英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 (SoC) 在台积电 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获“最佳演示”奖。

CGD 的 ICeGaN 已使用台积电的 GaN 工艺技术为全球客户进行大批量生产，将典型外部驱动电路的复杂性引入单片集成的 GaN HEMT 中。这一概念减少了 PCB 级的元件数量，并显著提高功率晶体管和整个系统的稳健性和可靠性，同时使用户能够将其与所选的栅极驱动器耦合。这一概念可以轻松扩展到更高的功率和电压，这也是 CGD 正在积极追求的目标。ICeGaN 作为行业首创，可以像 Si MOSFET 一样驱动 GaN eMode HEMT。正是因为 ICeGaN 给市场带来的差异化特性，创新区参观者将其评选为“最佳演示”。创新区是台积电在欧洲最大的年度活动中为初创客户展示尖端产品的地方。

近期刚刚上市的 ICeGaN H2 单芯片 eMode GaN HEMT 是我们的第二代 650V GaN IC，在空载到轻载工作中表现出创纪录的低损耗特性，这对于许多消费和工业应用至关重要。CGD 与 H1 产品组合一起，在这次著名的台积电欧洲活动和全球多个知名会议上展示了 65W 至 3kW 整个范围内的最高效率和可靠性。CGD 力争在不久的将来扩展其产品组合。

ICeGaN 在功率晶体管芯片内包含单片集成 GaN 接口电路。这简化了它们的使用方法，使它们能够像硅 MOSFET 一样驱动，而不需要特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的驱动电路、负电压电源或外部钳位元件。这种创新设计使器件极其坚固可靠，同时实现了现有 eMode GaN 技术中的最高性能。

关于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发与商业化，以实现能效和紧凑性的突破性飞跃。我们的使命是通过提供易于实现的高能效 GaN 解决方案，将创新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN™ 技术经证明适合大批量生产，并且 CGD 正在与制造合作伙伴和客户携手加快扩大规模。CGD 是一家无晶圆厂企业，孵化自剑桥大学。公司首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍与世界知名的剑桥大学高压微电子和传感器研究组 (HVMS) 保持着紧密联系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技术背后有不断扩充的强大知识产权组合做支撑，这也是公司努力创新的结晶。CGD 团队在技术和商业方面的专业知识以及在功率电子器件市场上的大量突出表现，为其专有技术在市场上的认可程度奠定了坚实的基础。

关于台积电

台积电于 1987 年成立，开创了纯晶圆代工业务模式，多年来一直是全球领先的专业半导体晶圆代工厂。该公司利用业界领先的工艺技术和设计支持解决方案组合，支持全球客户和合作伙伴蓬勃发展的生态系统，为全球半导体行业释放创新活力。台积电的全球业务遍及亚洲、欧洲和北美，秉承着在全球范围内担任尽责企业公民的使命。

台积电部署了 288 种不同的工艺技术，并通过提供最广泛的先进、专业和高级封装技术服务，在 2022 年为 532 家客户制造了 12,698 种产品。公司总部位于中国台湾新竹。欲了解更多信息，请访问 https://www.tsmc.com。