近日，露笑科技股份有限公司（以下简称“露笑科技”）发布投资者关系活动记录表，针对产线产能及未来扩产计划等话题进行了回应。具体内容如下：

有投资者提问称，公司产线11月全面投产，目前产能情况如何？未来有无扩产计划？露笑科技表示，目前公司现有的衬底片年产能为2．5万片，后续将根据市场订单情况继续进行扩产，预计到明年6月份之前，公司将年产能扩大到10万片。

此前，露笑科技表示在6寸碳化硅的长晶领域有独到的技术支持，对于目前长晶技术方面有无申请专利？长晶过程的关键点在哪里？对此露笑科技表示，SiC晶体生长经历了三个阶段，即Acheson法（1891年）、Lely法（1955年）、改进的Lely法（1978年）。Acheson法主要用来生产磨料，现在仍是生产磨料的主要方法，鳞状单晶片是副产品。Lely法的应用使SiC晶体生长向前迈进了一步，但是和Acheson法一样，由于无法有效控制成核，单晶尺寸小，阻碍了SiC晶体的应用。1978年，前苏联科学家Tairov和Tsvetkov在前人的基础上，率先使用籽晶生长出SiC单晶，称为改进的Lely法。这是一个划时代的发明，极大地促进了SiC晶体的生长和应用。西屋科学技术中心的科学家对改进的Lely法进行了优化，称之为物理气相输运技术（PVT）。PVT法是目前生长SiC单晶最优异的方法。

从SiC晶体生长的简单历史回顾看出，由于Tairov和Tsvetkov两位科学家以论文的形式（Yu．M．TairovandV．F．Tsvetkov，InvestigationofGrowthProcessIngotsofSiliconCarbideSingleCrystal，J．Cryst．Growth，43：209－212，1978）报道了他们的研究成果，而没有申请专利，因此SiC晶体生长技术（这里专指PVT法）是公开的技术，任何单位和个人都有权使用这种方法生长SiC晶体。

6英寸碳化硅晶体生长的关键在于温场的调控和籽晶的粘接，这些所谓的“know－how”是晶体生长研究者长期实践的总结，一般是不申请专利的。目前已公开的SiC晶体生长专利主要侧重于生长设备、晶体生长的某些细节或籽晶处理等方面。露笑技术团队经过坚持不懈的技术攻关，全面掌握了生长工艺参数之间的耦合关系，确定了各工艺参数的优值，具备了可重复、可批量生长碳化硅晶体的设备及技术条件。基于技术保密的需要，露笑暂未申请相关专利，待时机成熟后公司会加大专利布局的力度。

被问及公司提供的衬底产品在全球处于什么水平，可否用于SiC功率器件时，露笑科技表示，公司生产的6英寸导电型4H－SiC衬底片已通过下游厂商验证，各项参数达到了P级工业应用的国际标准，产品品质处于第一梯队。公司的碳化硅衬底片既可用于碳化硅肖特基二极管（SBD），也可以用于金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）器件，能满足绝大多数场景碳化硅功率器件的要求。

目前，露笑科技的衬底片应用领域包括碳化硅SBD二极管和MOSFET管，可以广泛应用于新能源汽车、光伏等各个领域。公司的碳化硅衬底片车企和光伏领域都能应用，目前与下游一些知名厂商在积极接洽中。目前公司碳化硅衬底片生产工艺稳定，水电气等运行也一切稳定，规模化量产不存在问题。