前言：

随着国内新能源汽车、风电、光伏等核心产业的蓬勃发展，氮化镓功率半导体行业正迎来前所未有的市场机遇。

根据权威机构的精准预测，氮化镓功率半导体行业的市场规模预计将保持98.5%的复合年增长率持续扩张，预计从2024年的32.28亿元大幅攀升至2028年的501.42亿元。

作者 | 方文三

图片来源 |  网 络 

氮化镓头部英诺赛科冲刺IPO

英诺赛科自2015年创立以来，已成为第三代半导体硅基氮化镓领域的全球领军企业，同时也是全球唯一一家实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。

目前，英诺赛科已率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆的量产，并作为全球唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司，持续推动行业发展。

根据弗若斯特沙利文的数据统计，英诺赛科在2023年的收入规模位居全球氮化镓功率半导体公司之首，占据氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%。

英诺赛科的创始人兼董事长骆薇薇，目前直接持有公司5.9%的股权，间接持有23.1%的股权，并通过协议控制联合创始人持有的5.47%股权，总计控制公司34.48%的股权。

在本次IPO中，英诺赛科的募资计划主要围绕产能扩充展开。

其中，50%的募资资金将用于扩大8英寸氮化镓晶圆的生产能力，计划从截至2023年12月31日的每月1万片晶圆提升至未来五年内每月7万片晶圆。

另外，15%的募资资金将投入于氮化镓产品组合的研发与扩展，旨在进一步提升氮化镓产品在终端市场的渗透率。

创始团队及研发策略

创始人骆薇薇，现年五十四岁，拥有新西兰梅西大学应用数学博士学位。

此前，骆薇薇在美国宇航局（NASA）任职长达十五年，从高级项目经理逐步晋升为首席科学家。之后，她选择了自主创业的道路。

骆薇薇的合作伙伴中，吴金刚博士于1994年获得中科院物理化学博士学位，并担任公司首席执行官一职。

另一位合作伙伴Jay Hyung Son，拥有丰富的半导体行业创业经验，并持有美国加利福尼亚伯克莱分校理学学士学位。

公司还拥有众多博士级智囊团成员，包括北大物理学博士汪灿、华中科技大学法学院教授易继明博士、曾任中芯国际技术开发与制造高级副总裁的杨士宁博士，以及前英特尔首席工程师、广东晶科电子创始人并荣获香港铜紫荆星章的陈正豪博士。

在策略上，英诺赛科从一开始就决定战略性地采用8英寸晶圆技术。

当前，半导体尺寸与制造工艺的难度系数呈指数级增长，而在第三代半导体的发展赛道上，多数企业仍选择6寸或4寸工艺。

英诺赛科已成为行业中唯一一家采用8英寸工艺制作芯片的先行者。

目前，团队已成功实现最初规划，并拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，成为全球产能最高的氮化镓器件厂商。

根据招股书数据，2021至2023年，英诺赛科的收入分别为6821.5万元、1.36亿元和5.93亿元，复合年增长率高达194.8%。

其中，公司最大客户为“宁王”宁德时代，2023年为公司贡献了1.9亿元的收入，占总收入比重32.1%。

6年融资突破60亿元

2018年4月，英诺赛科成功获得宁波嘉科投资与嘉兴金琥的投资，共计金额5500万元，注册资本增加至17.8亿元。

同年7月，珠海创投对英诺赛科进行了9000万元的战略投资。

2019年，英诺赛科顺利完成B轮融资，总额高达15亿元。

参与的投资方包括同创卓越、芯动创业、国民创投、朗玛峰创投、华业天成、招银国际等，至此，英诺赛科的股东数量增至25位。

到了2021年5月，公司再度取得显著进展，成功完成C轮融资，融资金额达14亿元，投资方涵盖深圳共创未来、淄博天汇弘鑫、苏州启璟投资、厦门华业启融等投资机构。

特别值得一提的是，此次股东列表中还包括了宁德时代董事长曾毓群这一超级个人投资者，这是他以个人名义投资的首家半导体公司。

他以个人投资者的身份认购了英诺赛科7504.54万元的注册资本，总投资额达2亿元。

随后，在2023年4月，曾毓群将其持有的注册资本无偿转让给配偶洪华灿，目前洪华灿的持股比例为1.78%。

2022年2月，英诺赛科再度取得突破，完成了高达26亿元的D轮融资，本轮融资由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。

