外延
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国内最大碳化硅外延片企业即将港股IPO
前言: 中国碳化硅功率半导体器件市场自2019年起,市场规模从7亿元迅速扩大至2023年的41亿元,年复合增长率达到53.7%。 与此同时,国内碳化硅外延片市场亦从2019年的4亿元快速增长至2023年的17亿元,年复合增长率为41.2%
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两年前的政策今“提现”,中国半导体外延片替代化加速
前言: 碳化硅外延片,是指利用碳化硅材料进行外延生长的片状材料。 这个行业虽然在国内尚属于新兴行业,但却因其在半导体、光电、新能源等领域的应用前景广阔而备受关注。 作者 | 方文三
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车规碳化硅功率模块 - 衬底和外延篇
安森美中国区车规功率模块产品线经理- 陆涛中国汽车工业协会最新数据显示,2022年1月至11月,新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆,同比均增长1倍,市场占有率达到25%。由此可见新能源汽车的发展已经进入了快车道
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超越摩尔,中国动了外延设备市场的利益?
文︱立厷图︱网络Yole半导体制造技术与市场分析师Vishnu Kumaresan博士说:“我们正处于一个关键的历史时期,我们周围的每一台设备都在变得更加智能、绿色和紧凑。”他补充道:“即使是令人痛苦的新冠疫情也通过进一步加快技术创新对半导体行业产生了积极影响
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一文了解砷化镓基板对外延磊晶质量的影响
最近做芯片和外延的研究,发现同样的外延工艺和芯片工艺做出来的芯片性能差别很大,大到改变试验设计的“世界观”。基板衬底的质量好坏很关键。 今天专门扒一扒砷化镓GaAs系外延基板的问题,以及砷化镓外延
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基于简单支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长
本文中通过光学显微镜,AFM,SEM和拉曼光谱研究了在每个晶片上获得的4H-Si薄膜的结构性质。结果表明,在每个晶片的内部区域可以获得高质量的同质外延生长4H-SiC薄膜。
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通过氯化氢化学气相沉积法对厚4H-SiC薄膜同质外延生长的工艺优化
本篇文章中提出了一种通过氯化氢化学气相沉积(HCVD)在4°切割基板上快速同质外延生长厚的4H-SiC薄膜的工艺优化方法。所使用的气体是HCl与SiH4,C2H4和H2的混合物。得到的4H-SiC薄膜通过Nomarski,AFM,Raman和XRD等方法进行表征。
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激光器外延片供应商爱思强MOCVD系统再夺台湾LandMark订单
德国沉积设备制造商爱思强(Aixtron)表示砷化镓(GaA)和磷化铟(InP)外延片供应商台湾LandMark光电公司已再次下达用于激光二极管器件的AIX 2800G4-TM 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统采购单,预计该订单将于2016年第一季度交付。
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BluGlass刷新订单记录:LED外延片代工研发
位于澳大利亚银水的BluGlass公司表示,公司主要的外延片客户承诺将于未来六个月内下达30万美元的代工研发订单。此客户正在研发专门的LED应用程序,BluGlass将为其独特的产品提供发光二级管(LED)蓝绿光外延片。
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