14nm工艺

台积电尴尬了，苹果、联发科、高通，都不用2nm芯片，太贵了

不出意外的话，2025年台积电正式进入2nm工艺。而在2nm工艺时，台积电终于也要和老迈的FinFET晶体管技术说再见了，采用三星在3nm时，就采用的GAAFET晶体管技术。按照台积电高管之前

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2025-01-07

2nm开始生产：台积电启动每月5000片生产工作！

快科技1月2日消息，据国外媒体报道称，台积电已经开始2nm工艺的生产。报道中提到，台积电目前在本土建立了两个2nm晶圆生产基地，并将在几年内达到最大产能，从而满足苹果、高通、联发科等多家客户的需求

台积电 2nm 2025-01-02

英飞凌：推出28nm毫米波MMIC芯片

芝能智芯出品毫米波雷达作为智能驾驶的关键传感器，正在逐渐发展成未来智能交通系统的核心技术。随着自动驾驶技术的日益成熟，对雷达系统的性能需求也日益提高。英飞凌最新推出的CTRX8191F 28nm毫米波

英飞凌 MMIC芯片 2024-12-23

高通开心了：官司赢了，每年能向ARM少交14亿美元专利费

自从高通发布了骁龙8Elite系列芯片，然后使用了全新自研的Oryon CPU（收购了Nuvia的技术）之后，ARM就一直在威胁高通。 ARM要高通针对Oryon CPU再多交一次专利授权费，否则不能使用Oryon CPU，ARM还威胁高通，称要断供高通的授权，让高通不能使用ARM

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-12-23

半导体工艺进步如何从量变到质变？

芝能智芯出品 2024 年的国际电子设备会议（IEDM）再次展示了半导体行业的技术进步，尤其是 2nm CMOS 工艺、3D 堆叠技术及其在 AI 和高性能计算中的应用，预示着未来几年的重要趋势。这些技术突破不仅推动了摩尔定律的延续，也促使封装、互连、晶体管和功率传输等领域发生了深刻的变革

半导体工艺芯片晶体管 2024-12-19

IEDM 2024上，0.7nm来了

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合更小，更快，更好。近日，IEDM在旧金山举行。在 CMOS 逻辑技术中，晶体管技术的发布引人注目。除了宣布 2nm 代 CMOS 逻辑平台外，台积电还将报告使用单片制造的 CFET（互补 FET）制作逆变器原型的结果

IEDM 英特尔 2024-12-09

进程提前半年 , 台积电2nm上线倒计时

11月26日，台积电在高雄的2nm新厂举行设备进机典礼。原本高雄工厂的计划是在2025年中期引进设备，年底进行生产。受益于需求高涨，台积电高雄工厂的时间线整整提前了半年，这也把全球2nm制造的时间表向前推进了一步

半导体英特尔英伟达台积电芯片制造 2024-12-09

亚马逊定制3nm AI芯片，预计2025 年底问世

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合 Trainium3 专为满足下一代生成式 AI 工作负载的高性能需求而设计。 12月3日，亚马逊旗下AWS CEO Matt Garman宣布

3nm AI芯片亚马逊 2024-12-04

台积电欲在2025年后将先进2nm制造转移美国！

11月29日消息，据最新消息显示，台积电可能或在2025年后将先进2nm制造转移美国。中国台湾科学技术部门官员吴诚文表示，台积电2nm制程将于明年量产，这时候台积电应已开始新一代制程的研发，就可以跟台积电讨论，是否要在友好地区投资2nm

台积电 2nm制造 2024-11-29

俄罗斯16nm芯片，来了

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自cnews 这是一次小规模交付，但对俄罗斯意义重大。据报道，俄罗斯工业部副部长瓦西里·什帕克宣布，俄罗斯Baikal处理器再次开始向俄罗斯供应

