三星正在实验室中探索各种下一代存储器类型，但该公司表示，为高端应用开发新的更快的NAND版本更有意义。“我们选择基于NAND的技术的原因是因为它是一种成熟的技术，”三星的史密斯说。“我们想选择已经进入生产阶段而且具备效率的技术，换句话说，它具有市场需要的成本结构。

　　不过，三星还没有公布Z-SSD背后的细节。“Z-SSD是三星对3D XPoint的反击，”Web-Feet研究公司总裁Alan Niebel说。“Z-SSD使用了V-NAND（3D NAND）的一种形式，这可能是具有较短位线的TLC，使其成为低延迟NAND。

　　嵌入式内存之战

　　根据Niebel的说法，三星同时正在研究其他内存类型。“他们会首先出货（Z-SSD），”他说。“随后，当生态环境基础设施准备就绪之后，他们将引入MRAM和ReRAM。

　　其他公司也在研究ReRAM，这项技术据称是3D NAND的继任者。ReRAM是非易失性的，并且基于在两个稳定的电阻状态之间切换的电阻器元件材料。ReRAM提供了比当今闪存更耐用的写入时间。

　　ReRAM技术的开发难度很大。此外，3D NAND的性能表现可能进一步超出之前的预期，从而延后了ReRAM作为NAND的可能替代品的需求。

　　ReRAM和其他下一代存储器类型正在进入嵌入式市场。今天，嵌入式市场被传统闪存所主导。嵌入式闪存广泛应用于微控制器（MCU）和其他设备中。

　　嵌入式闪存的主流市场是40纳米及以上工艺的产品，不过该行业已经开始向更小的几何尺寸转移。UMC的业务管理副总裁Walter Ng说：“开发方面的重点是28nm。“

　　还有其他一些变化。“有一组客户在MCU上使用非易失性存储器。他们必须在特定的时间上市。一般来说，我们正在与那些客户推动更传统的解决方案。但他们也对其他一些更独特的解决方案感兴趣“，Ng说。

　　对于嵌入式应用，新的解决方案包括ReRAM、MRAM和碳纳米管RAM。2013年，松下发布了世界上第一个用于嵌入式应用的ReRAM。它集成了一个180nm的ReRAM器件和一个8位控制器。

　　最近，Adesto提供了一种基于ReRAM的技术，称为导电桥接RAM（CBRAM）。针对EEPROM替代市场，Adesto最新的CBRAM比同类存储器产品功耗低50至100倍。

　　另一家公司Crossbar也将很快为嵌入式市场提供8兆位的ReRAM。基于40nm工艺，Crossbar的ReRAM基于1T1R（一个晶体管/一个电阻）技术。

　　Crossbar的营销和业务开发副总裁Sylvain Dubois说：“嵌入式ReRAM比现有闪存技术更快，功耗更低。“这是一个可改变单个比特位的内存。要更新存储内容时，你不必擦除一个完整的块，并编程一个完整的页面来更新它。

　　Crossbar的下一个芯片是基于28nm的1吉比特ReRAM。Crossbar的首席执行官George Minassian表示：“它可能适用于高密度嵌入式应用和独立应用。“它会打击NOR的生存空间。

　　然后，在另一个开发案中，富士通最近获得了Nantero的NRAM授权，这是一种基于碳纳米管的非易失性RAM。NRAM声称要比DRAM和非易失性闪存更快，而功耗基本上为零。

　　今天，业界一边在继续开发传统的嵌入式闪存，同时也在开发下一代技术。那么下一代存储器类型会取代传统的嵌入式闪存吗？“我不相信，也没有任何人感觉到这种转换会在一夜之间发生，我们将从一些传统的解决方案过渡到一些新的解决方案上，”UMC的Ng说。