容量更大、保存更久：存储技术新发现

　　全新电阻式RAM技术问世 单芯片可存1TB数据

　　阻变存储器RAM（RRAM）是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器，相比现在的闪存，它的速度快上许多，读写时还非常节能。今天，加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术，可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据，这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高，同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍，读写时的功率仅为1/20。

　　取决于不同的设备，RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年，使用寿命也10倍于NAND，可以说是一种完美的高速存储器。Crossbar还表示，这种存储器还可以以阵列的方式运行，他们计划将这项技术授权给其它公司使用，目前30余项专利已经被授予。

　　可以把数据保存十亿年的钨晶片

　　从岩石上的雕刻，到现在的磁介质数据存储，数千年来，人类一直在用各种手段保存信息。尽管在过去几十年里，人类存储的数据量出现了极大增长，但要将数据保存一段较长的时间还是十分困难。成功保存信息的关键是保证信息不丢失，但如果我们想使信息保存的时间超过人类本身，那就得有不同于日常存储所用的介质。

　　来自荷兰屯特大学纳米技术研究所的研究者耶罗恩·德·弗瑞斯(Jeroen de Vries)指出，在极端长的时间内进行数据存储是有可能的。

　　目前广泛应用的硬盘驱动器可以存储大量的数据，但只能在室温下使用大约10年的时间。这是因为硬盘的磁能势垒较低，因此在一段时间后，其上面储存的信息就会逐渐丢失。CD和DVD光盘、纸张、磁带、陶瓷、泥版和石头等介质的寿命也是有限的。如果要使信息保留更长的时间，我们就需要寻找新的介质。

　　关于为什么要存储这么长时间的信息，我们可以设想很多场景。耶罗恩·德·弗瑞斯说：“一个场景是：一场灾难摧毁了地球，人类社会需要重建；另一个场景是，我们要为未来的智慧生命——无论是地球上的人类后代还是来自外星球——留下某种遗产。在这种情况下，你就会考虑将信息档案存储上百万年，甚至是十亿年。”

　　耶罗恩·德·弗瑞斯开发了一种光学信息载体，每一个字节都是利用蚀刻技术进行书写，载体上的信息能存储极长的时间。这是一种由钨制成的晶片，用氮化硅封装起来。之所以选择钨，是因为该元素能够经受极端的温度。蚀刻到钨的表面的信息形式被称为QR码，其上面用氮化物保护起来。在大的QR码中，每个像素点都包含着较小的QR码，晶片正是以此来储存不同的信息。

　　德·弗瑞斯说：“原则上，我们可以在光盘上储存任何值得保存的东西，例如蒙娜丽莎的数字图像等。在这项研究中，我们测试的是我的一份论文数字拷贝——介绍这种介质的那一章。”

　　为了保证数据的稳定性，需要在信息与外界之间设置一道能量势垒，而为了证明这些数据能在数百万年之后依旧能够读取，研究人员进行了一次老化测试，以了解能量势垒是否足够保证数据不会丢失。

　　德·弗瑞斯说：“根据阿累尼乌斯模型，存储介质如果能在473开尔文(200摄氏度)的烤箱中放置1个小时的话，那它就能在至少一百万年后还能继续工作。”

　　测试完成之后，研究人员发现钨晶片并没有出现明显的老化，而且还能容易地读取信息。当温度继续升高的时候，事情变得复杂起来。在713开尔文(440摄氏度)时，破解QR码变得十分困难，尽管钨并没有受到影响。

　　德·弗瑞斯说：“接下来的研究将了解这种数据载体能否经受住更高温度的考验，例如一场家庭大火。不过，如果我们可以找到一个非常稳定的地方，例如核储存设施，那这种晶片及其上面的数据或许就可以保存数百万年的时间。”