英特尔造芯,雷声大,雨点小,就像是“纸老虎”
目前,全球进及10nm及以下的芯片厂商就三家,分别是台积电、三星、intel。
其中台积电、三星以晶圆代工为主,而intel是IDM厂商,之前主要为自己造芯。不过去年intel换了CEO后,提出了一个IDM2.0计划,那就是也对外代工,与三星、intel争市场。
不过从现在的情况来看,intel的这个IDM2.0计划,那是雷声大,雨点小,看起来就像是“纸老虎”。
intel的雷声有多大?英特尔目前仅能生产7nm芯片,并且这个产能还很小,但表示要3年搞出4代工艺革新。
如下图所示,intel到2023年要实现intel3工艺,相当于台积电的3nm,到2024年要实现intel20A工艺,相当于台积电、三星的2nm,这是直接就超过台积电、三星了。
而到2024年,intel还要搞定intel18A工艺,也就是18埃米,1.8nm,比三星、台积电还要领先了。
除了工艺制程外,从Intel 3nm开始,intel还要采用全新的RibbonFET晶体管取代当前的FiFET,引入革命性的PowerVias背面供电技术。
而这个所谓的RibbonFET其实是对GAAFET(环绕栅极)晶体管的改进,后者已被三星3nm首发,intel意思是,我在3nm时,技术比三星的这个还要更牛。
口号是这样喊出去了,但是,目前intel的代工业务,表现却不那么给力,进展也不那么顺利,intel4都不知道什么时候能够实现。
至于明年搞定intel3工艺,业内基本上没什么人看好,要知道英特尔当年的14nm工艺都打磨了5年,才进入10nm,而7nm一再跳票,也折腾了两年。
现在说3年要搞出4代工艺革新,率先进入2nm、1.8nm,很多人认为不可能,甚至有人认为在代工领域,intel就是个“纸老虎”,不可能与台积电、三星等去PK。
不过也有人说了,intel之前工艺进展慢,是因为intel工艺不造假,一切按照摩尔定律来,晶体管密度,远比台积电、三星更高。如果intel也学台积电、三星一样,开始工艺掺水,那还是很容易搞定的,不就是虚标数字嘛。
那么问题来了,intel在2024年能实现20A、18A工艺么?估计台积电、三星也都在等这个答案。
原文标题 : 英特尔造芯,雷声大,雨点小,就像是“纸老虎”
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