东芝推出高速导通小型光继电器，可缩短半导体测试设备的测试时间

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2025-02-20 13:40

中国上海，2025年2月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出采用S-VSON4T^[1]封装的光继电器——“TLP3414S”与“TLP3431S”，具有比东芝现有产品更快的导通时间^[2]。TLP3414S与TLP3431S的断态输出端电压和通态电流额定值分别为40 V/250 mA和20 V/450 mA。该产品于今日开始支持批量出货。

新型光继电器通过提高输入侧红外LED的光输出并优化光电探测器（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，将导通时间最大值缩短至150 μs。TLP3414S的导通时间比东芝现有产品TLP3414缩短约50 %，TLP3431S的导通时间比东芝现有产品TLP3431缩短约62 %。

此外，当输出打开时，这两款产品的导通电阻会影响信号衰减（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；当输出关闭时，输出电容会影响高频信号泄漏（两款产品均为典型值6.5 pF）。新产品与东芝现有产品^[2]相当，确保了稳定的信号传输。

新产品适用于半导体测试设备中的引脚电子^[3]应用，可在开关信号的同时以高精度高速测量待测设备（DUT）。

新产品由于采用小型S-VSON4T封装，与东芝现有产品的VSON4封装^[4]相比表贴面积减少了约20 %，有助于实现半导体测试设备和其他设备的小型化。

东芝将继续提供更多高性能产品，以满足半导体测试设备对更高性能和更快速度的需求。

应用：
半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
探测卡
测量设备

特性：
高速导通时间：tON＝150 μs（最大值）
低导通电阻：

TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）

TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）

小型S-VSON4T封装：45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）

主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25 °C）

器件型号			TLP3414S	TLP3431S
封装	东芝封装名称		S-VSON4T
	尺寸（mm）		1.45Í2.0（典型值），厚度＝1.3（典型值）
触点类型			1-Form-A （常开）
绝对最大额定值	断态输出端电压VOFF（V）		40	20
	通态电流ION（mA）		250	450
	通态电流（脉冲）IONP（mA）		750	1350
	工作温度Topr（°C）		–40至110
	隔离电压BVS（Vrms）	AC，60 s， R.H.≤60 %	500
耦合电气特性	触发LED电流IFT（mA）	最大值	3
	导通电阻RON（Ω）	典型值	2	0.8
		最大值	3	1.2
电气特性	输出电容COFF（pF）	典型值	6.5
开关特性	导通时间tON（μs）	最大值	150^[5]
	关断时间tOFF（μs）		100^[5]
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