FET

新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日－代表着下一代电源系统未来的，氮化镓

Transphorm 芯片 TOLT 2023-11-29

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量加利福尼亚

Transphorm 封装 FET 氮化镓 2023-11-07

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99％的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –

Transphorm 2023-06-16

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e－mode）氮化镓器件的供应商奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压（100／150 V）和高电压（650 V）应用的E－mode（增强型）功率GaN FET

Nexperia 2023-05-10

　　氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景

650VGaN 美阔 MGZ31N65 2022-10-14

没有一种技术能够满足所有的需求。FinFET几乎走到了尽头,接棒的GAA-FET在制造方面的挑战屡见不鲜,而且成本太高,有多少代工厂能负担得起尚不可知。不过,幸运的是,这并不是唯一的选择。围点打援似乎也是可以接受的选择:纳米片、先进封装和新的器件架构

半导体工艺 3nm工艺纳米片 2021-02-22

工程师可以使车用充电器和工业电源实现两倍的功率密度和更高效率2020年11月10日，德州仪器（TI）推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线

TI 首款集成驱动器内部保护车用GaN 2020-11-12