三星电子将投入2300亿美元在韩国首尔近郊兴建五座晶圆厂，但晶圆代工龙头台积电似乎更胜一筹。据台媒报道，未来五年内，台积电在中国台湾建设的3nm及2nm晶圆厂合计将超十座，以先进制程月产能3万片晶圆厂投资金额约200亿美元估算，总投资金额将超过2000亿美元，并且带动包括材料、设备等供应链厂商发展。

其中，3nm厂房方面，将以南科Fab 18厂区为主体，已完成Fab 18厂区第五期至第八期共四座3nm晶圆厂，未来将视市场需求决定是否兴建第九期的3nm晶圆厂；2nm厂房方面，预计会落脚在新竹与台中科学园区，共计有六期工程，已按计划持续进展中。

根据台积电公布资料，台积电在竹科宝山二期兴建的2nm超大型晶圆厂Fab 20，将会兴建第一期到第四期共4座晶圆厂，台积电正在争取中科台中园区扩建二期开发计划的建厂用地，在取得用地后会再兴建2座2nm晶圆厂。

先进制程进展几何？

台积电3nm采鳍式场效电晶体（Fin Field－Effect Transistor，FinFET）架构在去年第四季度如期量产后，后续3nm阵容持续扩大，包含N3、N3E、N3P与N3X等。

在去年12月29日举办的3nm量产暨扩厂典礼上，董事长刘德音表示，台积电3nm制程的良率已经和5nm量产同期的良率相当，3nm技术将被大量应用在推动未来的顶尖科技产品中，其中包括超级电脑、云端资料中心、高速的网际网路及行动装置等，包含未来的AR／VR。在5G及高速运算相关应用的大趋势驱动下，台积电3nm制程市场需求非常强劲。

据了解，台积电3nm以南科晶圆十八厂作为主要生产基地，并无外传于竹科生产3nm的状况。另外，台积电预估3nm制程技术量产第一年带来的收入将优于5nm在2020年量产时的收益，预计3nm制程技术将在量产五年内释放全世界约1．5兆美元终端产品的价值。

2nm方面，台积电官宣已经正式启动2nm工艺研发，预计2024年投入生产。按照台积电给出的指标显示，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track（金属单元高度）和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch（晶体管栅极间距）缩小到30nm，Metal Pitch（金属间距）缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，且从晶体管结构示意图来看跟前代目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步可以说是堪称奇迹。

今年1月，台积电总裁魏哲家在法说会上指出，台积电2nm进度比原先预期来得好，维持风险试产2024年、量产2025年。据悉，台积电的2nm技术在相同功耗下，相比3nm工艺的速度快10～15％；相同速度下，功耗降低25～30％。

值得注意的是，先进制程进展提速虽说是一件好事，但另一方面，台积电赴美建厂的消息却出传出了变数。据知情人士透露，台积电在美国亚利桑那州投建的晶圆厂并不太顺利，工厂的整体建设与设备装机进度比计划都落后不少，原计划明年量产 4nm生产线，按当前进度最早也得在2025年才能投产。

显然，台积电建厂的计划明显推迟，更让人担心的是，目前有不少美企已经向台积预定了2024年5nm的订单。如果台积电将美国工厂的量产时间推迟，意味着订单无法按时交付，不仅对台积电的营收、利润造成很大影响，更或者将面临巨额的赔付，甚至造成客户流失。