狂砸910亿 冲刺20/16纳米先进制程

　　8月12日，台积电董事会大手笔核准910.3亿元资本支出预算，加速抢食智能行动装置以及物网联商机。

　　台积电表示，今年资本支出预估约95亿到100亿美元，董事会核准的910.3亿元，主要用于扩充先进程所需的洁净室、厂房、设备，以及第4季研发预算与经常性资本支出预算，并转置部分逻辑制程产能作为多种特殊制程产能。

　　台积电稍早于法说会表示，明年资本支出仍将高于今年的95亿到100亿美元，但资本支出占营收比重逐步下滑是必然趋势。

　　台积电目前主力制程为28纳米，下半年20纳米开始量产，2015年将接棒成为营收和获利成长主力。

　　携手ARM 10纳米拚英特尔

　　台积电不愿公开对竞争对手置评，但对内已喊出16纳米与对手（三星及英特尔）的战争“取得压倒性胜利”。据悉，台积电目前已把目标放在10纳米，希望在二年内超越英特尔。

　　为宣示深耕先进制程决心，台积电10月2日与ARM共同宣布，双方决定于10纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程再度携手合作，计划2015年第4季，完成首颗10纳米FinFET64位元ARM架构处理器设计定案。这也是台积电在20纳米及16纳米与ARM合作后，双方于10 纳米再度紧密合作。

　　台积电与ARM 10纳米合作是先期的研究工作，主要为双方在实体设计的矽智财验设法则累积宝贵经验，但从台积电设定15年第4季即完成首颗ARM 64位元架构处理器的设计定案，可以看出台积电正全力加快投入10纳米试产脚步。

　　半导体业人士强调，业界评断技术实力，看的是晶体管效能、芯片金属层连结，以及芯片闸密度，后二者台积电在20纳米就都已超越英特尔，一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔，台积电等于就超越英特尔，站上全球半导体新霸主地位。

　　“版图”扩张 8500万美元收购高通台湾工厂

　　而除了携手ARM，台积电在纵向布局上也好不含糊。据台湾媒体报道，台积电以8500万美元收购美国高通公司在台湾的一座芯片封装测试厂，以扩大在半导体上下游领域的布局。

　　通过收购高通这一封装测试厂，台积电计划进入半导体的封装测试领域。

　　在半导体的制造过程中，封装测试是最后一个环节。包括英特尔等芯片巨头，一般将芯片封装测试和芯片制造，分由不同国家的工厂来完成。英特尔在中国的四川等地，也运营着芯片封装测试工厂。

　　需要指出的是，这也是台积电管理层更换之后的第一宗并购案，也展示了台积电未来的发展意图。

　　通过此次收购，台积电将在芯片代工业务上具备更加完整的制造能力，未来也将提高和三星电子之间的竞争力，获取苹果、高通、联发科等芯片公司的更多订单。

　　据报道，过去，台积电的芯片封装测试能力较弱，芯片完成制造之后，封装测试一般交给台湾的其他专业厂商，比如日月光、矽品等。

　　在半导体代工上，台积电和三星电子旗下的半导体业务是捉对厮杀的对手，两家公司目前正在激烈争抢苹果手机和平板中所用的A系列应用处理器订单。

　　之前，三星电子已经在中国内地建设芯片封装测试产能，比如去年底，三星电子宣布，将会斥资五亿美元，在陕西省的西安市建设一座芯片封装测试工厂，这座封测工厂将会在2014年年底竣工投产。三星目前在西安市和昆山都有半导体制造业务，西安的封装测试厂也将是一个配套项目。