中国芯在EDA、设计、封测上均实现了3nm，只等光刻机了
近日，国产EDA厂商概伦电子表示，公司研发的关键EDA产品，已经支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点。
这意味着国内目前已经有两家EDA厂商，其EDA产品，支持到了3nm这种最先进的工艺，另外一家是华大九天。
事实上，从现在的情况来看，国产芯在EDA、设计、封测这三个环节均实现了3nm，达到了全球领先水平，现在只有制造卡在14nm了，而制造则主要卡在光刻机上。
先说EDA，前面已经提到过，华大九天、概伦电子的EDA产品，已经实现了3nm，不过这里大家要注意的是，并不是所有的流程环节均实现了3nm，只是部分产品达到了这个工艺。
但是，只要有一个部分达到了3nm工艺，并且被客户使用了，那么后续其它环节达到3nm也就容易了。
再说说设计这一块，这一块应该是国内芯片厂商的强项了，之前倪光南院士也表示，芯片设计能力，我们和世界水平是基本持平的。
目前国内能够设计3nm芯片的厂商，并不少，华为肯定是可以的，这一点不用怀疑，麒麟9000系列是一颗5nm的芯片，而芯片设计企业一般至少要提前2年就设计芯片，意思着在麒麟9000芯片推出时，华为就已经开始着手设计3nm芯片了。
另外去年三星3nm芯片量产时，首批客户就是中国大陆的客户，只是是一些矿机客户，但也说明3nm的设计水平，国内早就达到了。
最后再说一说封测，这一块是中国大陆半导体产业的强项之一，目前国内有4大封测企业排名全球Top10，分别是长电科技、天水华天、通富微电，智路封测。
长电科技、通富微电、天水华天早就表示，自己已经具备了3nm芯片的封测能力，其中像长电科技、通富微电甚至表示，拥有4nm Chiplet的封装能力，完全达到了全球领先水平。
可见，目前国产芯片的短板还是制造，毕竟中国大陆最先进的芯片工艺还是在14nm，与EDA、设计、封测的3nm相比，中间还隔了10nm、7nm、5nm、3nm这么4代，这4代按照正常发展，也得5-10年才行，现在还加上禁令，要追上的时间就未知了，也许10年都不定一达到。
而制造之所以这么落后，关键又是光刻机，国产的分辨率仅90nm，而ASML的EUV，以及先进的浸润式DUV光刻机也不能出售给中国了，所以国产光刻机真的要突破，否则制造就一直就短板，而这个短板，将成为中国芯最关键的制约因素。
原文标题 : 中国芯在EDA、设计、封测上均实现了3nm，只等光刻机了
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