MRAM/ReRAM/3D XPoint/Z-SSD 下一代存储器混战何时休？

2016-10-14 01:00

　　MRAM怎么样？

　　同时，一种被称为自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）的第二代MRAM技术正在蓄势。MRAM使用电子自旋的磁性来提供非易失性。MRAM同时具备SRAM的速度和闪存的非易失性，具有无限长的耐用时间。

　　有几家公司正在开发STT-MRAM，不过Everspin现在仍然是唯一的供应商。Everspin将自家的技术称为ST-MRAM。Everspin最新的ST-MRAM是一个具有DDR-3接口的256兆位器件。它使用的是其代工合作伙伴GlobalFoundries的40nm工艺。

　　Everspin的新器件可以解决一个重大问题。简单来说，SSD使用基于DRAM的缓冲区来帮助加速系统。但是，如果系统断电，数据就面临丢失的风险。为了解决电力丢失问题，SSD将并入电容器，但这会增加系统的成本。

　　为了解决这个问题，ST-MRAM可以被合并到SSD中的写缓冲器插槽中。ST-MRAM是一种永久性的非易失性存储器。“然后，你就不需要这些电容器了，”Everspin的产品营销主管Joe O'Hare说。

　　Everspin还开发了一个1吉比特大小的ST-MRAM，基于GlobalFoundries的28nm工艺。与此同时，GlobalFoundries正在开发Everspin的ST-MRAM技术的嵌入式版本eMRAM。

　　最初，GlobalFoundries将在其22nm FD-SOI平台上提供eMRAM技术。“我们将同时实现代码存储和工作数据存储，”GlobalFoundries的Bartlett说。“我们最终将能够做出非常大的L3缓存阵列，占用空间小于6T STRAM。

　　可以肯定，MRAM有几个目标应用。从事STT-MRAM技术开发的Spin Transfer Technologies公司的首席执行官Barry Hoberman说：“STT-MRAM有几个清晰可见、产量巨大且唾手可得的应用机会。“我看到存储、移动、汽车和物联网领域存在着巨大机会。STT-MRAM非常适合单机和嵌入式应用。

　　“从长远来看，我认为MRAM位单元将变得比DRAM电容器单元更小和更便宜。但是在这种情况发生之前，DRAM将继续在超低成本和高密度至关重要、而且非易失性、低功耗和瞬间上电“不那么重要”的应用中占有一席之地，Hoberman说。“到DRAM优势丧失之后，STT-MRAM将成为一个非常好的候选技术，以在速度、刷新功率和刷新占空比对系统设计师而言是个负担的场合替代DRAM。