ALD
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立足产业发展新阶段,思锐智能以先进ALD技术拓展超摩尔时代新维度
日前,以“凝聚芯合力,发展芯设备”为主题的第十届(2022)中国半导体设备年会(CSEAC)在无锡太湖国际博览中心隆重召开。中国集成电路创新联盟秘书长、中国半导体协会集成电路分会理事长叶甜春在致辞中强调,中国集成电路发展到现在,确实需要进入新的阶段
思锐智能 2022-10-31 -
SRII重磅推出两款ALD新品,满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
原子层沉积(ALD)工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年,ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造,不断推动诸如动态随机存取存储器(DRAM)、先进的鳍式场效应晶体管(FinFET)以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新
思锐智能 2022-01-27 -
SRII重磅亮相CICD 2021,以先进ALD技术赋能第三代半导体产业
功率器件作为半导体产业的重要组成部分,拥有非常广泛的技术分类以及应用场景。例如,传统的硅基二极管、IGBT和MOSFET等产品经过数十年的发展,占据了绝对领先的市场份额。不过,随着新能源汽车、数据中心
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40年ALD积淀助力超越摩尔,思锐智能完成第一阶段发展布局
沉积、光刻、刻蚀以及等离子注入是半导体和超越摩尔领域制造工艺的4大关键技术。在新晶圆产线的投资建设中,约80%的投资用于购买设备,薄膜沉积设备更是占据其中约25%的比重。业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积(ALD)、物理式真空镀膜(PVD)和化学式真空镀膜(CVD)等
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