12nm工艺

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英特尔再受重击：AMD联合台积电，2nm芯片已来

在芯片行业的江湖中，英特尔与AMD的缠斗持续了半个多世纪。曾经的“老大哥”与“小跟班”，如今却因技术路线的分野，上演了一场残酷的攻守互换。而随着AMD宣布联合台积电推出2nm芯片，这场竞争的天平似乎再次倾斜

CPU intel X86 龙芯芯片华为 2025-04-17
先进封装中材料与工艺：如何分配电力与散热

芝能智芯出品人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和下一代通信技术的迅猛发展，半导体封装技术正面临前所未有的挑战。传统封装技术已无法满足日益增长的性能需求和集成密度要求，而中介层与基板作为先进封装的核心组件，正在从简单的连接平台转变为负责电力分配、热管理、高密度互连和信号完整性的工程系统

电力封装基板新工艺新材料 2025-04-07
2nm战场，好戏来了

本周，2nm在各大网站强势刷屏。台积电此前表示，2nm芯片将于4月1日起接受订单预订。随着时间逐渐来到4月，它终于犹抱琵琶半遮面，缓缓露出真容。台积电、Intel、Rapidus等芯片巨头均在本周再度更新了2nm芯片的量产进展

半导体 2025-04-03
能够提供1.8A输出电流和12V电源电压的H桥驱动芯片-SS8837T

工采网代理的电机驱动芯片 - SS8837T是一款为摄像机、消费类产品、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。此器件能够驱动一个直流电机或诸如螺线管的器件。其导通电阻：高侧+低侧(HS + LS) 260mΩ

电机驱动芯片马达驱动芯片 H桥驱动芯片 2025-04-01
SS6208-三合一集成12V半桥驱动器，半桥驱动解决方案

由工采网代理的SS6208是一款集高/低侧MOSFET、驱动电路与多重保护机制于一体的芯片，其独特的设计将高边和低边驱动器集成在一个3mm*3mm的8引脚DFN封装中，解决了传统分立元件方案的短板，大大减少了分立方案的寄生效应和板空间问题，为半桥应用提供了优化解决方案

SS6208 电机驱动芯片半桥驱动器 2025-03-26
研发3年，投入了1.5万亿，2nm芯片终于要来了

众所周知，3纳米芯片是在2022年推出的，三星在2022年的上半年量产，而台积电在2022年的下半年量产。而真正大规模的3nm芯片，主要在2023年推出，苹果的A17芯片，就是3nm工艺&hell

三星台积电 3nm 华为芯片中芯国际 2025-03-26
3年研发投入5000亿打水漂，韩国芯片巨头，暂停1.4nm芯片

芯片制造，绝对是整个芯片产业里面投入最大的，特别是先进芯片。建设一条7nm的芯片生产线，成本超过50亿美元，建设一条5纳米的芯片生产线，成本可能高达100多亿美元，越先进，成本越高。因为各种半导体设备的投入，厂房的投入，以及各种研发的投入

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2025-03-24
3nm赛道，挤满了ASIC芯片？

最近，市场关注的两家ASIC企业都发布了自家的财报。博通2025财年第一季度财报显示，营收149.16亿美元，同比增长25%，净利润55.03亿美元，同比增长315%。其中，第一季度与AI有关的收入同比增长77%至41亿美元

半导体芯片 2025-03-20
华虹半导体Q4亏损，向小工艺节点迈进存挑战

国产晶圆代工厂华虹半导体(01347.HK；688347.SH)在2024年出现营利双降的情况，公司在Q4净利更是出现亏损，出现近3年来首次单季度亏损。证券之星注意到，公司毛利率受平均售价下降和折旧成本上升的双重压力的影响，毛利率大幅下滑

华虹半导体财报 2025-03-19
三星的最后一搏：2nm芯片工艺，自己先用，自己来证明

众所周知，不管实际情况如何，至少在表面上，三星是全球唯一能够，在先进芯片工艺上与台积电pk的厂商。三星也是全球唯二拥有3nm芯片技术的厂商，另外一家是台积电。甚至从量产时间上来看，三星的3nm

三星台积电 2nm 2025-03-16
新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台

3月10日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。该平台凭借高频运行效率、超低栅极电荷及低导通电阻等卓越特性，为新一代高速、高效功率器件应用提供了优异的解决方案

