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陈星弼院士去世:中国功率半导体器件领路人

2019年12月4日17时10分,国际著名半导体器件物理学家、微电子学家,中国科学院院士,IEEE Life Fellow,九三学社社员,电子科技大学教授陈星弼先生,因病医治无效在四川成都逝世,享年89岁。

据了解,陈星弼于1931年1月出生在上海,祖籍浙江省金华市浦江县;

1952年,陈星弼毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作;

1956年,陈星弼开始在电子科技大学任教;

1983年,陈星弼担任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长,曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者;

1999年,陈星弼当选中国科学院院士;

2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

贡献巨大,被誉为“中国功率半导体器件领路人”

由于对我国功率半导体器件领域做出了巨大贡献,陈星弼院士被誉为“中国功率半导体器件领路人”。上世纪五十年代末,他在国际上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了系统的理论分析;七十年代,他在我国率先制造硅靶摄像管;八十年代以来,从事功率半导体器件的理论与结构创新方面的研究;八十年代末他提出了两种新的耐压层结构,并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构打破了传统功率器件的硅极限,被国际学术界称为“功率器件的新里程碑”。

此外,陈星弼院士率先在中国立项并主导研发了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件,并率先提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。

陈星弼院士的三项重要发明使电力电子器件发展上升新的台阶。其中,第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论,得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现,98年在国际电子器件会议(旧金山)发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压(功率)集成电路中的横向器件,可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容,使这种电路不仅性能优越,而且成本节省,可立足国内,并正在走向产品开发,获得国家发明奖及国家科技进步奖二项,省部级奖十三项。这些发明打破了传统极限理论的约束,使器件的电学性能得到根本性的改进。

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