功率设计龙头产品族丰富，自有封装成品化提升毛利

2020-10-30 09:05

半导体研究笔记

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报告正文

1、功率产品族布局丰富,自有封装和成品化提升毛利

1．1 国内半导体功率器件设计龙头,产品种类齐全且应用广泛

无锡新洁能是国内功率半导体芯片及器件设计龙头。公司主营业务为功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售。公司深耕半导体功率器件行业,是国内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一,具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台。

公司产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件两类。公司主要负责设计方案,制造和封装委托外部企业完成。公司是国内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的功率器件设计公司之一。目前公司初步完成先进封装测试产线的建设,具有小批量封装能力。

公司产品种类齐全,下游应用领域覆盖广阔。目前公司主要产品包括12V～200V沟槽型功率MOSFET、30V～300V屏蔽栅功率MOSFET、500V～900V超结功率MOSFET和600V～1350V沟槽栅场截止型IGBT,下游应用领域覆盖消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。

1．2 营业收入稳定增长,器件占比提升趋势明显

公司营业收入长期稳定增长,产品以器件出售趋势明显。公司2019年实现总营收7．73亿元,同比增长7．93%,2020年H1实现营收3．84亿元,同比增长17．04%。公司业务占比变化趋势明显,从2015年芯片业务占比57%下降到目前的24%,业务结构向价值量更高的功率器件倾侧。

分立器件是泛电力电子大市场必不可缺的产品,公司受益于产品系列齐全,营收增长稳定。广泛的下游应用领域和刚性需求提升公司应对单一市场波动的风险能力,但整体与宏观经济景气程度密切相关。

通过调整业务结构,公司综合毛利率整体呈上升趋势。随着产品细分型号不断丰富、品牌知名度不断提升,公司通过调整业务结构,逐步提高毛利率。同时,公司根据下游需求变化,调整细分领域产品占比,并积极布局高毛利产品如IGBT、高功率MOSFET等。

各项费率近几年相对稳定,研发投入占比保持较高水平。公司期间费率保持相对稳定,2017年管理费用较高主要系发生0．21亿元的股份支付,剔除股份支付的影响后整体保持稳定。研发费率占比维持在4-5%相对高位,持续高研发投入有助于提高产品竞争力和行业壁垒。

1．3 与供应商保持长期深度合作,知名度提升获多领域龙头认可

公司采用Fabless模式,深耕功率器件设计领域,制造和封测与国内外龙头保持深度合作。公司是国内唯一一家完全基于8英寸芯片工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产品的功率半导体设计类龙头企业。因为MOSFET、IGBT等产品对性能和加工工艺要求较高,生产线投资规模较大,8英寸晶圆片工艺平台约30亿元,是二极管、晶闸管产线的3倍以上。公司主要采用Fabless模式,专注设计和销售环节,具有较强的设计能力和与市场需求同步协调的灵活性。轻资产模式下不需负担大规模资本支,并能充分利用专业代工和封测企业的技术和产能资源。

1．3．1 专业化垂直分工与供应商合作紧密,积累经验延伸产业链

公司处于功率半导体产业链的设计环节,芯片制造委托代工企业如华虹宏力、华润上华、中芯国际进行代工,功率器件封装主要由长电科技、成都集佳和苏阳电子完成。因功率器件对可靠性要求高、对成本变化敏感,公司与晶圆代工、封测企业保持长期合作。

代工和封测服务是设计类公司的主要支出项目,合计占总采购金额的90%以上。公司2018年芯片代工服务支出为4．90亿元,占总采购金额的74．9%;封测服务为1．28亿元,占总采购金额的19．6%。因公司从2019年开始具备小批量自供封装产能,外协封测服务支出占比较2018年减少2．5pct。

通过长期经验积累延伸产业链,实现小批量自主封装测试能力。基于Fabless模式下通过客户不同产品设计需求,公司积累了大量封装测试相关技术和工艺。公司通过向产业链上游布局实现对少部分功率器件的自主封装,全资子公司电基集成对封测过程进行总体控制和管理,未来有望进一步提高产品毛利。

1．3．2 逐渐获得各细分领域龙头认可,品牌知名度稳步提高

公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量已为多个下游细分领域龙头客户供货。功率器件行业上下游产业链之间具有高度的粘性,下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求,一旦对选用的功率器件产品经过测试、认证并规模化使用之后将不会轻易更换。随着公司品牌知名度提高,未来有望在国产替代的大趋势下实现高速成长。

1．4 公司股权结构介绍

公司创始人、实际控制人朱袁正先生直接持有23．34%股权,他曾任华晶电子集团公司刻蚀工艺主管、新加坡微电子研究院工程师、无锡华润上华研发副处长等行业龙头企业要职。其他主要股东为国有控股上市公司上海贝岭,业内知名PE投资机构达晨创投、武岳峰等,以及无锡市国资委主导的金投领航和金控远东。

上海贝岭是公司第三大股东,持股比5．93%。公司是国内MOSFET产品的主要供应商之一,上海贝岭主要向公司采购MOSFET芯片及少量功率器件。2106-2019年期间,公司向上海贝岭销售金额分别为841．81万元、777．15万元、437．12万元和53．24万元,占当期销售收入的比例分别为1．99%、1．54%、0．61%和0．16%。

1．5 持续研发投入提升竞争力,多方布局中高端功率器研发

研发投入稳定增长,2017-2019年公司研发费用分别为0．22、0．33、0．34亿元,营收占比维持在4-5%范围。研发支出主要用于MOSFET、IGBT半导体芯片和功率器件的技术开发和现有产品的技术升级。

以创始人朱袁正先生为首的研发团队是国内最早一批专注于8英寸晶圆工艺平台对MOSFET、IGBT等中高端功率器件进行技术研发和产品设计的先行者,在这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。研发成员拥有多年产业链复合工作背景,能够充分把握8英寸晶圆片相关工艺,对先进半导体功率技术研发和产品设计、工艺端实现方案设计以及产品应用需求开发和评估等方面形成了高效的研发效率,新产品的研发成功率较高,从而实现了主要种类产品平台构建和细分型号产品快速衍生的丰厚研发设计成果。

自主构建四大核心技术平台,衍生开发上千细分型号产品。公司拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台,覆盖12V～1350V电压范围、0．3A～300A电流范围的多系列细分型号产品,是国内MOSFET产品系列最齐全的设计企业之一。公司已经形成“构建-衍生-升级”发展模式,基于4大主要核心工艺平台衍生出上千种细分产品,充分满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。