新微半导体 2025-03-11
台积电董事长：4nm芯片、3NP芯片，是生产线人工做出来的

如下图所示，2020年的时候，台积电芯片工艺进入了5nm，然后在2022年时，又进入了3nm，计划在2025年时进入2nm工艺。但5nm这个工艺上，台积电还有几种增强型工艺，分别是N5P、N4P、N4X工艺，这些也是5nm增强版，或4nm工艺

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2025-03-10
GaAs芯片的表面工艺异常问题

一、砷化镓表面存在氧化层GaAs属于闪锌矿结构，具有立方晶系Fm3m空间群，晶胞参数为5.646 。Ga原子位于晶胞的顶点，As原子位于晶胞的面心和体内，形成四面体结构。GaAs表面在空气中容易发生氧化反应，生成氧化物如Ga2O3、As2O3和As2O5

GaAs芯片 2025-02-27
Allegro技术洞察：12V 和 48V 系统的通用驱动平台简化电动汽车启动发电机设计

皮带驱动启动发电机 (BSG) 是混合动力汽车 (HEV) 和电动汽车 (EV) 系统不可或缺的一部分，因为它有助于减少内燃机产生的碳排放。启动发电机系统在电动汽车架构中扮演着多重角色。它们负责启动发

Allegro 2025-02-26
SS6809A-12V系统的高性能电机驱动解决方案

由工采网代理的SS6809A是一款专为12V系统设计的双通道H桥电机驱动芯片，支持驱动直流电机、并联直流电机及步进电机（全步/半步模式）为中小功率电机驱动场景提供高效、可靠的解决方案，引脚兼容LV85

SS6809A 电机驱动解决方案 2025-02-25
适合12V系统产品的一款2通道H桥驱动芯片-SS6809A

工采网代理的电机驱动芯片 - SS6809A是一款2通道H桥驱动芯片。适合12V系统产品的电机驱动。芯片每个H桥可提供较大峰值电流1A和均方根电流0.7A(在12V和Ta=25°C适当散热条件下)，可以驱动两台直流电机，一台并联直流电机，也可以驱动步进电机，步进电机驱动支持全步或半步

电机驱动芯片马达驱动芯片 H桥驱动芯片 2025-02-17
歌尔光学亮相SPIE 光波导刻蚀工艺新品首秀

近日，国际知名XR盛会SPIE AR|VR|MR在美国旧金山落下帷幕。SPIE AR|VR|MR是由SPIE（国际光学工程学会）举办的知名XR行业盛会，现已连续举办十届，活动聚焦于VR/AR硬件上游，

歌尔光学 2025-02-06
SS8837T替代DRV8837-12V/1.8A单H桥驱动芯片

SS8837T是一款专为有刷直流电机开发H桥驱动器,同时可兼顾步进电机的驱动需求，可驱动一个直流电机或螺线管等，适用于工业自动化设备、一体化步进电机、按摩椅、智能家居等领域。以前方案很多采用T

SS8837T DRV8837 H桥驱动芯片 2025-01-20
2nm，要来了

在半导体制造中，2nm工艺是继3nm工艺节点之后的下一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片微缩技术。 “2nm”或“20埃”（英特尔使用的术语）与晶体管的任何实际物理特征（例如栅极长度、金属间距或栅极间距）无关

半导体 2nm 英特尔 2025-01-20
看完台积电财报，你就明白，为何要努力研发3nm、2nm了

目前全球只有两个企业，其芯片技术进入了3nm，一家是台积电，一家是三星。至于还有一家英特尔，说是已经试产了18A，但真假未知，暂时当没有。而按照计划，今年台积电、三星会进入2nm，而在2nm之后，会1.4nm、1nm、0.7nm等等，似乎永不停歇的一直研发、前进下去

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2025-01-19
利润大增57%，台积电靠着5nm、3nm芯片，大赚特赚

近日，台积电公布了2024年四季度的财务数据。数据显示，4季度营收新台币8684.6亿元（约1934亿元人民币），同比增加了38.8%，可以说是大涨。而税后净利润高达新台币3746.8亿元（约834亿元人民币），同比增长了57%，环比增长了15.2%，创造了一个新纪录

