的后门,可以在必要的时候执行远程自毁。 至于这个自毁开关为何存在,意在何时使用,无需赘言。 但目前尚不清楚它到底是否真的存在,以及具体是如何工作的,ASML、台积电也均未公开回应
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可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺,符合MIL-STD-981 S级标准
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年5月13日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology
Vishay 2024-05-13
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