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浸润式光刻机之父:美国封锁无用,中国大陆能造出5nm芯片

众所周知,美国在本月再次升级芯片禁令,将大家最关注的浸润式光刻机,也禁了。

理论上,浸润式光刻机,虽然也是采用193nm波长的光源,但通过多重曝光之后,最高可以支持到7nm。

美国之所以禁了它,很多人猜测是被华为Mate60这款手机吓住了,因为在禁令之下,中国居然能独立搞出等效于7nm的芯片来,这是美国不能接受的,所以转身又将浸润式光刻机也禁了。

禁了浸润式光刻机,我们的芯片产业怎么办?无法再生产7nm芯片,再也无法进入7nm之下了么?

近日,台积电前研发副总,浸润式光刻机之父林本坚表示,美国是无法阻止中国大陆在先进制程芯片技术方面的进步,中国大陆可以利用现有设备,推进到5nm工艺。

其它人这样说,可能大家觉得是在吹牛,但林本坚这样说,意义却不一样的。

他不仅是台积电前研发副总,更是浸润式光刻机之父。当初尼康、佳能、ASML均在研发光刻机,大家在193nm波长的光源之后,有了分歧,尼康、佳能等要改进光源,采用154nm的,但这种光源非常不稳定,很难搞。

而林本坚觉得,利用水的折射原理,将193nm波长光源,经过水的折射后,就等效于134nm了,波长更短,同时还直接跳过154nm这个难搞的波长了。

尼康、佳能不相信他,坚持搞自己的154nm波长的光刻机。当时ASML还是小厂,反正也生存困难,不如陪林本坚赌一把,于是和台积电配合,搞出浸润式光刻机。

最后浸润式光刻机非常成功,ASML占得先机,因此将佳能、尼康甩在了身后,奠定了自己光刻机老大的地位,最后现搞出EUV光刻机,佳能、尼康就彻底不是对手了。

可见,林本坚对光刻机技术,芯片技术都是非常了解的,他认为我们基于现有设备,能够继续改进,然后推进到5nm,那么这很可能就会成为现实。

事实上,除了利用现有设备进行改进,推进到5nm之外,目前国产光刻机也在不断的突破,这是两条不同的线,任何一条线的前进,都能实现5nm这个小目标。

所以说,美国打压,其实真的是没有意义的,反而会逼着中国供应链崛起,最终摆脱对国外的依赖,甚至有可能让国外的芯片设备厂商,彻底失去中国大陆这个市场。

那什么时候我们能搞定5nm?就让时间来证明了,不知道那时候,美国还有何办法可想?是不是就得放开,然后进行倾销来打压了?

       原文标题 : 浸润式光刻机之父:美国封锁无用,中国大陆能造出5nm芯片

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