俄罗斯 16nm芯片 Softlogic 2024-11-28

台积电A16工艺将于2026年量产

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合台积电表示，先进工艺的开发正按路线图推进，未来几年基本保持不变。近日，台积电在其欧洲开放创新平台论坛上宣布，计划在2025年末开始大规模量产N2工艺，A16（1.6nm级）工艺则预计在2026年末投产

台积电 A16 2024-11-26

ASML画饼，将芯片工艺推至0.2nm了，好自己卖光刻机

在目前的芯片产业链里，ASML的光刻机，应该是最强有力的纽带了。因为任何芯片工艺的进步，都离不开光刻机，且全球只有ASML这么一家能够制造EUV光刻机的厂商，所以说ASML就是全球芯片产业的“皇上皇”

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-11-26

部署High-NA EUV光刻机，台积电2nm要来了

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合采用高NA EUV光刻机对于台积电发展2nm以下工艺至关重要。据悉，台积电预计将于今年年底从ASML接收首批全球先进的芯片制造设备——高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机

台积电2nm High-NA EUV光刻机 2024-11-25

台积电之后三星也对中国下手了！断供7nm及以下

美国商务部已经给台积电发函，要求暂停中国大陆AI芯片企业的7nm及以下先进制程芯片的代工服务，重新审核认证客户身份（KYC）流程，扩大代工产品审查范围。按照消息人士的说法，并非所有大陆IC设计公司

台积电三星 2024-11-13

为防核心技术外流，台积电暂不能海外生产2nm芯片

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合尽管台积电正积极在美国、欧洲及日本布局建设采用先进制程技术的晶圆厂，其核心的最尖端半导体生产技术却无法迁移至海外生产基地。台积电首席执行官魏

台积电 2nm芯片 2024-11-11

国内AI芯片要变天？曝台积电不给中国大陆厂商，代工7nm AI芯片了

众所周知，美国一直担心中国在AI方面，领先于美国，于是将先进的AI芯片禁了。最开始是禁了A100、H100等，后来英伟达推出了H800、A800，后来也被禁了，英伟达再推出H20，相比于H100，H20的性能被阉割掉了80%，只保留了20%

AI 台积电华为英伟达芯片 2024-11-08

晶圆价格战？台积电一点都不慌，7nm以下芯片最高涨价10%

众所周知，因为外部形势的紧张，美国通过自己的行政力量干涉半导体的自由贸易，导致这几年全球的芯片企业都在扩产，因为半导体的自由贸易已死，自己不扩产就有可能被别人卡脖子。所以我们看到，不管是美国的芯片企业，还是韩国的芯片企业，还是中国大陆的，欧洲的，中国台湾的芯片企业，其实或多或少都在增加产能

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-11-01

3nm对决：苹果A18、高通8Elite、联发科天玑9400，谁更强？

目前高通、联发科、苹果的3nm芯片全部出炉了。这3颗芯片，由于都采用了台积电的第二代3nm工艺，不存在工艺差距，所以通过这三颗芯片，我们就可以判断出究竟谁的水平更高了。由于苹果有A18，A18 Pro这么两颗芯片，所以这次是4颗芯片来对比，看看谁更强

高通苹果联发科芯片 2024-10-31

采用高压bipolar工艺制程的耐高压双极锁存霍尔芯片-AH401F

工采网代理的霍尔芯片 - AH401F是一款采用高压bipolar工艺制程的国产双极霍尔开关芯片；性能卓越具备耐高压、抗噪能力强等特点；能够承受高电压冲击，适用于各种恶劣环境。同时，极强的抗干扰能力，能够有效地抵御外部干扰，确保信号的准确性和可靠性

霍尔芯片霍尔开关芯片霍尔开关 2024-10-29

小米的3nm和燕东微用的光刻机

文：诗与星空 ID：SingingUnderStars 最近一则消息沸沸扬扬，北京电视台在一次例行的新闻播报中，称小米自研了3nm的手机芯片。开香槟的和冷嘲热讽的皆有之，后者居多