其中，钛信资本作为领投方，本轮出资占比超过20%，投资额高达6.5亿元。

进入2024年4月，武汉高科与东方富兴共同投资6.5亿元，成为英诺赛科的E轮投资方。

根据招股书显示，英诺赛科在IPO之前的总融资额已突破60亿元，估值高达235亿元，充分展现了其作为超级独角兽的实力。

今年4月，英诺赛科E轮融资流出，武汉高科与东方富兴以6.5亿元的资金成功入股。

招股书数据显示，英诺赛科在IPO之前的总融资额已突破60亿元。

根据E轮融资的比例计算，其估值已达到235亿元。

收入持续增长但仍未实现盈利

在2021年至2023年的财务周期内，公司累计亏损金额达到67.07亿元，其中年度亏损额分别为34亿元、22.05亿元和11.02亿元；

而经调整后的净亏损总额为33.74亿元，包括10.81亿元、12.77亿元和10.16亿元三个年度的亏损。

针对这些财务情况，英诺赛科在其招股书中明确指出三个主要成因，即生产设备折旧严重、高额研发支出以及销售及营销费用的持续增长。

从产品角度来看，英诺赛科主要提供分立器件及集成电路、晶圆、模组等产品。

特别在2023年，公司开始供应氮化镓模组，且该年度内，分立器件及集成电路、晶圆、模组三大产品的营收占比分别为32.4%、35.2%和32.1%。

英诺赛科在招股书中强调，截至2023年底，公司拥有一支由397名研发人员组成的团队。

同时，公司在全球范围内拥有约700项专利及专利申请，这些专利覆盖了芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等核心技术领域。

特别值得一提的是，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地。

至2023年12月31日，该基地的产能已达到每月10000片晶圆，实现了产业规模的商业化，且晶圆良率超过95%。

然而，英诺赛科的招股书也披露，在过往的业绩记录期间，公司面临了来自两名竞争对手针对公司若干产品潜在知识产权侵权的三项诉讼。

目前，这三项诉讼仍处于初期阶段，若公司面临不利判决，可能会面临禁止生产或销售侵权产品的风险，或需支付相应的金钱赔偿。

结尾：苏州半导体产业的集群效应

苏州作为国内率先关注第三代半导体发展的城市之一，已颁布《苏州市促进集成电路产业高质量发展的若干措施》，旨在根据企业研发投入情况提供相应支持，尤其聚焦于第三代半导体等关键领域。

同时，国家亦决定在苏州设立国家第三代半导体技术创新中心，从而确立苏州在第三代半导体产业中的国家级地位。

在过去的一年中，苏州半导体产业迎来了一轮显著的上市热潮。

其中，盛科通信的科创板上市尤为引人注目，其首日市值超过260亿元。

该公司创始人孙剑勇在创业之初即矢志于在中国打造出世界一流的芯片产品，背后得到了元禾控股、国家集成电路产业投资基金、中电创新基金、耀途资本等众多资本的支持。

苏州市政府为持续推动半导体产业的繁荣，已出台一系列政策措施。根据相关政策，未来三年将每年提供至少5亿元的财政支持，用于研究、设备采购、芯片设计、封装和生产等多个环节。

这些举措旨在确保到2025年，全市集成电路产业规模能够达到2000亿元的目标。

部分资料参考：铅笔道：《苏州杀出235亿超级独角兽：全球第一》，投中网：《235亿，苏州超级独角兽要IPO了》，天天IPO：《苏州200亿独角兽要IPO了》，IPO日报：《英诺赛科号称“全球第一”，却净亏超10亿》，创业邦：《曾毓群押注，女科学家干出全球第一，估值235亿，即将IPO》

       原文标题 : AI芯天下丨科创丨英诺赛科冲刺IPO，苏州杀出235亿独角兽