模拟电路设计系列讲座十二：三极管高频等效模型
上一节重点介绍了三极管的低频等效模型－“hybrid－pi”模型，低频等效模型其实并不完善，因为这一模型没有任何带宽的限制，只适用于低频运行下的近似分析。这一节我们将进一步考虑给三极管带来带宽限值的寄生参数，从而对hybrid－pi低频等效模型进行完善。
我们知道任何的PN结都会存在结电容，因此我们可以预见到三极管的base－emitter和base－collector都存在着结电容，这些结电容会随着PN结之间的电压而变化。
另外由前面章节我们知道三极管base－emitter之间存储的电荷会随着Vbe之间的偏置电压的变化而变化，Vbe增加，Base存储的电荷就会增多，base－emitter之间存储电荷的变化可以等效成结电容的变化。
因此我们得到三极管的高频等效模型如下：
其中：
Cje： Base－emitter之间的耗尽型电容
Cb： Base极扩散电容
Cjc： Base－collector之间的耗尽型电容
接下来我们对上述三极管高频等效模型进行一些优化和修改。
1）把Cb与Cje统一成单一的结电容CΠ
2）把Cjc重新命名为Cμ
3）增加基极等效电阻rx
最后的高频等效如下：
那么我们怎样从规格书中得到CΠ和Cμ那？Cμ相对简单，它就是base－collector之间的结电容。我们先要知道base－collector之间的结电压，然后根据结电容与结电压之间的曲线决定出Cμ。
CΠ相对复杂，我们需要间接得到CΠ。一般来说，三极管的规格书中会给出电流增益－带宽曲线图，从此图中我们能够得出电流增益为1的频率点ωT。
进一步由三极管高频等效模型推导电流增益－带宽 fT。
近似得出：
从而：
因此，我们可以利用如下关系式得到三极管的等效电容参数CΠ和Cμ。
下一节我们将介绍三极管规格书上的一些重要参数。
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