MOS管
MOS管一般指pmos。PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大查看详情>类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
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东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系
东芝 2024-02-22 -
瑞典Roxtec烙克赛克助力深圳光明区综合管廊提升安全性，高效抵御外部侵害
城市基础设施建设中的重要内容之一就是综合管廊，综合管廊是地下空间开发利用的重要渠道。近年来，深圳光明区在现有综合管廊系统的基础上，不断推进管廊连通工程建设和存量管廊的升级改造，提升地下综合管廊设施功能，加强各类管线的入廊、使用和管理，提高综合管廊的利用率
Roxtec 2024-01-02 -
台积电：2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
快科技12月28日消息，IEDM 2023国际电子元件会议上，台积电公布了一份野心勃勃的半导体制造工艺、封装技术路线图，已经规划到了2030年。 眼下，台积电正在推进3nm级别的N3系列工艺，下一步
台积电 2023-12-28 -
MPC814 DIP4封装交流输入光电晶体管耦合器
晶体管光电耦合器是一种将光信号转换为电信号的器件，其工作原理是通过光电二极管将光信号转换为电流信号，然后经过晶体管放大，输出相应的电压信号；具有高转换效率较高的灵敏度和快速响应等特点。 由工采网
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【聚焦】我国瞬态电压抑制二极管市场规模保持增长趋势 行业具有广阔消费市场
随着行业不断发展，我国瞬态电压抑制二极管生产企业数量不断增加，生产规模不断扩大，生产技术及生产效率不断提升，产量不断增长。 瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件
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Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally－Off D－Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E－Mode设计却必须在性能上做出妥协加利福尼亚州戈莱塔
氮化镓功率半导体 2023-10-19 -
UPS不间断电源电路使用的MOS管
中高压MOS管是一种常用的功率器件具有较高的耐受电压能力和功率承载能力；主要用于中高压电路中的功率控制和放大应用；它们通常在几十伏到数百伏的电压范围内工作，并能够承受更大的电流负载。 中高压MOS管
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【洞察】整流二极管市场空间不断扩展 硅整流二极管为其代表产品
硅整流二极管为整流二极管市场代表产品，指以硅半导体材料制成的整流二极管，具有反向击穿电压高、允许通过的正向电流大等特点，应用范围较广 整流二极管又称整流器、信号二极管，指利用PN结的单向导电特性，可将交流电转变为直流电的半导体器件
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TDK 推出为 USB－C 提供完整 ESD 保护的超紧凑型 TVS 二极管
TDK 株式会社（东京证券交易所代码：6762）针对 USB－C 端口和其他高速接口的 ESD 保护应用推出一款超紧凑型TVS 二极管。对于 USB－C 等符合 USB4（第 1 版）规范且传输速度高
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Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮
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AMD发布全新GPU：拥有1530亿晶体管！
美东时间6月13日，AMD举办了新品发布会，ADM最先进GPU Instinct MI300重磅亮相！据AMD CEO苏姿丰介绍，生成式AI和大语言模型（LLM）需要电脑的算力和内存大幅提高。她预计，
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曦智科技宣布新高管任命，加快产品工业化量产布局
6月1日，全球光电混合计算领军企业曦智科技宣布新高管任命，由陈奔博士（Dr． Ben Chen）出任新设置的集成副总裁（Vice President of Integration）一职。陈奔博士（Dr
曦智科技 2023-06-12 -
持续发酵！比亚迪多位高管发声！
5月25日，国内两大车企巨头长城汽车举报比亚迪一事冲上热搜，随后举报事件不断发酵。先是由长城汽车微信公众号发布的声明显示，已就比亚迪秦 PLUS DM－i、宋 PLUS DM－i采用常压油箱，涉嫌整车蒸发污染物排放不达标的问题，向国家有关部门进行举报
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意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 （iso－buck） 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69
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中国的反击起效果，ASML高管又一次释放善意
ASML作为全球最大的光刻机企业，这几年的态度总是摇摆不定，不过随着中国对美国和日本芯片行业的反击，这让ASML高层震动，ASML高管温克宁就访华表达了积极的态度。一、中国反击日本和美国针对日本计划限
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Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用
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ULQ2003ADR芯片 NPN晶体管驱动器
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管
ULQ2003ADR芯片 2023-04-17 -
稳压二极管选型参数有哪些？怎么看？
关于稳压二极管（齐纳二极管）热点问题之一：稳压二极管型号参数怎么看，接下来稳压管专业供应商东沃电子（DOWOSEMI）针对这个问题进行详细阐述，带您一起认识稳压二极管型号和参数。查看东沃电子（DOWO
稳压二极管选型 2023-04-14 -
应用在充电器领域中的中高压MOS管
充电器是采用高频电源技术，运用智能动态调整充电技术的充电设备。（充电器）充电机通过微机控制技术，实现优化的Wsa+Pulse充电特性曲线，充电电流随蓄电池的充电电压的升高而自动下降；结合充电末期的脉冲充电方式，使充电效果更为理想
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突破！北大制造出速度最快、能耗最低，10nm二维晶体管
我们知道，芯片是由晶体管组成的，一个晶体管就是一路电流，代表着一个0与1的开关换算，这样的开关越多，芯片性能就越强，所以对于一颗芯片而言，晶体管越多，性能的性能就越强。 而晶体管里面又含有三个部分，
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紫外光电二极管SG01D-C18用于激光测距仪中控制激光光束能量强度
