圆满收官、期待再会!蓉矽半导体携碳化硅功率器件惊艳亮相2022慕尼黑华南电子展
2022慕尼黑华南电子展(以下简称“慕尼黑展”或“展会”)于11月15日正式开展,展会已于17日圆满闭幕。本届慕尼黑展汇聚近千家国内外优质电子企业,涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业,展示了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等丰富内容。
展出期间,OFweek维科网·电子工程直播采访了成都蓉矽半导体有限公司(以下简称“蓉矽半导体”)总经理戴茂州先生,他详细为我们介绍了蓉矽半导体的核心优势、产品开发理念和技术亮点。
成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年,是一家专注于碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业。蓉矽半导体拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队,整合了台湾与欧洲的先进碳化硅制造工艺平台,结合大陆封测和应用解决方案建立了完整的供应链,并根据不同的应用场景推出了高性价比的NovuSiC?系列产品和高可靠性的DuraSiC?系列产品。
惊艳亮相慕尼黑电子展
蓉矽半导体向OFweek维科网·电子工程重点介绍了以下三款产品。
首先是1200V、20A NovuSiC® EJBS™碳化硅二极管。这款产品针对光伏应用场景设计,通过创新性器件结构与工艺的完美结合赋予了JBS结构器件可媲美MPS结构的高抗浪涌电流能力(11倍以上),可承受288W功率,最大26A电流。
接下来是MCR®硅基理想二极管。这是蓉矽半导体从电子科技大学技术引进的专利技术,具有高抗浪涌电流能力(30倍)、高结温性能稳定(175℃)、低导通压降(低至0.8V)和高击穿电压(高达300V)等优越特性。
OFweek维科网·电子工程了解到,这可以说是一款没有短板的二极管,特别适合需要低漏电、低损耗的应用。
最后是1200V/75mΩ NovuSiC® 碳化硅MOSFET,它的动态性能达到了国际水平,短路耐受时间>3μs,V(GS)=18V时,Ron,sp=4.17mΩ.cm2,各项指标全国领先。据戴总介绍,蓉矽半导体即将在年底进行MOSFET G2的首次流片,可实现当今国际最先进的产品性能。
为华南市场提供全面的解决方案
OFweek维科网·电子工程向戴总了解到,华南地区是蓉矽半导体业务推广的重点区域,公司在华南市场为光伏、储能、充电桩、OBC等应用提供全面的解决方案。在500W便携式储能电源应用中,相较FRD,蓉矽MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温。在20kW直流充电模块中,相较硅基器件,蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%;降低总损耗50%以上;提升效率约2%,峰值可达97%以上。
采访中,戴总也谈及自己下对华南电子行业趋势和发展方向的看法。他表示,华南地区拥有国内最大的半导体及集成电路应用市场,供应链保障能力和现代化水平位居国内前列。蓉矽半导体拥有全供应链IATF 16949认证和极富经验的国际化团队,在理想硅基二极管MCR、碳化硅二极管EJBS®和碳化硅MOSFET的研发过程中精益求精,产品各项性能指标一骑绝尘。蓉矽半导体将继续以行业最高标准为基础,为华南市场提供品质过硬的产品,推动该地区电子行业可持续发展。
据悉,蓉矽半导体已经设立了华南地区办事处,正在筹备应用支持中心,以立足当地市场研发针对性产品和方案,提供应用技术指导,为客户提供“同等价位条件下性能最优、同等性能条件下价格最优”的“双优”服务。
戴总谈此次慕尼黑展会感受
开展三天以来,蓉矽半导体展台吸引了众多硬科技从业者和产业界人士驻足观看、询问交流。
谈及此次参展感受,戴总表示,“这是我们第一次参加慕尼黑华南电子展,希望能够借助这一平台让世界看到我们!”。他同时表示,之后的慕尼黑华南电子展以及下一届慕尼黑上海电子展,蓉矽半导体都会积极参与进来,希望能够寻找合适的协作伙伴,拓宽华南地区销售渠道,让客户认识、了解蓉矽半导体,让蓉矽半导体为客户提供性能强劲的产品,成就“双赢”局面
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