侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

明明是5nm,却说4nm,台积电、三星工艺造假又被吐槽了

近日,有媒体表示,台积电三星两家先进的代工厂,放任客户称他们的芯片使用了4nm工艺,但其实还是5nm,这其实是工艺造假。

媒体报道称,原本高通的骁龙8Gen1是5nm工艺的,但为了市场及营销的需要,高通和三星决定将8Gen1作为4纳米芯片推出。

同样的,联发科天玑9000也是5nm工艺的,但看到三星与高通推出了4nm,于是台积电与联发科,也宣称自己天玑9000,也是4nm了。

明明是5nm,却说4nm,台积电、三星工艺造假又被吐槽了

而根据专业人士的分析,不管是骁龙8Gen1,还是天玑9000系列,所谓的4nm工艺,在物理结构上,与这两家公司的5nm工艺并没有什么不同之处,纯粹就是将5nm,说成是4nm,玩数字游戏。

事实上,在几年前,就有知名芯片厂商表示,台积电、三星均在在工艺制程上玩营销游戏,他们喜欢将数字说得越小越好,但实际并不是真正的XXnm工艺。

明明是5nm,却说4nm,台积电、三星工艺造假又被吐槽了

以前,所谓的工艺制程,与晶体管密度是保持着严格的相关性的。工艺提升,晶体管密度就会提升,相同的工艺下,即使是不同的厂商,其晶体管密度基本也不会相差太多的。

但到了10nm后,台积电、三星的工艺节点,与晶体管密度就开始脱钩了,不再具备严格的相关性了。

明明是5nm,却说4nm,台积电、三星工艺造假又被吐槽了

如上图所示,这是某机构根据台积电、三星、intel的技术资料,列出来的制程工艺与晶体管密度的对比图。

我们发现三大厂商,在不同的工艺下,其晶体管密度是截然不同的,水份最高的是三星,图中可以看出,intel的7nm,从晶体管密度来看,与台积电的5nm、三星的3nm是相同的。

另外三星在10nm、7nm,其晶体管密度与台积电是一致的,但后来就变了,密度越来越低,比台积电低一代,比intel低2代了。

明明是5nm,却说4nm,台积电、三星工艺造假又被吐槽了

对此不知道大家怎么看?现在工艺提升越来越难,每提升一代需要的时间越来越长,这也导致晶圆厂们,开始搞虚假动作了。

搞得intel现在都没办法,在工艺上都不得不与三星、台积电“同流合污”,改变了自己的命名规则,成为了虚假工艺中的一员,比如原本的英特尔10nm工艺被重新命名为了Intel 7,对应台积电的7nm工艺,而原本的7nm,叫做intel 4,对应台积电4nm工艺……

如今,制程工艺节点的命名,完全失去了应有的意义……谁也不知道真正的工艺节点是啥了,晶圆厂说啥就是啥。

       原文标题 : 明明是5nm,却说4nm,台积电、三星工艺造假又被吐槽了

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

    电子工程 猎头职位 更多
    扫码关注公众号
    OFweek电子工程网
    获取更多精彩内容
    文章纠错
    x
    *文字标题:
    *纠错内容:
    联系邮箱:
    *验 证 码:

    粤公网安备 44030502002758号