随着工业自动化和机器视觉的飞速发展，激光测距在检测、测量和控制等诸多应用中已被证明是一种非常重要的非接触式检测方法。同时，激光测距作为激光测速、激光跟踪、激光三维成像、激光雷达等高端技术的前提正受到越来越多的关注
紫外光电二极管 2023-03-21 -
902亿晶体管谁敢比！AMD Zen4 IO内核、3D缓存首次揭秘
AMD Zen4架构和CCD计算内核设计已经没什么秘密了，但是做辅助的IOD输入输出内核一直比较神秘。直到最近的IEEE ISSCC国际固态电路大会上，AMD终于揭开了它的神秘面纱。AMD Zen4处理器无论消费级锐龙，还是服务器级霄龙，CCD部分都是台积电5nm工艺，最多8个核心
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合科泰NMOS管HKTQ50N03与HKTQ80N03应用案例
MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路。作为一家专业的分立器件
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MPC816光耦合器 直流输入、光电晶体管输出完美代替CT816
光电耦合器的功能是将输入的交流电信号转化为光信号，以便于传输是一种将电信号转换成光信号的器件；其特征是：用透明介质做成光通道；有可调的折射率使光能顺利通过；在接收端可检测到两个不同光通量、不同波长和频率
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Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO－220封装氮化镓功率管
目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源能够以更低的成本获得功率密度优势。加州戈利塔－－2023年1月13日－－（美国商业资讯）－－高可靠性、高性能氮
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Transphorm按功率段发布氮化镓功率管可靠性评估数据
该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性加州戈利塔—2012年12月15 日－－高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm， Inc． （Nasdaq： TGAN）今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据
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直流输入光晶体管耦合器MPC356引脚图及功能
耦合器以光为媒介传输电信号；它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大；所以，它在各种电路中得到广泛的应用；已成为种类多、用途广的光电器件之一 由工采网
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如何为汽车智能配电系统选择功率开关管
作者：意法半导体Giusy Gambino今天，车企正在加快汽车技术创新步伐，开发出了电动汽车、网联汽车、自动驾驶汽车、共享汽车等全新的汽车概念。汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源／能源管理
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1460亿个晶体管！AMD带来史上最大芯片：13芯片合一！
1月8日，CES 2023展会上，AMD披露了面向下一代数据中心的APU加速卡产品Instinct MI300。这颗芯片将CPU、GPU和内存全部封装为一体！大幅缩短了DDR内存行程和CPU－GPU PCIe行程，从而大幅提高了其性能和效率
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台积电高管强硬回击，美国芯片绕开台积电是门都没有
台积电与美国芯片的纠葛极受全球芯片行业的关注，早前外媒疯传台积电正在变成美积电，然而近期台积电总裁魏哲家表示台积电的根仍然在中国台湾，美国芯片绕开台积电是“门都没有”。魏哲家表示台积电赴美建设5nm、
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曦智科技宣布多位高管任命，加速产品化商业化进程
近期，全球光电混合计算领军企业曦智科技正式公布了3位公司高管任命：原AMD PCIe IP／SoC负责人胡永强将担任曦智科技全球副总裁，负责公司电子芯片设计研发；前阿里云异构计算首席科学家张伟丰博士被
曦智科技 2022-12-13 -
复旦大学新技术：芯片工艺不变，但晶体管集成密度翻倍
众所周知，芯片都是由晶体管组成的，晶体管越多，芯片性能越强。而每一代工艺的进步，其实最终都是为了在有限的芯片面积中，塞进更多的晶体管。而所谓的XX纳米工艺，其实最终代表的是也晶体管与晶体管之间的距离远近（实际XX纳米不是指晶体管间的距离）
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科信电子携中低压MOS管和三极管等产品和方案成功亮相2022慕尼黑华南电子展！
11月15日－17日，2022慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心圆满举行。慕尼黑华南电子展作为电子行业展览，是行业内重要的盛事。本届慕尼黑华南电子展览会汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等
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芯片晶体管数量提升1亿倍，摩尔定律还会消亡吗？
近期，英特尔（Intel）宣布其研究人员预见到一种通过改进封装和厚度仅为3个原子的材料层使芯片密度提高 10 倍的方法。据悉，在2022年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔发布9篇研究论文，公布多项技术突破，强调公司追求新的2D晶体管材料和3D封装解决方案的计划
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荣湃半导体携数字高压隔离开关（替代光MOS）、半桥驱动等产品亮相2022慕尼黑华南电子展！
11月15日－17日，2022慕尼黑华南电子展览会在深圳国际会展中心成功举办。慕尼黑华南电子展作为电子行业展览，是行业内重要的盛事。本届慕尼黑华南电子展览会汇聚近千家国内外优质电子企业，紧贴行业发展热
半导体 2022-11-28 -
管式多节点可级联土壤含水率-倾角计 ——安全监测专用传感器，高精度低功耗、探测范围广、安装简便
敏源一体化多节点土壤含水率－倾角计CISS（Cascaded Integrated Soil Sensor）是管式安全监测专用传感设备，可级联多个节点深埋于土壤中探测不同层土壤水分含量、倾角、温度的变
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美阔丨MPC354三极管型光电耦合器主要特性参数
光电耦合器能够在电路中起到代替继电器、变压器等器件的作用，而用于隔离电路、开关电路、数模转换、逻辑电路、过流保护、长线传输、高压控制及电平匹配等。 三极管输出型光电耦合器的特点，是具有很高的输入输出绝缘性能，频率响应可达300kHz，开关时间数微秒
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