近日，河北中瓷电子科技股份有限公司发布公告称，公司将通过发行A股股份的方式购买中国电科十三所的氮化镓通信基站射频芯片业务，以及河北博威集成电路有限公司和北京国联万众半导体科技有限公司。

（图源中瓷电子公告）

此外，中瓷电子已于2022年1月14日与中国电科十三所签署了《股权收购意向协议》。中瓷电子或通过此次收购而新增射频芯片业务。

据了解，中瓷电子主要从事电子陶瓷系列产品研发、生产和销售的高新技术企业。公司主要产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、大功率激光器外壳、3D光传感器模块外壳、5G通信终端模块外壳、氮化铝陶瓷基板等，广泛应用于光通信、无线通信、工业激光、消费电子、汽车电子等领域。

国内电子陶瓷产业实现国产替代

目前国内陶瓷外壳市场规模超200亿，且随着下游领域的高速成长，增量市场十分可观，不过，在全球陶瓷封装市场里，国内厂商营收市场份额较低，据QYResearch数据统计，2019年日本京瓷和日本NGK／NTK营收占比分别高达43．16％和38．43％，中瓷电子占比3．52％，为中国厂商第二，第一名潮州三环集团也仅占5．04％。在政策支持、需求强劲、海外巨头垄断、国产化需求迫切多个因素下，电子陶瓷国产化前景广阔。

而中瓷电子是国内唯一有能力制备高端陶瓷外壳的企业，高端陶瓷外壳广泛应用于电子元器件制造中，是电子元器件制造不可或缺的基础材料。

在产能方面，中瓷电子拥有高端电子陶瓷外壳批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强，打破了国外行业巨头的技术封锁和产品垄断，填补了国内空白。

在技术方面，中瓷电子具有仿真设计、陶瓷材料及金属化体系和多层共烧工艺技术等全套陶瓷外壳自主开发能力，是国内规模最大的高端电子陶瓷外壳生产企业。

据公开资料显示，2017年－2019年，中瓷电子的营业收入分别为3．43亿元、4．07亿元和5．90亿元，归母净利润分别为4659．03万元、5868．69万元和7641．59万元。其中，通信器件用电子陶瓷外壳销售收入基本稳定在 70％左右。

（图源中瓷电子公告）

目前，中瓷电子已成为大批国内外电子行业领先企业的供应商，在无线通信领域，NXP、Infineon 等世界知名的半导体公司为公司客户；国内的通信厂商华为、中兴也和中瓷电子建立了合作关系，合作范围不断扩大。

中瓷电子在高端电子陶瓷产品领域的崛起，确保了国产原材料供应的及时、安全和可靠，使国内电子陶瓷领域进一步实现自主可控。

开拓GaN射频芯片市场

在电子陶瓷领域突破国际封锁之后，中瓷电子又开拓了GaN射频芯片业务。

射频芯片是无线通信设备的一个核心部件，为天线与数字基带系统之间的组件，包括射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器、双工器、射频滤波器等芯片。主要应用于5G 基站建设、5G 手机、5G CPE 等设备。

据 Yole Development 预测，2019 年射频前端市场为 152 亿美元， 到 2025 年有望达到 254 亿美元，2020－2025 年年均复合增长率将达到 11％。视频芯片市场的增长，得益于 5G 手机出货量的快速增长以及 5G 通信复杂技术和应用所带来的价值量提升将带动射频前端市场规模迅速提升。Yole Development 预测，2020－2025 年 5G 智能手机的年均复合增长率将高达 30％，整体手机市场将因为 5G 手机的强势渗透而逐步恢复。

除了智能手机领域外，在5G基站建设领域，射频芯片也有所应用。据Yole development 数据显示，2018 年，基站端氮化镓射频器件市场规模不足 2 亿美元，预计到 2023 年，基站端氮化镓市 场规模将超 5 亿美元。氮化镓射频器件市场整体将保持 23％的复合增速，2023 年市场 规模有望达 13 亿美元。

为进军射频芯片产业，中瓷电子准备充分，不仅收购了中国电科十三所的氮化镓通信基站射频芯片业务，还收购了国内两家射频芯片企业。

中瓷电子此次收购的博威集成电路有限公司来头不小，据了解，河北博威集成电路有限公司是国内最大的专业化微波、射频集成电路、基站用GaN（氮化镓）射频芯片研究和生产的企业。

由于5G需要大规模MIMO和Sub－6GHz部署，需要使用毫米波（mmWave）频谱，GaN技术有助于实现更高数据速率等目标。针对GaN功放在基站领域的应用，博威公司解决了GaN功率器件在基站领域高线性应用中的大量关键技术，研发出国内首款具有全部知识产权的3．5GHz 110W GaN基站功率管，系统指标及可靠性水平达到国际水平，填补了国内基站功放的空白，具有里程碑意义。

目前博威公司已完成全系统大功率GaN功放的研究工作，成功研发出国内首款5G基站大功率GaN功率放大器，成为国内唯一实现GaN大功率基站功放批量生产的企业。

国联万众则是一家做民用射频器件的IDM公司，核心产品主要是GaN射频芯片和SiC，目前，国联万众已实现SiC4英寸衬底量产，6英寸小批量供货；650V和1200V SiC二极管量产，MOSFET开始试用；GaN射频和SiC功率器件产品实现量产。

庞大的市场规模，也许就是中瓷电子开拓射频芯片业务的原因，在射频芯片国产替代化的发展趋势下，中瓷电子如果能把握住这次发展机遇，将为其的营收带来明显的加速成长。