侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

MRAM/ReRAM/3D XPoint/Z-SSD 下一代存储器混战何时休?

2016-10-14 01:00
来源: 与非网

  那么STT-MRAM会取代DRAM吗?近期肯定不会。首先,可以采用最便宜的替代方案简单地重新配置或延长现有DRAM技术的寿命。

  Marvell的方法是通过添加最终级缓存,根据需要自动加载代码和清除不需要的代码,以提高DRAM的功能。 Marvell技术营销总监Sheng Huang表示:“这种技术可以把缓存率优化提高到高达99%。“通过利用一个算法,使我们能够设计一个更小的查找表。

  Rambus同样试图通过改变基本数据结构来更多地发挥DRAM的潜力。Rambus解决方案营销副总裁Steven Woo说:“瓶颈在于数据移动。“我们需要考虑如何解决更多的现代瓶颈。

  尽管如此,现在已经有很多下一代内存类型了,而且未来还有更多的内存类型。最终,时间将会告诉我们哪些内存类型占优,哪些不会。

<上一页  1  2  3  4  5  6  
声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

    电子工程 猎头职位 更多
    扫码关注公众号
    OFweek电子工程网
    获取更多精彩内容
    文章纠错
    x
    *文字标题:
    *纠错内容:
    联系邮箱:
    *验 证 码:

    粤公网安备 44030502002758号