近日，比利时微电子研究中心发布蓝图表示，2025年集成电路晶体管将进入到埃米尺寸（angstrom，1埃＝0．1纳米），对应的A14（14＝1．4纳米），2027年为A10（10＝1nm）、2029年为A7（7＝0．7纳米）。

比利时微电子研究中心还表明，除了晶体管结构、2D原材料以外，High NA（高数值孔径）EUV光刻机的重要性也不言而喻。有消息表面，0．55NA的下一代EUV极紫外光刻机（EXE：5000）将会在2023年上市，在2026年批量生产。

造价比EUV还贵两倍

就在这个月与媒体交流时，ASML无意中透露出进度要提早的信息。据悉，首台高NA EUV光刻机将在2023年对外开放初期浏览，2024年到2025年对外开放给顾客展开产品研发并从2025年逐渐开始批量生产。

众所周知，晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一，它们使电流能够在电路周围流动。一般来说，芯片上可以安装的晶体管越多，芯片的功能和效率就越高。而EUV光刻机就是将非常窄的光束照射到经过“光刻胶”化学品处理的硅晶片上，在光线与化学品接触的晶片上形成复杂的图案，这些图案是事先精心设计好的。这个形成所有重要晶体管的过程被称为光刻。

比如苹果最新款的iPhone中的芯片就是用晶圆代工厂商台积电利用ASML的EUV光刻机制造的，上面有大约100亿个晶体管。如今芯片制造商希望在光刻中使用最窄波长的光，以便他们可以在每块硅片上安装更多的晶体管。

ASML是全球最为知名的光刻机厂商，但并非ASML制造的每个光刻系统都具有EUV功能，截至目前，DUV（深紫外线）仍然是半导体行业的主力设备之一。如今再传出High NA EUV光刻机的消息，不免让人感到惊叹。据悉，与ASML目前最先进的EUV光刻机相比，High NA EUV光刻机更大、更昂贵且更复杂。

据ASML发言人透露，High NA EUV光刻机采用了新颖的光学设计，需要明显更快的阶段，High NA EUV光刻机具有更高的分辨率，这将使芯片特征缩小1．7倍，芯片密度增加2．9倍。借助High NA EUV光刻机平台，芯片制造商能进一步减少流程步骤的繁琐程度，能明显减少缺陷、成本和周期时间。

此外，High NA EUV光刻机工具从0．33光圈镜头转变为更锐利的0．55光圈，以实现更高分辨率的图案化。更高的孔径允许在机器内部产生更宽的EUV光束，然后再撞击晶圆。该光束越宽，撞击晶圆时的强度就越大，从而提高打印线条的准确度。这反过来又可以实现更小的几何形状和更小的间距，从而增加密度。

因此，High NA EUV光刻机将允许芯片制造商制造3nm以下的芯片。而目前世界上最先进的芯片都在3nm及以上。资料显示，目前最先进的EUV光刻机每台都有超过100000个零部件，需要超过40个货运集装箱或四架大型喷气式飞机来运输，综合算下来，每台EUV光刻机的花费约1．4亿美元，High NA EUV光刻机将耗资约3亿美元，是现有EUV光刻机的两倍，并且它们需要复杂的新镜头技术。

根据ASML公布的财务数据显示，EUV光刻机这么多年来才生产了100台左右，在去年也仅仅售出了31台。High NA EUV光刻机必然会面临更加严格的开发过程的发展阶段。

据悉，首台High NA EUV光刻机仍在开发中，预计从 2023 年开始提供抢先体验，以便芯片制造商可以开始试验并学习如何使其工作。客户可以在 2024 年和 2025 年将它们用于自己的研发。从 2025 年开始，它们很可能用于大批量制造。

今年7月，英特尔首席执行官Pat Gelsinger表示，该公司有望成为ASML High NA EUV光刻机的第一个接收者，并将High NA EUV光刻机视作一次很大技术应用攻克。