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国产光刻胶大进步:90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

众所周知,在芯片的制造过程中,需要的设备、材料非常多。其中像光刻机、光刻胶都是当前严重卡脖子的产品。

拿光刻胶来说,分为5种,分别是g线、i线、KrF、ArF、EUV。其中g线、i线主要用于250nm以上工艺,国内的自给率约为20%。

国产光刻胶大进步:90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

KrF一般用于250nm-130nm工艺,国内的自给率约为5%,ArF一般用于130nm-14nm,2021年之前国内就无法生产,主要靠进口,至于EUV光刻胶主要用于7nm及以下工艺,就更加不用说了,完全靠进口。

不过从去年开始,国内几大光刻胶厂商在光刻胶上面有了较大的进步,已经研发出了ArF光刻胶,比如南大光电等,去年下半年时表示已经用于50nm制程的存储芯片上,通过了客户验证。

国产光刻胶大进步:90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

而近日,南大光电表示,旗下用于90nm-28nm制程的ArF光刻胶已分别通过存储芯片制造和逻辑芯片制造企业验证。

意思是其研发的ArF光刻胶,已经可以用于最高工艺为28nm的存储芯片和逻辑芯片了,毕竟验证通过后,就可以出货给客户了。

南大光电甚至表示,其中一家客户从去年8月份起,就一直正常购买公司的光刻胶产品,只是因为是客制化产品,暂未形成规模销售。

国产光刻胶大进步:90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

对此,不知道大家怎么看?光刻胶作为芯片制造中必不可少的材料,用量虽然少,但非常重要,没有其它替代品,之前一直被日本厂商垄断着,韩国都曾被卡住了脖子。

如今中国厂商能够推出用于28nm的ArF光刻胶,真的是一个重大进步,相信接下来继续推进,达到14nm也不会太难了。

也希望整个国产半导体产业链,也能够像光刻胶一样,先进推进到28nm,再推进到14nm,那样也就没有太多担心的了,毕竟搞定14nm,就能够生产全球至少80%的芯片了。

       原文标题 : 国产光刻胶大进步:90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

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