小米光刻机燕东微 2024-10-28

晶合集成28nm逻辑芯片验证成功

近日，A股上市公司扎堆披露了三季报业绩预告，在200家已预告业绩的公司中，预喜占比高达83%，备受大家关注的半导体行业也是明显回暖，晶合集成、韦尔股份、瑞芯微等头部公司，纷纷预告，前三季净利最大增幅超

互联网半导体行业晶合集成晶圆代工显示驱动芯片 2024-10-25

佳能NIL设备出货：不需要EUV，制造5nm芯片，成本低90%

目前制造7nm以下芯片，全部采用光刻技术。而EUV光刻机，则是制造7nm以下芯片，必不可少的设备，全球只有ASML一家能够生产，最便宜的EUV光刻机，都需要1.5亿欧元左右一台。而像三星、台积电、

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-09-27

小米14T Pro迎来最新曝光：小米这款新机配置炸裂！

文｜明美无限在科技圈，每一次新品发布都是一场盛宴。近日，小米14T Pro的官方产品图片曝光，引起了广泛关注。这款备受期待的新机究竟有何亮点？本文将带你一探究竟。首先，小米宣布将于9月26日在海外发布小米14T系列，外媒发布博文曝光了小米14T Pro手机渲染海报

小米14TPro 小米 2024-09-18

美国封锁失败，努力6年后，国产光刻机从90nm，跨进65nm

众所周知，全球前道光刻机（非后道光刻机）的主要玩家就4家，分别是荷兰的ASML，日本的尼康、佳能，中国的上海微电子。但如果从市场份额来看，ASML占了85%以上的份额，然后尼康、佳能又占了15%左右，上海微电子的份额几乎为零

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-09-17

聊聊套刻精度≤8nm的国产光刻机，究竟怎么回事

近日，在工业和信息化部发布的资料中，大家看到两台国产氟化氩光刻机。其中一台写着晶圆直径300mm，波长248nm，分辨率≤110nm，套刻精度是≤25nm。而另一台写着晶圆直径300mm，波长193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-09-17

千元新标杆！Redmi Note14即将强势来袭！

文｜明美无限 2014年3月，Redmi推出了Note系列首款机型——799元起的红米Note。凭借极致的性价比，迅速成为小米手机的销量顶梁柱之一。这不小米今天宣布，Redmi Note系列十年来全球累计销量4.2亿台

RedmiNote14 2024-09-14

苹果用2代芯片证明，3nm噱头居多，芯片工艺达极限了

苹果的iPhone16发布了，这次苹果带来了两颗3nm的芯片，分别是A18、A18 Pro，这是全球首颗第二代3nm工艺的芯片。而去年苹果发布的A17 Pro，则是全球首颗第一代3nm的芯片，后来联发科、高通都没有使用3nm工艺，可以说目前全球所有的3nm手机芯片，全部是苹果的

苹果 3nm 台积电芯片 2024-09-12

Redmi Note 14迎来最新曝光：千元机唯一真神即将强势来袭！

文｜明美无限自去年 9 月发布以来，Redmi Note 13 系列凭借 1099 元起的亲民价格定位，迅速赢得了市场的热烈反响与广泛好评。而今，随着新一代产品的临近，Redmi Note 14 系列的消息已悄然浮现

RedmiNote14 2024-09-04

台积电海外工厂，除了美国是2nm，其它均是16nm或更落后工艺

台积电是全球第一大晶圆代工厂，数据显示，目前台积电一家包揽了全球60%以上的代工份额，当之无愧的第一名，且还是遥遥领先的那种。而为了确保自己的地位领先，以及为了确保台湾省的利益，台积电之前一直有一个明确的说法，那就是先进工艺，只放在台湾省，只有成熟工艺放到台湾之外的地方

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-08-25

摘要：使用SEMulator3D?可视性沉积和刻蚀功能研究金属线制造工艺，实现电阻的大幅降低

作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Timothy Yang 博士 01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升

