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国产90nm的光刻机,究竟能制造多少纳米的芯片?

光刻机”被称之为传统芯片制造的工业母机,因为它必不可少,同时光刻机的好坏,精度,决定了芯片的精度、良率等等。

不过大家也清楚,光刻机目前全球只有4家厂商能够生产,分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子,ASML是荷兰企业,尼康、佳能是日本企业,而上海微电子是中国企业。

国产90nm的光刻机,究竟能制造多少纳米的芯片?

如上图所示,这是4大厂商的光刻机精度。其中用于7nm及以下芯片制造的EUV光刻机,只有ASML能够生产。

而尼康能搞定高端的7-28nm的AiF+浸润式光刻机,但佳能、上海微电子却还停留在90nm,只能生产低端的光刻机。

不过也有人称,光刻机所指的精度,并不是指能制造芯片的精度,光刻机可以通过多次曝光,提升分辨率的,那么问题就来了,上海微电子的90nm光刻机,最多能生产多少纳米的芯片?

国产90nm的光刻机,究竟能制造多少纳米的芯片?

据资料显示,目前上海微电子的90nm的光刻机,主要用于电源管理芯片、LCD驱动芯片、WiFI芯片、射频芯片、各类数模混合电路等。

而在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平。

那么能不能四次曝光,五次曝光,将精度提升上去?事实上,在实际使用中,2次曝光就已经很厉害了,像ASML等的光刻机 ,大多也只是进行2次曝光。

因为实践表示,3次曝光会导致良率大幅度下降,4、5次良率可能会低到没法想象,晶圆厂们的成本高到没法承受,不如买一台更高级光刻机,成本还低一些。

国产90nm的光刻机,究竟能制造多少纳米的芯片?

所以,目前国内在努力的研发28nm的光刻机,这样经过两次曝光后,可以搞定14nm,至于7nm工艺,那最好还是期待EUV光刻机,用28nm的来曝光三次,良率没法看。

不过,在整个半导体产业链,流传说一句话,那就是“靠山山倒,靠人人跑,只有自己最可靠”。

所以像光刻机这种东西,只有掌握在我们自己手中,才能避免受制于人,虽然EUV光刻机非常难,但也不得不去攻克。

       原文标题 : 国产90nm的光刻机,究竟能制造多少纳米的芯片?

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