国产光刻机不突破，我们EDA、设计、封测达到3nm，都是假的
最近，国产芯片产业链又传出好消息了，那就是有一家国产EDA企业表示，目前公司的EDA产品，已经支持3nm节点了，这确实算是一个大突破了。
再结合之前国产芯片产业链的消息，有网友表示，目前我们的EDA工具已经达到3nm了，还有设计、封测芯片的能力，也都达到3nm了，卡脖子的环节一个一个被攻克，摆脱对外依赖可期。
更有夸张一点的人激动的称，我们马上就要实现全产业链3nm了，再也不怕卡脖子了，只差一步，这一步就是制造了。
说真的，这几年国产芯片产业链的好消息确实不断，各种EDA、封测、设计等等不断突破，还有自研指令集、GPU等等也是不断突破。
但是，我们要认清一个现实，那就是目前国内众多的突破，如果缺少了国产光刻机的突破，那就是假的，是空中楼阁。
为什么这样说？原因在于芯片能力，最遵循短板理论的，其实际的水平取决于最落后的那一块。
这个怎么理解呢？比如芯片的设计、制造、封测这三个环节中，我们的真正能力决于当前最落后的制造能力，目前我们的制造能力是14nm。
而芯片制造过程，需要几十上百种设备，几十上百种材料，而这个真实能力，又取决于这些设备、材料中，最落后的那一环。
目前光刻机应该是我们最落后的那一环了，国产光刻机的分辨率还在90nm，是一台干式DUV光刻机，理论上来讲，能支持的最高工艺应该是65nm左右。也就是说，65nm才是我们真正的芯片能力。
所以就算我们有3nm的EDA、有3nm的芯片设计能力，能封测3nm的芯片，甚至更先进的一点，这些全部达到了1nm工艺，又能如何呢？
只要国产光刻机没有突破，我们的真实能力就是在65nm，那么只要美国愿意，只要针对光刻机一卡，就卡死在65nm了。
所以，没有光刻机的突破，其它的突破，都是假的，因为任何芯片，在设计出来后，最后都要制造，而制造就需要光刻机，没有例外。
当然，话又说回来，有任何突破都是好的，不管是EDA，还是设计，或者是封测，只是我想让大家清楚一个事实，那就是先别自嗨，扎实把基础打牢才是正道。特别是光刻机，必须突破，否则会严重拖后腿。
原文标题 : 国产光刻机不突破，我们EDA、设计、封测达到3nm，都是假的
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