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2025-01-17
UVC紫外线灯珠-260-280nm深紫外光杀菌消毒LED灯珠

紫外线杀菌消毒原理:是利用适当波长的紫外线能够破坏微生物机体细胞中的DNA(脱氧核糖核酸)或RNA(核糖核酸)的分子结构，造成生长性细胞死亡和再生性细胞死亡，达到杀菌消毒的效果。UVC波长200~27

UVC紫外线灯珠杀菌方案 LED灯珠 2025-01-15
台积电在美国投产4nm芯片！

芝能智芯出品台积电近期在美国亚利桑那州的晶圆厂正式投产4nm芯片，标志着这家全球领先的晶圆代工企业迈出了全球布局的重要一步。此前，台积电在日本的熊本工厂已实现量产，同时在欧洲的扩张计划也在逐步推进

台积电半导体中国台湾芯片 2025-01-14
贵30%！美国4nm芯片，是台积电带来的

台积电在美国的第一个4nm工厂已经开始生产了。这座工厂在亚利桑那州，生产是最近几周开始的。美国商务部长吉娜·雷蒙多表示，这是一个里程碑事件。雷蒙多感叹：“在我们国家历史上，这是第一次在本土制造领先的4纳米芯片

台积电 4nm芯片 2025-01-14
台积电尴尬了，苹果、联发科、高通，都不用2nm芯片，太贵了

不出意外的话，2025年台积电正式进入2nm工艺。而在2nm工艺时，台积电终于也要和老迈的FinFET晶体管技术说再见了，采用三星在3nm时，就采用的GAAFET晶体管技术。按照台积电高管之前

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2025-01-07
2nm开始生产：台积电启动每月5000片生产工作！

快科技1月2日消息，据国外媒体报道称，台积电已经开始2nm工艺的生产。报道中提到，台积电目前在本土建立了两个2nm晶圆生产基地，并将在几年内达到最大产能，从而满足苹果、高通、联发科等多家客户的需求

台积电 2nm 2025-01-02
英飞凌：推出28nm毫米波MMIC芯片

芝能智芯出品毫米波雷达作为智能驾驶的关键传感器，正在逐渐发展成未来智能交通系统的核心技术。随着自动驾驶技术的日益成熟，对雷达系统的性能需求也日益提高。英飞凌最新推出的CTRX8191F 28nm毫米波

英飞凌 MMIC芯片 2024-12-23
半导体工艺进步如何从量变到质变？

芝能智芯出品 2024 年的国际电子设备会议（IEDM）再次展示了半导体行业的技术进步，尤其是 2nm CMOS 工艺、3D 堆叠技术及其在 AI 和高性能计算中的应用，预示着未来几年的重要趋势。这些技术突破不仅推动了摩尔定律的延续，也促使封装、互连、晶体管和功率传输等领域发生了深刻的变革

半导体工艺芯片晶体管 2024-12-19
IEDM 2024上，0.7nm来了

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合更小，更快，更好。近日，IEDM在旧金山举行。在 CMOS 逻辑技术中，晶体管技术的发布引人注目。除了宣布 2nm 代 CMOS 逻辑平台外，台积电还将报告使用单片制造的 CFET（互补 FET）制作逆变器原型的结果

IEDM 英特尔 2024-12-09
进程提前半年 , 台积电2nm上线倒计时

11月26日，台积电在高雄的2nm新厂举行设备进机典礼。原本高雄工厂的计划是在2025年中期引进设备，年底进行生产。受益于需求高涨，台积电高雄工厂的时间线整整提前了半年，这也把全球2nm制造的时间表向前推进了一步

半导体英特尔英伟达台积电芯片制造 2024-12-09
亚马逊定制3nm AI芯片，预计2025 年底问世

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 Trainium3 专为满足下一代生成式 AI 工作负载的高性能需求而设计。 12月3日，亚马逊旗下AWS CEO Matt Garman宣布

3nm AI芯片亚马逊 2024-12-04
DigiKey 12月盛大启幕：年度DigiWish佳节献礼，助力推动科技创新

DigiKey是全球领先的电子元器件和自动化产品库存分销商，提供种类齐全的产品以供即时发货。DigiKey欣然宣布，将于2024年12月1日全球启动其第16届年度
DigiKey 2024-12-03