中高压MOS管

泰克大家庭的新成员EA电源凭借其突出的产品性能和稳定的质量表现，为中汽研客户验证新能源汽车的高压安全提供保障，助力新能源汽车全面高压化的发展趋势。 不久前，中国汽车技术研究中心发布了国内首个新能源汽车电安全技术验证体系（NESTA）

随着科技的发展，电子消费类、汽车和工业控制等领域对于高压双极霍尔开关芯片的需求也越来越迫切；而在众多的芯片产品中，AH402H以其卓越的性能和可靠性，成为了行业的领军者。 产品描述： AH402H

AH401F是一款采用高压bipolar工艺制程的国产双极霍尔开关芯片；性能卓越具备耐高压、抗噪能力强等特点；能够承受高电压冲击，适用于各种恶劣环境。同时，极强的抗干扰能力，能够有效地抵御外部干扰，确保信号的准确性和可靠性

按照Gartner 公布的数据，2023 年半导体市场规模为 5330 亿美元。 而这5330亿美元的芯片市场中，成熟芯片的占比应该超过30%，而先进芯片的占比不到30%。成熟芯片与先进芯片的分界点是28nm

中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代^[1]具有超结结构的DTMOSVI系

快科技12月28日消息，IEDM 2023国际电子元件会议上，台积电公布了一份野心勃勃的半导体制造工艺、封装技术路线图，已经规划到了2030年。 眼下，台积电正在推进3nm级别的N3系列工艺，下一步

晶体管光电耦合器是一种将光信号转换为电信号的器件，其工作原理是通过光电二极管将光信号转换为电流信号，然后经过晶体管放大，输出相应的电压信号；具有高转换效率较高的灵敏度和快速响应等特点。 由工采网

2023年10月，于英国Clacton－on－Sea。拥有超过50年经验的小型化和高性能舌簧继电器的领导厂商Pickering Electronics公司，将在于11月5日至10日在上海国家会展中心举

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔

中高压MOS管是一种常用的功率器件具有较高的耐受电压能力和功率承载能力；主要用于中高压电路中的功率控制和放大应用；它们通常在几十伏到数百伏的电压范围内工作，并能够承受更大的电流负载。 中高压MOS管

2023 年 7 月 18 日，中国——意法半导体 STHV200超声波 IC单片集成线性驱动器、脉冲驱动器与钳位电路、开关和诊断电路，简化医用和工业用扫描仪设计，缩减尺寸，降低物料成本。STHV20

104HT系列适用于需要耐受高温的各种应用，包括电动车辆、太阳能、高压仪器、IC测试仪等。2023年7月19日，于英国Clacton－on－Sea。拥有超过50年经验的小型化和高性能舌簧继电器的领导厂

为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮

前几天，印度向小米下发的通知，表示要没收小米的555.1亿卢比（约48亿元人民币），而在此之前，印度向小米开了5.6亿元的税收罚单。 这意味着印度一拔就从小米那里抢了53亿多元。我知道小米进入印度差不多10年，最多的一年其利润都不超过5亿元，50多亿元一抢走，相当于这10年白干

6月1日，全球光电混合计算领军企业曦智科技宣布新高管任命，由陈奔博士（Dr． Ben Chen）出任新设置的集成副总裁（Vice President of Integration）一职。陈奔博士（Dr

2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 （iso－buck） 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e－mode）氮化镓器件的供应商奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压（100／150 V）和高电压（650 V）应用的E－mode（增强型）功率GaN FET

ASML作为全球最大的光刻机企业，这几年的态度总是摇摆不定，不过随着中国对美国和日本芯片行业的反击，这让ASML高层震动，ASML高管温克宁就访华表达了积极的态度。一、中国反击日本和美国针对日本计划限

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用

杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管

关于稳压二极管（齐纳二极管）热点问题之一：稳压二极管型号参数怎么看，接下来稳压管专业供应商东沃电子（DOWOSEMI）针对这个问题进行详细阐述，带您一起认识稳压二极管型号和参数。查看东沃电子（DOWO

充电器是采用高频电源技术，运用智能动态调整充电技术的充电设备。（充电器）充电机通过微机控制技术，实现优化的Wsa+Pulse充电特性曲线，充电电流随蓄电池的充电电压的升高而自动下降；结合充电末期的脉冲充电方式，使充电效果更为理想

我们知道，芯片是由晶体管组成的，一个晶体管就是一路电流，代表着一个0与1的开关换算，这样的开关越多，芯片性能就越强，所以对于一颗芯片而言，晶体管越多，性能的性能就越强。 而晶体管里面又含有三个部分，

随着工业自动化和机器视觉的飞速发展，激光测距在检测、测量和控制等诸多应用中已被证明是一种非常重要的非接触式检测方法。同时，激光测距作为激光测速、激光跟踪、激光三维成像、激光雷达等高端技术的前提正受到越来越多的关注

AMD Zen4架构和CCD计算内核设计已经没什么秘密了，但是做辅助的IOD输入输出内核一直比较神秘。直到最近的IEEE ISSCC国际固态电路大会上，AMD终于揭开了它的神秘面纱。AMD Zen4处理器无论消费级锐龙，还是服务器级霄龙，CCD部分都是台积电5nm工艺，最多8个核心

MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路。作为一家专业的分立器件

　　耦合器以光为媒介传输电信号；它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大；所以，它在各种电路中得到广泛的应用；已成为种类多、用途广的光电器件之一　　由工采网