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IBM所制造的2nm工艺芯片,有哪些优势?

近日,IBM宣布制造出全球首款以2nm工艺打造的半导体芯片。该芯片与目前主流的7nm工艺相比,在同等电力消耗下,性能提升45%、能耗降低75%。

据悉,本次IBM所采用的使GAA技术,也就是环绕栅极晶体管技术。根据IBM介绍,这是首次采用底介电隔离通道,可以使实现12nm的栅长,可以减少电流泄漏,有助于减少芯片上的功耗,其内部间隔是第二代干法设计,有助于纳米片的开发。IBM芯片采用了三层GAA纳米片,每片纳米片宽40nm,高5nm,间距44nm,栅极长度12nm。

根据提供的数据来看,台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管,三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管,IBM 2nm晶体管密度达到了台积电5nm的2倍,预计比台积电3nm工艺的晶体管密度还要多。

其实,IBM在7nm和5nm领域都具备相当优势的主导权,并均实现量产。不过IBM目前并没有自主的晶圆厂,如果此款2nm工艺的芯片想要顺利落地,也需要三星、Intel等代工厂的帮助。

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