泛林集团 2024-08-15

支持I2C接口、抗干扰性强、14通道触摸按键的电容式触摸芯片-GTX314L

工采电子代理韩国GreenChip的电容式触摸芯片 - GTX314L是具有多通道触发传感器的14位触摸传感器系列，它是通过持续模式提供中断功能和唤醒功能，广泛适用于各种控制面板应用，可直接兼容原机械式轻触按键的处理信号

电容式触摸芯片触摸芯片触摸IC 触控芯片 2024-08-12

2nm芯片战一触即发：台积电先发制人，苹果率先吃鸡

决战2025。差不多一个月前，苹果 COO 杰夫·威廉姆斯 (Jeff Williams) 低调到访台积电，根据媒体报道，此行就为一件事：确保给到苹果的 2nm 产能。没办法，台积电的产能实在太抢手了

台积电芯片 2nm 三星英特尔 2024-07-18

GTX314L【超强抗干扰-14键触摸芯片-智能门锁芯片】

GTX314L是韩国GreenChip推出的一款14通道电容式触摸芯片，常用于用于智能门锁触摸感应，该款型号支持多点触控，提供14通道按键，拥有超强抗干扰能力、断电记忆功能，过温、过电流保护，能经受反复按键操作

门锁芯片 GTX314L 14键触摸芯片 2024-07-17

8400多亿研发耗尽、3nm芯片良品率仅20%，韩国高端芯片之路何去何从？

三星电子投资8400亿元人民币研发3nm芯片技术，目前成果如何？作者 | 逐一财经·通讯组出品 | 逐一财经

3nm芯片韩国高端芯片 2024-07-01

谷歌自研手机芯片成了，多亏了台积电3nm工艺？

该来的总算要来了。早在几年前制定的自研手机芯片路线图中，谷歌就计划了「两步走」的策略：先依托三星 Exynos 平台和三星芯片制造工艺打造 Tensor 手机芯片，用于 Pixel 手

谷歌手机 SoC 芯片台积电3nm 2024-06-25

intel掀开台积电的老底？台积电3nm芯片，等同英特尔7nm

目前全球最先进的芯片技术，是台积电的3nm，三星的3nm。至于其它晶圆厂，都没有这技术。当然，关于它究竟是真3nm，还是假3nm，外界一直有各种猜测和怀疑，但真理掌握在台积电手中，他说3nm，就是

intel 台积电芯片光刻机 2024-06-20

光刻工艺之涂胶问题

“ 光刻作为半导体中的关键工艺，其中包括3大步骤的工艺：涂胶、曝光、显影。三个步骤有一个异常，整个光刻工艺都需要返工处理，因此现场异常的处理显得尤为关键”

光刻工艺晶圆 2024-06-19

可量产0.2nm工艺！ASML公布超级EUV光刻机：但死胡同也不远了

ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。 ASML

ASML EUV光刻机 2024-06-17

ASML掀老底：3nm芯片实际为23nm，1nm芯片是18nm?

大家都清楚，目前芯片工艺最先进的台积电，早实现了3nm。而苹果的A17 Pro则是全球第一颗3nm的手机芯片，是台积电代工的，这也代表着全球最先进的水平。问题来了，这个3nm到底指的是什么？晶体管大小？栅极宽度？金属半节距？其实都不是，3nm只是一个说法

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-06-17

ASML摊牌：1.4nm、0.5nm、0.2nm芯片时，才要换EUV光刻机

目前ASML对外大规模发售的光刻机叫做标准光刻机，也可称之为LOW NA EUV，意思就是其数值孔径是较低值的，所以称之为LOW，NA=0.33。这种光刻机主要用于7nm及以下芯片的制造，至于往下能够支持到多少纳米？ASML没有说

芯片台积电中芯国际 7nm 光刻机 2024-06-16